單晶微波積體電路
单片微波集成电路（，简称MMIC）是与微电子学领域的一类特殊集成器件、电路或系统。所有无源和有源器件均在同一个半导体衬底上制成（厚度通常为100 μm）。这种微型化技术使电路的工作频率可达毫米波频段。 本文所述的MMIC需与MIC区分。后者指微波集成电路（），即非单片的。 概念 固态集成电路（）这一广义概念不仅包含微波器件与电路，还包括用于其他频段（如太赫輻射）的系统。 器件 电阻器采用薄膜技术或带有歐姆接觸的掺杂半导体材料制成。电容器…
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外延 (晶体)
磊晶（），是指一種用於半導體器件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱外延成長（Epitaxial Growth），或指以外延技術成長出的結晶，有時可能也概指以外延技術製作的晶粒。 外延技術可用以製造矽電晶體到CMOS積體電路等各種元件，尤其在製作化合物半導體例如砷化鎵時，外延尤其重要。 外延成長技術的種類 化學氣相沉積 分子束外延技術：在高度真空下在表面沉積新的半導體結晶層的磊晶技術，相關可見真空蒸鍍技術…
下線
、交付製造或設計定稿，指的是積體電路（IC）或印刷電路板（PCB）設計的最後步驟，也就是送交製造。 在工業生產領域，「下線」指的是產品完成生產線組裝製造的過程，離開生產線。 簡介 今日的IC設計過程需使用到各種電子設計自動化工具，經過漫長且複雜的模擬跟驗證之後，才能夠將設計好的電路交由半導體器件製造的工廠（晶圓廠）生產，稱之為「下線」。因此在業界當中，這個詞或多或少也包含了一些設計大功告成的祝賀意味在。 另見 殺青 封頂 參考
技术节点
技术节点（technology note）是半导体技术中定义制造工艺世代的里程碑，主要指代通过光刻技术能够制造的最小特征尺寸。 该术语本身非常抽象，仅粗略描述行业的技术进步。在同一技术节点下，不同制造商使用的技术存在差异。即使是同一整合元件製造廠（尤其是代工厂，即Foundry），其不同产品采用的技术也不尽相同。此外，该术语与微结构晶体管的栅极长度没有固定关联。随着微电子学及后来的纳电子学的发展，许多其他元器件的尺寸也大幅缩小。 自19…
美国商务部对中华人民共和国实施先进计算和半导体制造的出口管制新规
美国商务部对中华人民共和国实施先进计算和半导体制造的出口管制新规是美國商務部自2022年10月7日起實施的针对中华人民共和国的出口管制，目的是阻止中國获取和先进计算和半导体制造品以及具有這方面研發的能力。其中提到要禁止向中國出口高性能计算芯片、禁止向中國出口某些半导体制造设备、限制美国人在中國半導體公司任職。 参考文献
化学气相沉积
化學氣相沉積（，簡稱CVD）是一種用來產生純度高、性能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的CVD製程是將晶圓（基底）暴露在一種或多種不同的前驅物下，在基底表面發生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。反應過程中通常也會伴隨地產生不同的副產品，但大多會隨著氣流被帶走，而不會留在反應腔（reaction chamber）中。 微制程大都使用CVD技术来沉积不同形式的材料，包括单晶、多晶、非晶及磊晶材料。这些材料…
芯片制程技术节点
芯片制程技术节点是指芯片上的电子元件之特征，即电子元件所能达到的最小尺寸；而芯片面积相同时电子元件尺寸愈小，芯片就能容纳得下愈多的电子元件（主要为晶体管），芯片的性能也随之提升。 自芯片商业化量产以来的头三十余年里，芯片制程技术节点的名稱與晶体管栅极的长度（gate length）和半节距有關，但自1997年起，它们之间已开始没有关联；芯片制程技术节点之命名与栅极的长度、栅极间的节距（gate pitch）、及金属层间的节距（metal…
微系统技术
微系统技术（micro system technology，MST），是微技术的一个分支，涉及微系统的教学、研究開發以及制造。其中包括将微机械或元件与微电子电路组合并整合在一个复杂的系统中。 另一个分支是，其主要研究在微结构设备中发生的物理或化学过程。 通过微系统技术或微技术制造的部件或设备也被称为微系统或微机电系统（MEMS）。 工艺 在微系统中，传感器、执行器与数据处理系统协同工作。因此，制造复杂的微系统需要结合不同微技术领域的工艺…
台積電晶圓第18廠
台積電晶圓第18廠（）是台積電位於臺灣臺南市南科臺南園區的十二吋超大晶圓廠，是世界上半導體製程最先進的晶圓製造廠。18廠分成9期廠房（P1~P9），並且分成18A以及18B兩個廠級單位。 歷史 2018年，第一季P1廠動工，第三季P2廠動工。 2019年，第三季P3動工。 2020年，P1-P3廠投產，P4廠動工。 2022年，P4廠投產。 2022-2025年，P5-P7廠陸續投產。 2023年，P8廠動工。 2025年，P8廠投產、…
前開式晶圓傳送盒
前開式晶圓傳送盒（），是半導體製程中被用來保護、運送、並儲存晶圓的一種容器。 其內部通常可以容納25片的晶圓，其主要部分是一個能容納25片晶圓的前開式容器並有一個前開式門框，用于用于容器的开启与闭合。该装置用于12英寸晶圆厂的自动化传输系统中，作为晶圆搬运与存储的标准载具。 其最重要的功能是在每一台生產機台之間的傳送途中，保護晶圓避免受到外部環境中的微塵汙染，進而影響到良率。
掺杂 (半导体)
杂（）是半导体制程中，为纯的本質半導體引入杂质，使之电气属性被改变的过程。此杂质称为掺杂-{}-剂（dopant）或掺杂-{}-物，而引入的杂质与要制造的半导体种类有关。轻度和中度掺杂的半导体被称作是杂质半导体，而更重度掺杂的半导体则需考虑费米统计律带来的影响，这种情况被称为简并半导体。 載流子濃度 摻雜物濃度對於半導體最直接的影響在於其載流子濃度。在熱平衡的狀態下，一個未經摻雜的本征半導體，電子與空穴的濃度相等，如下列公式所示： :n…
划片槽
在半导体技术中，划片槽（又称划片道、切割道、划痕框架，）指晶圓上可用管芯之间的区域。当晶圆被切割成独立芯片时，该区域作为锯切或划线产生的损耗区。 在制造过程中，此区域并非闲置，而是用于放置各类测试结构，例如测量接觸電阻、套刻误差、关键尺寸（CD）、薄膜厚度及深度剖面等。由于这些测试结构通常仅在制造阶段使用，将其置于划片槽内可有效节省珍贵的芯片面积。对于部分现代半导体制造工艺，仅靠划片槽提供的信息已不足以支撑设备校准（如套刻与关键尺寸测量…
净室
的淨室]] 生產用無塵室]] -{zh-cn:净室; zh-tw:無塵室}-（），又稱-{zh-cn:无尘室; zh-tw:淨室}-、超净间、潔淨室或清淨室，是指一个具有低污染水平的环境，這裡所指的污染來源有灰尘、空气传播的微生物、悬浮颗粒和化学挥发性气体。更准确地讲，一个净室具有一个受控的污染级别，污染级别可用每立方米的颗粒数，或者用最大颗粒大小来厘定的。低级別的净室通常是没有经过消毒的（如没有受控的微生物），更在意的是無塵室中的灰尘…
环氧塑封料
环氧塑封料（，EMC）是一类用于电子封装的高性能材料，主要由环氧树脂、苯酚、硬化剂、填料和其他添加剂组成。为确保电子元件免受机械损坏、污染和湿气的影响，通常使用注塑或传递模塑作为批量生产的制造技术将电子元件封装在环氧塑封料中。环氧树脂在固化后会形成三维网络结构，从而具有出色的机械性能和耐热/耐湿气性能，非常适合保护设备免受环境影响。 历史 半导体技术从1940年代的锗二极管开始，到晶体管的出现，电路愈加紧凑，功耗不断下降，推动了今天计算…
歐姆接觸
欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线（I-V curve）的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做肖特基接触。典型的欧姆接触是溅镀或者蒸镀的金属片，这些金属片通过光刻製程布局。低电阻，稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。 理论 任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level，或者严格意义上，化学势）必须相等。 费米能级和真空能级的差值…
表面活化键合
表面活化键合（Surface activated bonding，简称SAB）是一种利用原子级清洁且产生活性的表面进行的非高温晶圆键合技术。该技术通常在键合前利用快速原子轰击进行表面活化以清理表面。即使在常温下，该技术也能实现半导体、金属与介電質的高强度键合。 概述 在标准SAB方法中，晶圆表面在10−4-10−7 Pa的（UHV）环境下通过氩气快速原子轰击进行活化。轰击过程清除了表面的吸附污染物与原生氧化物。活化后的表面达到了原子级清…
高功率脉冲磁控溅射
高功率脉冲磁控溅射(High Power Impulse Magnetron Sputtering, HiPIMS，又称High Power Pulsed Magnetron Sputtering, HPPMS)是一种基于磁控溅射沉积的薄膜物理气相沉积方法。HiPIMS在数十微秒的低占空比(-2量级的高功率密度。HiPIMS不同常规磁控溅射的特性是其高的溅射粒子离化率和分子气体解离速率，从而得到致密的沉积薄膜。电离和解离率随峰值靶功率的…
特洛伊波包
上運行了特洛伊波包的經典模擬。该波包最初是以隨機分佈在高斯函數峰值內的點集合來近似，並根據牛顿方程進行運動，而這個集合會維持在局部。為了方便比較，後面進行了第二個模擬，當圓偏振電場(旋轉)的強度等於零時，波包(這些點)會完全在圓周上擴散開來。 ]] 特洛伊波包（英語：trojan wave packet ）是非穩態且不擴散的波包 ，屬於由原子核和一個或多個電子波包所組成的人造系统，受到连续电磁场高度激发。 强烈的偏振电磁场會将电子波包控…
半导体器件制造
]]半导体器件制造是用于制造半導體元件的过程，又稱半導體製-{}-程，通常指製造集成电路（IC），如计算机处理器、微控制器和存储芯片（如NAND闪存和DRAM）的過程。半導體製程涵蓋數百道加工步驟，包括微影、蝕刻、沉積、摻雜與平坦化等物理化学过程，分為「前段製程」及「後段製程」。在此过程中，电子电路逐渐在晶圓上创建，晶圆通常由纯单晶半导体材料制成，硅爲常見之原料，但各种化合物半导体亦被用于专业应用。诸如刻蚀和光刻等步骤也可以用来制造其他…
蝕刻
蝕刻是指以酸性、腐蝕性或有研磨效用的物質在玻璃表面上創作的技術。傳統上，這段過程是在玻璃吹製好或鑄好之後進行的。 1920年代，人們發明一種新的模刻技術，即將圖案直接刻在鑄模上。所以當鑄模好了之後，圖案就已經在玻璃的表面上了。這項技術降低了製作成本，且結合彩色玻璃的廣泛運用導致了1930年代便宜花瓶的出現，這些花瓶後來被稱之為「Depression glass」。因為用在此過程中的酸劑很危險，現在大多是使用研磨的方法。 半導體蝕刻 到了…