垂直腔面射型雷射器
發射器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，簡稱VCSEL，又譯垂直共振腔面射型雷射）是一種半導體，其雷射垂直於頂面射出，與一般用切開的獨立晶元製程，雷射由邊緣射出的邊射型雷射有所不同。 在製作的過程中，VCSEL比邊射型雷射多了許多優點。邊射型雷射需要在製作完成後才可進行測試。若一個邊射型雷射無法運作，不論是因為接觸不良或者是物質成長的品質不好，都會浪費製作過程與物質加工的處理時間。然而VCS…
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锑化铋
锑化铋（），又称铋锑合金（），化学式为Bi1−xSbx，为锑和铋组成的一系列化学计量比的二元合金。 其中Bi0.9Sb0.1是第一个实验观察到的三维拓扑绝缘体材料，即表面导电而内部绝缘的材料。 不同成分比的BiSb合金在低温下是一种超导体，其同时也具有半导体特性和热电性质。 锑化铋有时也描述为Bi2Sb2（见右表）。 合成 锑化铋晶体可通过在惰性气氛或真空条件下熔化锑和铋两种金属得到，并通过区域熔炼来减少杂质，提高纯度。在这种情况下，锑…
热载流子注入
热载流子注入（）是固态电子器件中发生一个现象，当电子或空穴获得足够的动能后，它们就能够突破势垒的约束。这里“热”这个术语是指用来对载流子密度进行建模的有效温度，而非器件本身的温度。由于载流子被束缚在金屬氧化物半導體場效電晶體的栅极电介质层中，晶体管的开关性能可以被永久地改变，热载流子注入是一种可能对半导体器件可靠性产生负面影响的机制。 熱載子效應的原理：當 MOSFET 的通道長 L 很小時，也就是 short-channel（短通道）…
爾利效應
爾利效應（），又译厄尔利效应或譯歐萊效應，也称基区宽度调制效应，是指當雙極性電晶體（BJT）的集电极－射極電壓VCE改變，基極－集电极耗尽宽度WB-C（耗尽区大小）也會跟著改變。此變化稱為爾利效應，由詹姆斯·M·厄利（James M. Early）所發現。 现象 右图中的有效中性基区为绿色，基区相邻的耗尽区为画有阴影的淡绿色，中性发射区和集电区为深蓝色，集电区相邻的耗尽区为画有阴影的淡蓝色。从图1中可以看到，若集电极－基极反向偏置增大，…
表面电阻
表面电阻(sheet resistance，片電阻)，是具有均匀厚度薄片电阻的量度，通常被用作评估半导体掺杂的效果。使用这种概念的例子有：半导体的掺杂领域（比如硅或者多晶硅），以及被丝网印刷到厚膜混合微电路基底上的电阻。表面电阻的概念与體電阻(电阻)或者體電阻率(电阻率)相对，可直接用四端點測量技術测量法（也称为四点探针测量法）或范德堡法来测量。 表面电阻用欧姆每平方（\Omega/sq）来计量，可被应用于将薄片考虑为一个二维实体的二维…
电子迁移率
电子迁移率（）是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子，在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中，另一个类似的物理量称为空穴迁移率（）。人们常用载流子迁移率（）来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。 外部链接 [http://meroli.web.cern.ch/meroli/Lecture_lifetime.html The minority Carrier Lifetime in silicon wafer] [http:…
浮体效应
浮体效应（）是在SOI技术中实现的晶体管与体势（）相关的效应。晶体管在绝缘体层上形成一个电容。这个电容上聚集的电荷可能会产生负面效应，例如，开启结构上的寄生晶体管和关态泄漏电流（），造成更高的电流消耗，以防动态随机存取存储器丢失信息。它也造成历史效应（），即晶体管与之前状态阈值电压有关的效应。在模拟电路器件中，浮体效应被称作扭结效应（）。 相关条目 * SOI
施主 (半导体)
施主（）又稱施子、-{zh-cn:施体;zh-tw:施主}-、施主雜質，是N型半導體中所摻雜入的五價原子，如：磷、砷、銻。換句話說，本質半導體摻雜入施體元素後就會變成N型半導體。 相关条目 受主 (半导体) PN结
小注入
小注入（）是形成PN结的一种工作条件。在N型半导体中，当注入半导体材料的非平衡电子（通过光照注入、电注入等方法引入的两种载流子——电子、空穴总是成对出现）的浓度小于平衡时导带中电子的浓度时，我们称这种方法为小注入。对于P型半导体，则需要比较非平衡空穴与平衡时的空穴的浓度。在小注入的情况下，多数载流子的复合率为线性。 参考文献
刻蚀
刻蚀（）是半导体器件制造中利用化学途径选择性地移除沉积层特定部分的工艺。刻蚀对于器件的电学性能十分重要。如果刻蚀过程中出现失误，将造成难以恢复的硅片报废，因此必须进行严格的工艺流程控制。半导体器件的每一层都会经历多个刻蚀步骤。 刻蚀一般分为电子束刻蚀和光刻，光刻对材料的平整度要求很高，因此，需要很高的清洁度。 但是，对于电子束刻蚀，由于电子的波长极短，因此分辨率与光刻相比要好的多。 因为不需要掩模板，因此对平整度的要求不高，但是电子束刻…
导带
導帶（），又名傳導帶，是指半導體或是絕緣體材料中，一种電子所具有能量的範圍。這個能量的範圍高於價帶（valence band），而所有在導帶中的電子均可經由外在的電場加速而形成電流。 结构图，参阅电流和半导体关于能带理论的相关内容]] 延伸閱讀 半導體 能带理论 * 光觸媒
索烃
索烃是一类机械互锁分子，包含有两个或两个以上互锁的大环分子。除非环分子内部的共价键断裂，否则互锁的环不能够分开。索烃的英文名（Catenane）源自拉丁文的Catena，意思是“链”。索烃和其他机械互锁分子有着概念上的联系，例如：轮烷、分子扭结和分子博洛米尼结。最近，人们用机械键这样一个新的术语来描述索烃环之间的连接。 合成 合成索烃主要有两种方法。第一种方法是简单的关环反应，希望分子在环关闭的时候位于恰好的位置，形成索烃。这种方法也被…
异丁基锗烷
异丁基锗烷（IBGe，化学式：(CH3)2CHCH2GeH3）是一种有机锗化合物。它是一种无色不稳定的液体，用于有机金属化学气相沉积法。在张力硅的应用中，异丁基锗烷用于形成沉积的锗薄膜和含锗的半导体薄膜（例如锗化硅）。它还用于制备NAND Flash中的GeSbTe。 参考资料 拓展阅读 [https://web.archive.org/web/20060923050632/http://www.onr.navy.mil/sci_tec…
潮湿敏感等级
潮湿敏感等级（英語：Moisture sensitivity level，縮寫 MSL），與某些半导体器件的封装和操作规范相关。MSL是针对潮湿敏感设备能够暴露在室内环境的时长标准（第1级为30 °C/85%RH；其余等级为30 °C/60%RH）。 概述 随着半导体器件尺寸越来越小。诸如薄密间距和球栅阵列封装器件可能在表面安装技术再流焊工艺期间由于困在其中的湿气扩散而损坏。 内部潮气压力增大可能引发封装材料从裸晶或引脚架分层、焊线损伤…
能隙
帶隙（band gap）、帶溝，或稱能隙（energy gap）、能帶隙（energy band gap）、禁带-{}-宽度（width of forbidden band），在固態物理學中泛指半導體或絕緣體的價帶頂端至傳導帶底端的能量差距。 對一個本質半導體而言，其導電性與能隙的大小有關，只有獲得足夠能量的電子才能從價帶被激發，跨過能隙並躍遷至傳導帶。利用費米-狄拉克統計可以得到電子佔據某個能階E_0的機率。又假設E_0>>E_F，E…
磷化三铁
磷化三铁是铁的磷化物之一，化学式为Fe3P。它是一种灰色的六方针状晶体。 磷化三铁可由铁和磷在高温下的化合反应来制备。磷化三铁和湿气、酸反应，生成磷化氢（PH3），它是一种有毒、可自燃的气体。 磷化三铁是一种半导体。它已用于高功率、高频的应用，例如激光二极管。 参考资料
光登伯效应
光登伯效应（英语：photo-Dember effect)，半导体受飞秒激光激发后，发出带电的电磁輻射，这是由于极快电子-空穴对在很强载流子梯度而造成的。同时，由于电子和空穴的迁移率不同，破坏了表面的对称性，半导体表面附近形成垂直表面的电偶极矩（正极在下，负极在上）。这种效应，称为光登伯效应。它是美国物理学家于1931年发现的。 光登伯效应的主要应用之一是用来产生太赫兹脉冲輻射或太赫兹时间范畴谱仪。大多数半导体都具有光登伯效应，但在狭带…