表面活化键合

表面活化键合（Surface activated bonding，简称SAB）是一种利用原子级清洁且产生活性的表面进行的非高温晶圆键合技术。该技术通常在键合前利用快速原子轰击进行表面活化以清理表面。即使在常温下，该技术也能实现半导体、金属与介電質的高强度键合。

概述
在标准SAB方法中，晶圆表面在10−4-10−7 Pa的（UHV）环境下通过氩气快速原子轰击进行活化。轰击过程清除了表面的吸附污染物与原生氧化物。活化后的表面达到了原子级清洁水平，且具有极高活性，当晶圆相互接触时，即便在常温下也能形成直接键合。

SAB研究
SAB方法已应用于多种材料的键合研究，详见表I。

此外，还针对SiO2-SiO2及Cu/SiO2混合键合开发了复合型SAB，其无需使用任何中间层。

技术规格
参考