LIGA
德语缩略词LIGA（代表工艺步骤：光刻（Lithographie）、电镀（Galvanik）与成型（Abformung））是指一种基于深度光刻、电镀与微成型相结合的工艺。LIGA工艺于20世纪80年代初在当时的卡尔斯鲁厄核研究中心由和沃尔夫冈·埃尔费尔德领导的团队开发，最初是作为濃縮鈾的开发的一部分，旨在制造极小的分离喷嘴。 该工艺可使用塑料、金属或陶瓷等材料，制造出最小尺寸达0.2 µm、结构高度达3 mm且深宽比高达50（局部细节结…
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微技术
微技术（）包含了微機電感測和控制、驅動元件製程開發技術、微機電系統整合技術、射頻(RF MEMS)、光學（Optical MEMS）、生物醫學（Bio MEMS）、電腦與週邊（Computer Peripheral MEMS）微機電系統研究。 参考
剥离工艺
剥离工艺（lift-off technique）是半导体技术与微系统技术中用于制造（通常为金属）微结构的一种工艺序列。其第一步是在诸如晶圓等基底（Substrate）表面生成结构化的薄层。在此结构化的牺牲层上全貌沉积目标材料。随后通过进一步的工艺步骤移除牺牲层上的目标材料区域，剩余结构即构成所需的微结构。剥离工艺可制造的结构尺寸从数十纳米到厘米量级，典型结构尺寸处于微米范围。该工艺应用于制造集成电路（IC）和微系统的布线层或接触面等。与…
微电子学
微电子学（）是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小化电路，子系统及系统的电子学分支。微电子学作为电子学的一门分支学科，主要是研究电子或离子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它实现信号处理功能的学科。微电子学是以实现电路和系统的集成为目的的。微电子学中实现的电路和系统又成为集成电路和集成系统，是微小化的；在微电子学中的空间尺寸通常是以微米（μm，1μm=10^{-6}m）和纳米（nm，1nm=10^{-9}m）为单位的。 目前，…
DNA微陣列
DNA微陣列（DNA microarray）又稱DNA陣列或DNA芯片，比較常用的名字是基因芯片（gene chip）。是一塊帶有DNA微阵列（microarray）的特殊玻璃片或矽晶圓片，在數平方公分之面積上佈放數千或數萬個核酸探針；檢體中的DNA、cDNA、RNA等與探針結合後，藉由-{zh-cn:荧光;zh-tw:螢光}-或電流等方式偵測。經由一次測驗，即可提供大量基因序列相關資訊。它是基因组学和遗传学研究的工具。研究人員應用基因…
芯片制程技术节点
芯片制程技术节点是指芯片上的电子元件之特征，即电子元件所能达到的最小尺寸；而芯片面积相同时电子元件尺寸愈小，芯片就能容纳得下愈多的电子元件（主要为晶体管），芯片的性能也随之提升。 自芯片商业化量产以来的头三十余年里，芯片制程技术节点的名稱與晶体管栅极的长度（gate length）和半节距有關，但自1997年起，它们之间已开始没有关联；芯片制程技术节点之命名与栅极的长度、栅极间的节距（gate pitch）、及金属层间的节距（metal…
光酸
光酸是吸收光后酸性增强的分子。光照既可引发光分解以生成强酸，也可引发光缔合（如成环反应）从而提升酸性并解离出质子。 光照下释放质子的分子主要分为两类：光酸產生劑（photoacid generator，PAG）与光酸（photoacid，PAH）。光酸產生劑的质子光解过程不可逆，而光酸分子的质子光解与热缔合过程可逆。对于后者，其激发态呈强酸性且该状态可逆。 光酸產生劑 三氟甲磺酸三苯基锍是发生光解的一个典型实例。这种无色盐由锍阳离子与三…
封裝體系
封裝體系（），為一種積體電路（IC）封裝的概念，是將一個系統或子系統的全部或大部份電子功能配置在整合型基板內，而晶片以2D、3D的方式接合到整合型基板的封裝方式。 SiP可以利用封装技术将来自不同晶圆厂、晶圆尺寸和结构尺寸的各種芯片集成到系统或子系统中，而不是在芯片级别的半导体器件制造時使用更细的结构尺寸集成大部分功能，從而降低成本和提高良率。在实际应用大小不同的芯片中，大芯片可以是处理器，而小芯片可以是存储器。 優勢 SiP較单片系统…
微加工
微加工，或微细加工，是制造微米级及更小尺寸微型结构的过程。历史上，最早的微加工工艺应用于集成电路制造，也称为“半导体制造”或“半导体器件制造”。在过去二十年中，微机电系统（MEMS）、微系统（欧洲用法）、微机械（日语术语）及其子领域，重新使用、调整或扩展了微加工方法。这些子领域包括微流控/ 、光学微机电系统（亦称MOEMS）、射频微机电系统、功率微机电系统（PowerMEMS）、生物微机电系统及其向纳米尺度的延伸（例如纳米机电系统）。平…
晶圆键合表征
晶圆键合表征指评估两块半导体晶圓之间键合质量和强度的过程。键合表征基于不同的方法和测试。成功、无缺陷的键合晶圆高度重要。这些缺陷可由界面处因不平整或雜質导致。键合连接用于晶圆键合工艺开发或已制晶圆与传感器的质量评估。 概述 晶圆键合通常通过三个重要的封装参数来表征：键合强度、封装的气密性和键合诱发的应力。 键合强度可用双悬臂梁（DCB）或菱形缺口（chevron）/微菱形（micro-chevron）测试评估。其他的拉拔测试、爆破、直接…
局部硅氧化
局部硅氧化（LOCOS，英文LOCal Oxidation of Silicon的缩写），是一种用于将半导体器件（例如晶体管）电气隔离的微加工工艺，在硅片的选定区域进行掩膜处理，即覆盖结构化保护层，然后将暴露的硅在高温、富氧气氛下局部浅层氧化，形成一层二氧化硅构成的电隔离区。该技术用于将MOSFET彼此绝缘并限制晶体管串扰。其主要目标是创建一种穿透硅片表面的氧化硅绝缘结构，使得Si-SiO2界面低于硅表面其他部分。 在半导体技术中，LO…
特洛伊波包
上運行了特洛伊波包的經典模擬。该波包最初是以隨機分佈在高斯函數峰值內的點集合來近似，並根據牛顿方程進行運動，而這個集合會維持在局部。為了方便比較，後面進行了第二個模擬，當圓偏振電場(旋轉)的強度等於零時，波包(這些點)會完全在圓周上擴散開來。 ]] 特洛伊波包（英語：trojan wave packet ）是非穩態且不擴散的波包 ，屬於由原子核和一個或多個電子波包所組成的人造系统，受到连续电磁场高度激发。 强烈的偏振电磁场會将电子波包控…
晶圆键合
晶圆键合是半导体技术和微系统技术中的一个工艺步骤，其中两个晶圓或薄片（硅、石英、玻璃及其他材料）被接合，也就是全面积互相连接。 应用 在微系统技术中，晶圆键合用于制造传感器所需的腔体，例如绝对压力传感器的参考压室或某些角速度传感器的负压腔。晶圆键合在太阳能电池和组件的制造中也具有重要意义。近年来芯片开发与制造的进展，特别是封装技术，增加了晶圆键合在诸如3D-NAND和高頻寬記憶體等高集成度技术中的相关性和必要性。 晶圆键合工艺 无中间层…
微反應器
開發的微反應器]] 微反应器是一种横向尺寸通常小于1毫米的受限空间内进行化学反应的装置。气相微反应器发展历史較長，而液相微反应器则始于20世纪90年代末。 微反应器的传热系数通常可达1-500兆瓦/(立方米·开尔文)，而传统玻璃器皿（如1升烧瓶约10千瓦/(立方米·开尔文)）仅为几千瓦。因此，微反应器能更快地移除反应產生的热，即使硝化反应等危险反应也可在高温下安全进行。 參考文獻
表面声波
表面声波（）是一种沿弹性材料表面传播，其振幅随深入表面深度指数衰减的弹性波(1)。 1885年瑞利勳爵首先解析表面声波的性质及其传播特性。 表面声波有广泛的应用；主要依据它的二方面特性： #表面声波在材料表面传播的性质，和材料的相互作用规律。 #利用压电材料，将电信号转换成声信号应用，后再转换为电信号；例如：表面声波传感器，将电讯号变为声波传输；而它易受物理现象影晌，之后，分析声波的振幅、相位、频率和时间延迟等，再变回电讯号，和原来输入…
45纳米制程
45纳米制程是半导体制造制程的一个水平。自2007年后期，松下電器和英特尔开始大量制造45纳米的芯片产品。 芯片制造厂商使用High-k材料来填充栅极，目的是为了减少漏电。至2007年，IBM和英特尔宣布他们采用了金属栅极解决方案。2008年，台積電改良45奈米製程，轉進到40奈米製程。 2020年，華為擬在上海建設不使用美國技術的晶片工廠，預期工廠將從低端45納米晶片做起。 具有45纳米制程的产品 英特爾Core 2(僅限Penryn…
单片系统
单片系统或片上系统（，縮寫：SoC）是一个将電腦或其他电子系统集成到单一芯片的集成电路。单片系统可以处理数字信号、模拟信号、混合信号甚至更高频率的信号。单片系统常常應用在嵌入式系统中。单片系统的集成规模很大，一般达到几百万门到几千万门。 尽管微控制器通常只有不到100kB的随机存取存储器，但是事实上它也是一台小電腦的結構，一种简易的、功能弱化的单芯片系统，而一般認知的“单片系统”这个术语常被用来指功能更加强大的处理器，这些处理器可以运行…
刻蚀
刻蚀（）是半导体器件制造中利用化学途径选择性地移除沉积层特定部分的工艺。刻蚀对于器件的电学性能十分重要。如果刻蚀过程中出现失误，将造成难以恢复的硅片报废，因此必须进行严格的工艺流程控制。半导体器件的每一层都会经历多个刻蚀步骤。 刻蚀一般分为电子束刻蚀和光刻，光刻对材料的平整度要求很高，因此，需要很高的清洁度。 但是，对于电子束刻蚀，由于电子的波长极短，因此分辨率与光刻相比要好的多。 因为不需要掩模板，因此对平整度的要求不高，但是电子束刻…
14纳米制程
14纳米制程是半导体制造制程的一个水準。最早的14纳米器件是由英特尔于2014年制造。在14纳米中，使用了多重图形曝光模式。 2014年9月，英特尔推出第一代14nm處理器，採用Broadwell微架構。 参考文献
10纳米制程
10纳米制程是半导体制造制程的一个水準。 歷史 三星電子與聯發科在2017年推出10纳米器件，三星電子的Exynos 9 Octa 8895與高通的Snapdragon 835是首批量產供貨的10nm晶片產品，於第一季問世。 蘋果公司於2017年尾發表的Apple A10X（第二代iPad Pro）和Apple A11（iPhone 8及iPhone X）均由台積電10nm FinFET製程生產。 英特尔於2018年推出了第一款10nm…