高电子迁移率晶体管
]] 高电子迁移率晶体管（，縮寫：HEMT），也称调制掺杂场效应管（，縮寫：MODFET），是場效電晶體的一种，它使用两种具有不同能隙的材料形成异质结，为载流子提供通道，而不像金屬氧化物半導體場效電晶體那样，直接使用掺杂的半导体而不是结来形成导电沟道。砷化镓、砷镓铝三元化合物半导体是构成这种器件的可选材料，当然根据具体的应用场合，可以有其他多种组合。例如，含铟的器件普遍表现出更好的高频性能，而近年来发展的氮化镓高电子迁移率晶体管则凭借其…
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自由电子激光器
的自由电子激光器。 ]] 自由电子激光器（FEL），所产生激光束其光学性质与传统激光器一样，具有高度相干、高能量的特点，不同之處在于其产生原理。一般激光產生方法是用特定物質激發至激發態以作为激光介质，其激光产生是把原本处于激發態的原子或分子激发以產生激光；有別於一般激光，FEL的光來自同步辐射光源，其原理是利用聚頻磁鐵 (undulator)或增頻磁鐵 (wiggler)的磁場把高速前進的電子束多次改變方向，從而把電子的動能轉為光子。在…
太赫輻射
from space to the summit of Mauna Kea, assuming a precipitable water vapor level of 0.001 mm (simulated). The downward spikes in the graph correspond to strong absorption lines due to various absorbances of different atm…
量子级联激光器
量子级联激光器（Quantum Cascade Laser, 缩写： ＱＣＬ）是一种能够发射光谱在中红外（Midwave Infrared）和远红外频段激光的半导体激光器。它是由贝尔实验室哲罗姆·菲斯特、费德里科·卡帕索等人于1994年率先实现。 通常的半导体激光器是发光的机制是导带和价带中的电子空穴对在复合过程中发出光子，而量子级联激光器的原理则是，在多层半导体形成的周期性量子阱超晶格结构中，利用其子能带之间的电子跃迁发光，这个想法首…
碲化鋅鎘
碲化鎘鋅 （）（CdZnTe）或CZT是鎘、鋅和碲的化合物，或者更嚴格地說，是碲化鎘和碲化鋅的合金。 它是一種直接帶隙半導體，可用於多種應用，包括、光折變光柵、、太陽能電池以及太赫茲產生和檢測。 帶隙約為 1.4 至 2.2 eV，具體取決於成分。 特徵 Spot四足機器人上，用於切尔诺贝利隔离区的輻射測繪.]] 使用碲化鎘鋅 (CZT) 的輻射探測器可以在室溫下以直接轉換（或光電導）模式運行，這與一些需要冷卻的其他材料（特別是鍺）不同…
光电整流
震盪的力（光的電場）從一側推到另一側。但因為此電子位於一非諧位能（黑色曲線）中，他的運動並非正弦震盪。三根箭頭表示該運動的傅立葉展開：藍色箭頭對應於線性電極化率，綠色箭頭對應於倍頻效應，紅色箭頭對應光學整流。（電子在沒有受到外力震盪時，會靜止在位能最低點，但在有受到外力震盪時，它的平均位置會在靜止位置的右側，紅色箭頭標示出了該偏移程度。）]] 分別在無外加電場（上排）與光波造成的正弦震盪電場（下排）中之示意圖。模糊代表了離子的震動。紅色…
耿氏二极管
效应。]] ，或称转移电子器件（）是一种在高频率电子学中应用的二极管形式。与一般的二极管同时具有N型区和P型区不同，它只由N型杂质半导体材料组成。耿氏二极管具有三个区域：两端是N型重掺杂区，介于二者中间的是一层轻掺杂的薄层。当电压施加在耿氏二极管的两端时，中央薄层处的电梯度（electrical gradients，類似电化学梯度）最大。由于在导体材料中，电流与电压成正比，导电性将会产生。最终，中央薄层处会产生较高的电场值，从而得到较高…
异质结双极性晶体管
异质结双极性晶体管（，縮寫：HBT）是双极性晶体管的一种，它的发射区和基区使用了不同的半导体材料，这样，发射结（即发射区和基区之间的PN结）就形成了一个异质结。异质结双极性晶体管比一般的双极性晶体管具有更好的高频信号特性和基区发射效率，可以在高达数百GHz的信号下工作。它在现代的高速电路、射频系统和移动电话中应用广泛。对异质结双极型晶体管的研究始于1951年。 相关条目 异质结 双极性晶体管 参考文献 外部链接 [http://www.…
太赫兹无损检测
太赫兹无损检测（Terahertz nondestructive evaluation），是一種應用太赫波域电磁辐射设备進行檢測、分析及评估的技術。这些装置和技术可用來评估材料、元件或系统的性质，而不会對它們造成损伤。 太赫兹成像是一種新兴和受到重視的无损检测技术。在制药、生物医学、安全、材料科學及航空航天等行业裡，用于电介质（不导通，即绝缘体）材料分析和质量控制。它已經被證實可以有效檢查顏料與被覆的分層 、偵測陶磁與複合材料的缺陷 ，…
碲化锌
碲化锌是一种无机化合物，化学式为ZnTe。它是一种半导体材料，能隙2.23–2.25eV。 制备 碲化锌的制备方法和硒化锌类似，有干法和湿法两种。干法是将单质碲和锌在氢气气氛中加热（如果在空气中反应，则会氧化），产物升华，得到红棕色的碲化锌： : Zn + Te → ZnTe 湿法是用碲化钠和乙酸锌在水溶液中反应，产物是黄棕色的水合物沉淀： : Na2Te + Zn(CH3COO)2 → 2 CH3COONa + ZnTe（水合）↓ 化…
谐振隧穿二极管
。(左侧: 能带结构; Center: 透射系数; Right: 电流)]] 谐振隧穿二极管(Resonant tunneling diode, RTD)是利用电子在某些能级能够谐振隧穿而导通的二极管。其电流电压特性常显示出负阻特性。 简介 所有的隧道二极管(Tunnel diode)都是利用量子穿隧效應工作的。它们大多具有负阻的电流电压特性,用于高速电子器件，因为隧穿薄层的时间很短，比如振荡器。最高工作频率可达THz. 谐振隧穿二极管…
光登伯效应
光登伯效应（英语：photo-Dember effect)，半导体受飞秒激光激发后，发出带电的电磁輻射，这是由于极快电子-空穴对在很强载流子梯度而造成的。同时，由于电子和空穴的迁移率不同，破坏了表面的对称性，半导体表面附近形成垂直表面的电偶极矩（正极在下，负极在上）。这种效应，称为光登伯效应。它是美国物理学家于1931年发现的。 光登伯效应的主要应用之一是用来产生太赫兹脉冲輻射或太赫兹时间范畴谱仪。大多数半导体都具有光登伯效应，但在狭带…