俘越二极管（trapped plasma avalanche-triggered transit diode，TRAPATT）是微电子学中的一种射頻半导体电子元件，归类为二極體。该器件具有高功率与高能量轉換效率。目前通过将五个二极管串聯，可在1.1 GHz频率下产生1.2 kW的脉冲功率，而在0.6 GHz时可达到75%的最高效率。该二极管的工作原理与崩越二极管有显著差异。其内部具有p+-p-n+结构。
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俘越二极管（trapped plasma avalanche-triggered transit diode，TRAPATT）是微电子学中的一种射頻半导体电子元件，归类为二極體。该器件具有高功率与高能量轉換效率。目前通过将五个二极管串聯，可在1.1 GHz频率下产生1.2 kW的脉冲功率，而在0.6 GHz时可达到75%的最高效率。该二极管的工作原理与崩越二极管有显著差异。其内部具有p+-p-n+结构。
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