阳极键合
阳极键合是一种无需引入中间层即可将玻璃与硅或金属封接的晶圆键合工艺。电子学与微流控领域常采用阳极键合将玻璃封接至硅晶圓。阳极键合也称场辅助键合或静电封接，主要依靠电场连接硅/玻璃以及金属/玻璃。阳极键合要求晶圆表面平整洁净，且键合衬底在足够强的静电场作用下达到原子级接触。此外必须使用含有高浓度碱金属离子的硼硅酸盐玻璃。所用玻璃的热膨胀系数（CTE）需与键合对象的相近。 玻璃晶圆阳极键合的工作温度通常为250-400 °C，溅射玻璃键合温…
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微星科技
微星科技（英文：Micro-Star International，縮寫MSI），是一家總部位於臺灣新北市中和區的跨國科技公司，為電競、專業創作、商務專用及人工智慧（AI）硬體解決方案供應商。公司於 1986 年由五位原 Sony 工程師創立，初期以主機板及介面卡的研發製造為核心業務，目前產品線已擴展至筆記型電腦、桌上型電腦、螢幕、伺服器、工業電腦等電腦硬體，及車用電子、電動車充電樁、自主移動機器人（AMR）等。 微星科技創立初期以ODM…
印制电路板
Kicad_Pcbnew3D軟體設計的電路板畫面]] 印刷电路板，又称印制-{}-电路板，印刷线路板，常用英文缩写PCB（Printed circuit board）或PWB（Printed wire board），是电子元件的支撑体，在這其中有金屬導體作为連接电子元器件的線路。 傳統的電路板，採用印刷蝕刻阻劑的工法，做出電路的線路及圖面，因此被稱為印刷電路板或印刷線路板。由於電子產品不斷微小化跟精細化，目前大多數的電路板都是採用貼附蝕…
表面安装技术
表面安装技术（，簡稱SMT），是一种电子装联技术，起源于1960年代，最初由美国IBM公司進行技術研發，之後於1980年代後期漸趨成熟。此技術是将电子元件，如电阻、电容、晶体管、集成电路等等安装到印刷电路板上，并通过钎焊形成电气联结。其使用之元件又被簡稱為表面安装元件（SMD，surface-mount devices）。和通孔插装技术的最大不同處在於，表面安装技术不需為元件的針腳預留對應的貫穿孔，而表面安装技术的元件尺寸也比通孔插装技…
后道工序
（器件）。]] 制造工艺]] 是IC制造的第二部分，其中各个器件（晶体管、电容器、电阻器等）与晶圆上的布线（金属化层）互连。常见的金属有铜和铝。 BEOL通常在晶圆上沉积第一层金属时开始。BEOL包括触点、绝缘层（电介质）、金属层以及用于芯片与封装连接的接合位点。 在最后一个FEOL步骤之后，就会出现一个带有隔离晶体管（没有任何电线）的晶圆。在制造阶段的BEOL部分中，形成接触（焊盘）、互连线、通孔和介电结构。对于现代IC工艺，可以在B…
等离子体活化键合
等离子体活化键合（Plasma-activated bonding）是直接键合技术的一种变体，旨在降低具有親水表面的工艺温度。降低直接键合温度的主要需求源于低熔点材料的使用，以及具有不同热膨胀系数（CTE）材料的异质集成。 键合前的表面活化具有典型优势，即无需中间层，且在低于400 °C的温度下进行退火后即可获得足够高的键合能。 概述 温度的降低基于利用等离子体活化增强洁净晶圓表面的键合强度。此外，这种强度的提升归因于Si-OH基团数量…
直接键合
直接键合（direct bonding）或称熔合键合（fusion bonding），是一种无需任何额外中间层的晶圆键合工艺。该工艺基于两种材料表面之间的化学键合，需满足多种严格的表面要求。这些要求规定晶圆表面必须足够洁净、平整且光滑，否则会导致未键合区域（即所谓“空洞”或界面气泡）的产生。 晶圆直连工艺的步骤通常分为： 晶圆预处理； 室温预键合； 高温退火。 尽管直接键合技术能够处理几乎所有材料，但截至目前，硅仍是最成熟的应用材料。因…
晶圆键合表征
晶圆键合表征指评估两块半导体晶圓之间键合质量和强度的过程。键合表征基于不同的方法和测试。成功、无缺陷的键合晶圆高度重要。这些缺陷可由界面处因不平整或雜質导致。键合连接用于晶圆键合工艺开发或已制晶圆与传感器的质量评估。 概述 晶圆键合通常通过三个重要的封装参数来表征：键合强度、封装的气密性和键合诱发的应力。 键合强度可用双悬臂梁（DCB）或菱形缺口（chevron）/微菱形（micro-chevron）测试评估。其他的拉拔测试、爆破、直接…
阻焊层
]] 阻焊层是一层薄薄的聚合物涂层，通常涂覆在印刷电路板（PCB）的铜表面，旨在防止氧化并避免在紧密间隔的焊盘之间形成焊桥，即两个导体之间不期望的电连接，通常通过一小块焊料实现。阻焊层并非必然用于手工焊接组件，但对于使用回流焊或技术进行批量生产的电路板却至关重要。一旦应用，必须通过光刻在阻焊层上开孔，以便在焊接组件的任何位置进行连接。传统上，阻焊层呈绿色，但也有许多其他颜色可供选择。 根据特定应用的需要，阻焊层采用不同的介质。成本最低的…
载带自动键合
载带自动键合（英語：Tape-Automated Bonding，简称TAB）是一种将裸半导体芯片（如集成电路）安装到柔性电路板上的封装技术。该工艺通过将芯片连接到聚酰胺或聚酰亚胺（例如商标Kapton或UPILEX）膜载体上的细金属导体上实现。带有芯片的柔性电路板可直接安装在系统或模块电路板上，或封装于器件中。其中芯片与载带的初级连接称为“内引线键合”（ILB），而与系统板或封装之间的连接则称为“外引线键合”（OLB）。一般情况下，T…
焊锡膏
焊锡膏是人們在製作印制电路板時需要用到的一種粘性膏，焊锡膏可以将SMT贴片元件與印制电路板上的焊盘相連。这种粘性膏体在加熱前能暂时固定SMT贴片元件位置，经加热后即可熔化，這樣就能徹底固定住SMT贴片元件。 规格 锡膏按熔点和合金成分分为高温锡膏和低温锡膏，广泛用于SMT表面贴装焊接。低温锡膏适用于不耐高温的元件。高温锡膏焊点强度高，抗疲劳性好，符合RoHS环保标准。 以下是市面上的锡膏规格。 Sn63Pb37(183℃) Sn62.8…
表面活化键合
表面活化键合（Surface activated bonding，简称SAB）是一种利用原子级清洁且产生活性的表面进行的非高温晶圆键合技术。该技术通常在键合前利用快速原子轰击进行表面活化以清理表面。即使在常温下，该技术也能实现半导体、金属与介電質的高强度键合。 概述 在标准SAB方法中，晶圆表面在10−4-10−7 Pa的（UHV）环境下通过氩气快速原子轰击进行活化。轰击过程清除了表面的吸附污染物与原生氧化物。活化后的表面达到了原子级清…
扇出晶圆级封装
（eWLB）草图，第一个商业化FOWLP技术]] 扇出晶圆级封装（，FOWLP）是一种集成电路封装技术，是标准晶圆级封装（WLP）技术的强化。 背景 FOWLP技术最开始由英飞凌开发，台积电以此技术为基础，生产A10处理器。 FOWLP工艺可分为先成型（molding first，或称先芯片——die first）与先布线（RDL first，或称后芯片——die last），先成型工艺又可分为面朝下（face down）与面朝上（fa…
灌封
。右侧可见的表面是由倒入塑料盒中的灌封胶形成的。]] 灌封（）在电子学中，是将整个电子组件填充固体或凝胶状化合物的过程。这样做是为了隔绝水分或腐蚀剂，增强抗冲击和抗振动能力，或防止高压组件中的电晕放电等气态现象。灌封也被用于防止逆向工程或保护加密处理卡的部件。当此类材料仅用于单个元件而非整个组件时，该过程被称为封装。 通常使用热固性塑料或硅橡胶凝胶，尽管环氧树脂也非常常见。在使用环氧树脂时，通常会指定低氯等级。许多站点建议使用灌封产品来…
热剖析
热剖析（thermal profile）是通常与在烘箱（例如：回流焊炉) 中测量温度相关联的一组复杂的时温数据。热剖析常沿若干维度来测量，例如升温速率（slope）、浸泡（soak）、液相以上时间（TAL，time above liquidus）和峰值（peak）。 热剖析可以依据其在工艺窗口（规范或公差限）内的匹配程度进行排序。原始温度值按相对于工艺平均值和窗口限的百分比进行归一化。工艺窗口的中心定义为零，工艺窗口的极限边界为±99%…
工艺窗口指数
工艺窗口指数（process window index，PWI ）是一种统计测量指标，用于量化制造工艺（例如涉及加热和冷却的热工艺）的稳健性（robustness）。在制造业中，PWI值用于校准回流焊炉中烘烤焊接作业时的加热和冷却过程（称为热剖析）。 PWI衡量的是一个工艺与用户定义的工艺限值（称为规格限值）的契合程度。规格限值是工艺允许的公差，可以通过统计方法确定。在工业上，这些规格限值被称为“”，而在该窗口内部或外部绘制的数值被称为…
热压键合
热压键合（thermocompression bonding）是一种晶圆键合工艺，也称为擴散接合、压力接合、热压焊接或固态焊接。两种金属，例如金-金（Au），在施加力和热的同时达到原子接触。这种原子相互作用把界面粘合在一起。 概述 最常用于热压键合的材料是铜（Cu）、金（Au）和铝（Al），因为它们具有较高的扩散速率。此外，铝和铜是相对较软且具有良好延展性的金属。 用Al或Cu进行键合需要温度≥ 400 °C以确保足够的气密封合。此外，…
參考設計
参考设計又稱公版，是指系统的一种设计，旨在供他人或其他廠商參考复制。它包含系统的基本要素。不過其他公司可以根据需要增强或修改该设计。 在顯卡領域，这一概念通常被称为公版顯卡，即由英偉達和AMD親自設計。 参考文献
边界扫描
边界扫描（）是一種檢查印刷電路板上的連線或是積體電路中模組的方式。边界扫描也可以當作是一種调试的方式。边界扫描也是一種除錯方式，監監控腳位狀態、量測電壓，或是分析積體電路中子模組的功能。 聯合測試工作組（JTAG）是於1985年由電子工業協會訂定的驗證設計和測試其電路的方法，在1990年成為IEEE 1149.1-1990文檔。在1994年時增加了一份附件，其中定義了邊界掃描描述語言，用以描述IEEE 1149.1相容設備的边界扫描邏輯…
晶圆级封装
晶圆级封装（，WLP）是一种在制造集成电路的晶圆被切割之前的封装工藝。在WLP中，封裝的頂層和底層以及焊料凸點在積體電路仍在晶圓中時就附著上，而在傳統製程中，安裝封裝元件之前就已將晶圓切成單獨的電路（晶片）。 WLP本质上是一种真正的芯片级封装（CSP）技術，因為最終的封裝實際上與晶片尺寸相同。晶圓級封裝允許在晶圓級整合晶圓製造、封裝、測試和老化，以簡化裝置從矽片開始到向客戶發貨的製造流程。目前晶圓級封裝還沒有一個業界標準方法。 由於尺…