崩越二极管
分布与电场（虚线表示理想化曲线）]] 崩越二极管，又称碰撞雪崩渡越时间二极管（IMPATT-Diode）是一种用于产生高频的特殊二極體。其名称源自英语（碰撞电离雪崩渡越时间二极管），在德语中被称为雪崩渡越时间二极管（Lawinen-Laufzeit-Diode，LLD）。 崩越二极管族的主要代表包括里德二极管、单侧突变pn结、双侧双漂移二极管、高-低（hi-lo）及低-高-低（lo-hi-lo）二极管以及PIN型二极管。其他渡越时间二极…
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俘越二极管
俘越二极管（trapped plasma avalanche-triggered transit diode，TRAPATT）是微电子学中的一种射頻半导体电子元件，归类为二極體。该器件具有高功率与高能量轉換效率。目前通过将五个二极管串聯，可在1.1 GHz频率下产生1.2 kW的脉冲功率，而在0.6 GHz时可达到75%的最高效率。该二极管的工作原理与崩越二极管有显著差异。其内部具有p+-p-n+结构。 文献
双越二极管
双越二极管（双速渡越时间二极管，double velocity transit-time diode，DOVETT-Diode）属于微电子学领域的高频半导体电子元件，是二極體的一种。其相关器件为势越二极管。两者的唯一区别在于：双越二极管内部的载流子在注入极附近的速度显著低于其在集电极附近的速度。 文献
势越二极管
势越二极管（BARITT-diode，barrier injection transit-time diode，势垒注入渡越时间二极管）是一种微电子领域的高频半导体电子元件，属于二極體的一种。其相关元件包括。势越二极管利用少数载流子的注入与渡越时间特性，在微波频段产生负阻效应。少数载流子由正向偏置的边界层注入，该过程不发生雪崩击穿。因此，其相位移与输出功率均显著低于崩越二极管（IMPATT-diode）。 基于硅工艺的势越二极管生产持续…
PN结二极管
PN结二极管（p–n diode）是一种基于pn结的半导体二極體。该二极管仅允许电流单向导通，通过将P型半导体层与N型半导体层结合而成。半导体二极管具有多种用途，包括将交流電整流为直流电、无线电信号检波以及光发射与探测。 图中展示了PN结半导体二极管常见的两种可能结构，两者均旨在提高器件在反向偏压下的耐压能力。上方结构采用台面（）设计，以避免P+区与相邻N层接触边缘出现剧烈曲率。下方结构在P+层尖角边缘引入轻掺杂的P-保护环（），以使电…
瞬态电压抑制二极管
瞬态电压抑制二极管也稱為TVS二极管，是一種保護用的電子零件，可以保護電器設備不受導線引入的電壓突波破壞。市面上有一些集成了一个或多个TVS的保护IC。 特性 TVS二极管會和要保護的電路並聯。當其電壓超過突崩潰準位時，直接分流過多的電流。TVS二极管是，會抑制超過其崩潰電壓的過高電壓。當過電壓消失時，TVS二极管會自動復歸，而其吸收的能量比類似額定的要大很多。 TVS二极管有單向的及雙向的。單向的TVS二极管在順向操作時類似整流器，但…
發光二極管
泡，有铝製散热器，圆顶，E27螺口的基座，内置市电變壓器。]] 的LED資訊顯示牌]] ]] 發光二極體（，LED）是一种半导体光源，当电流通过它时会发光；即一种电致发光的半導體電子元件，其内电子与电子空穴复合，以光子的形式释放能量。 发光二極體结构的核心部分是p-n结，周边部分有环氧树脂密封其引线与框架以保护内部芯线。当p-n结通以正向电流时，能发射可见或非可见辐射，此辐射为透過三價與五價元素所組成複合光源。 發光二極管只能夠往一個方…
雪崩光電二極管
雪崩光电二极管(APD)(又稱累崩光電二極體或崩潰光二极体)是一种半导体光检测器，其原理类似于光电倍增管。在加上一个较高的反向偏置电压后（在硅材料中一般为100-200 V），利用电离碰撞（雪崩击穿）效应，可在APD中获得一个大约100的内部电流增益。某些硅APD采用了不同于传统APD的掺杂等技术，允许加上更高的电压(>1500 V)而不致击穿，从而可获得更大的增益(>1000)。一般来说，反向电压越高，增益就越大。APD倍增因子M的计…
二極體
端会有色带标示，也就是说电流会从这里流出。]] 二極體{{Notetag |，中国大陆作-{zh-cn:二极管;zh-tw:二極管}-，台湾作-{zh-tw:二極體;zh-cn:二极体}-或-{zh-tw:二極管;zh-cn:二极管}- }}（）又称-{zh-cn:二极体;zh-tw:二極管}-，是一种具有不对称电导的两个端子（阴阳二极接线端，故名「二極」）的电子元件；此二极使其原则上仅允许电流作单方向传导，它在一个方向为低电阻（理想情…
齊納二極體
；當電流約為1毫安培時，電壓為約為0.65伏特。]] 稽納二極體（），是利用二极管在反向偏置運作下的齊納效應制成的一种电子元件元件。由於具有稳定电压功能，因此又称为“稳压二極體”（）。 齐纳二極體的名稱是取自美國理論物理學家克拉倫斯·梅爾文·齐纳，他首先闡述了絕緣體的電擊穿特性，後來貝爾實驗室運用這項發現，開發出此種二極體，並以齐纳作為命名以茲紀念。 基本原理 一般二極體正向導通時電壓可維持在0.7V，可提供穩定的電壓，但如果我們需要更…
幾何二極體
幾何二極體（）是利用不對稱的幾何結構以及準彈道/彈道輸運方式實現二極體特性。幾何二極體由於不依賴空乏區或電位勢壘來達成單向導通特性，而在所有的二極體中獨樹一幟。 製造 以的平面模型來描述，幾何二極體的構造是將一連續材料做成漏斗般的不對稱造型，漏斗口和較寬敞的通道連接，而漏斗口的長度必須要近似於該材料中電荷載子的平均自由程（，MFP）。室溫下，載子的MFP短至數奈米（金屬材料），長可達數十或數百奈米（半導體材料），在某些系統中甚至可以大於…
肖特基二极管
肖特基二極體（），又譯-{zh-cn:萧;zh-tw:肖}-特基二極體，是一種導通電壓降較低、允許高速切換的二極體，是利用蕭特基能障特性而產生的電子元件，其名稱是為了紀念德國物理學家華特·蕭特基（Walter H. Schottky）。 肖特基二极體的導通電壓非常低。一般的二極體在電流流過時，會產生約 0.7-1.7 伏特的電壓降，不過肖特基二極體的電壓降只有 0.15-0.45 伏特，因此可以提昇系統的效率。 結構 肖特基二極體是利用…
肖克利二極體
肖克利二極體（)，是一個四層半導體二極體，首批被發明的半導體元件之一；以其發明者物理學家威廉·肖克利名字命名。他是一個"PNPN"二極體。等效於沒有連接閘極的閘流體。 小信號肖克利二極體已不再生產，但是單向閘流體導通二極體，也就是反向開關二極體(dynistor)，使用於大電流電源裝置上的高速開關。 參考來源 ;引用 ;書目 外部連結 [http://www.beigebag.com/case_shockley.htm Shockley…
续流二极管
续流二极管（），有時也稱為飛輪二極體（）或是snubber二極體，是一種配合電感性負載使用的二極體，當電感性負載的電流有突然的變化或減少時，電感二端會產生，可能會破壞其他元件。配合续流二极管時，其電流可以較平緩的變化，避免突波電壓的發生。
耿氏二极管
效应。]] ，或称转移电子器件（）是一种在高频率电子学中应用的二极管形式。与一般的二极管同时具有N型区和P型区不同，它只由N型杂质半导体材料组成。耿氏二极管具有三个区域：两端是N型重掺杂区，介于二者中间的是一层轻掺杂的薄层。当电压施加在耿氏二极管的两端时，中央薄层处的电梯度（electrical gradients，類似电化学梯度）最大。由于在导体材料中，电流与电压成正比，导电性将会产生。最终，中央薄层处会产生较高的电场值，从而得到较高…
光电二极管
光电二极管（）是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。常见的传统太阳能电池就是通过大面积的光电二极管来产生电能。 光电二极管与常规的半导体二极管基本相似，只是光电二极管可以直接暴露在光源附近或通过透明小窗、光导纤维封装，来允许光到达这种器件的光敏感区域来检测光信号。许多用来设计光电二极管的二极管使用了一个PIN接面，而不是一般的PN接面，来增加器件对信号的响应速度。光电二极管常常被设计为工作在反向偏置状态。 工作原…
雪崩二極管
雪崩二極管（avalanche diode）是設計在特定反向電壓下，會突崩潰的二極管，其材料會用矽或是其他半导体材料。雪崩二極管的接合面會經特別設計，避免電流集中及所產生高溫熱點，因此在崩潰時不會破壞二極管。突崩潰是因為少數載子加速到足以使晶格電離的程度，因此產生更多的載子，也造成更進一步的電離。因為突崩潰是在接面上均勻發生的，相較於非雪崩的二極管，雪崩二極管的崩潰電壓不會隨電流而變化，大致呈一定值。 稽納二極體除了齊納崩潰外，也會有類…
激光二極管
激光二極管(LD)是一種激光產生器，其工作物質是半導體，屬於固體激光產生器，大部份激光二極管在结构上與一般二極管相似。由於激光二極管的運作中，電子的能量轉變過程只涉及兩個能階，沒有間接能隙}-造成的能量損失，所以效率相對高。能發光的半導體電子元件，透過三價與五價元素所組成的複合光源。此種電子元件早在1962年出現，早期只能夠發出低光度的紅光，被惠普買下專利後當作指示燈利用。及後發展出其他單色光的版本，時至今日，能夠發出的光已經遍及可見光…
半導體收音機
半导体收音机是用半导体二极管和半导体三极管制成的收音機。 优点 半导体收音机相比电子管收音机，具有下列优点 ： #小巧玲珑：由于半导体管的体积比电子管小得多，在很低的直流电压下就能正常地工作，因此，半导体收音机可以选用微型电器元件，缩小收音机的体积 #省电：电子管需要消耗大量的电能烧热灯丝，而半导体管没有灯丝，所以不需要消耗电能，只要两三伏特或更低一些的电压就可以工作了 #工作时间长：半导体收音机中没有发热元件（电子管收音机中的变压器和…
半导体激光
半导体激光（Semiconductor laser）在1962年被成功激发，在1970年实现室温下连续发射。后来经过改良，开发出双异质接合型激光及条纹型构造的激光二极管（Laser diode）等，广泛使用于光纤通信、光盘、激光打印机、激光扫描器、激光指示器（激光笔），是目前生产量最大的激光器。 在基本构造上，它属于半导体的P-N接面，但激光二极管是以金属包层从两边夹住发光层（活性层），是“双异质接合构造”。而且在激光二极管中，将界面作…