高电子迁移率晶体管
]] 高电子迁移率晶体管（，縮寫：HEMT），也称调制掺杂场效应管（，縮寫：MODFET），是場效電晶體的一种，它使用两种具有不同能隙的材料形成异质结，为载流子提供通道，而不像金屬氧化物半導體場效電晶體那样，直接使用掺杂的半导体而不是结来形成导电沟道。砷化镓、砷镓铝三元化合物半导体是构成这种器件的可选材料，当然根据具体的应用场合，可以有其他多种组合。例如，含铟的器件普遍表现出更好的高频性能，而近年来发展的氮化镓高电子迁移率晶体管则凭借其…
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双极性晶体管
双极性電晶體（），或稱雙載子接面電晶體，全称双极性结型晶体管（，縮寫：），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义的一项发明，其发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布喇顿被授予1956年的诺贝尔物理学奖。 这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也稱雙極性載子電晶體。这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作…
光学晶体管
光学晶体管（），又称为光学开关或光阀门，是切换或放大光学信号的装置。在光学晶体管输入端出现的光会改变晶体管输出端的光的强度，而且输出功率会由附加光源提供。由于输入信号的强度可能比附加光源的强度弱，因此光学晶体管把光学信号放大。电子晶体管构成了现代电子设备的基础，而光学晶体管就是为了模拟它。光学晶体管提供仅使用光来控制光的手段，并且在光学计算和光纤通信网络中具有应用。这种技术有望超越电子设备的速度，同时降低功耗。 由于光子本身不会互相作用…
鰭式場效電晶體
鰭式場效電晶體（，簡稱：），是一种新的互補式金屬氧化物半導體（CMOS）場效電晶體，通过栅将极放置在导电沟道的两侧、三侧或四侧或环绕沟道（栅极四周），形成双栅极或多栅极结构，以改善电路对导体 的控制，并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。FinFET是一种立体的场效应管，屬於多閘極電晶體。这些器件之所以称为“鰭”式，因为其源漏区域在硅表面形成了鳍片。与平面CMOS技术相比，FinFET器件表现出显著更快的和更高的电流密度，从而提升了性能和功耗…
离子敏感场效应晶体管
离子敏感型场效应晶体管，又称ISFET （ ），是用于测量溶液中离子浓度的场效应晶体管 。当离子浓度（例如H+ ，参见pH值 ）变化时，流经晶体管的电流也会相应变化。 在这里，溶液被用作栅极。 基板和氧化物表面之间的电压由于离子层而产生。 它与MOSFET具有相同的基本结构，是一种特殊类型的MOSFET （金属氧化物半导体场效应晶体管） ，但金属栅极被离子敏感膜 ， 电解质溶液和参比电极代替。 ISFET于1970年发明，是第一款生物传…
金屬氧化物半導體場效電晶體
氧化金屬橫向電場效應電晶體（，縮寫：，簡稱金氧半場效電晶體），是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為电子占多数的N通道型與空穴占多数的P通道型，通常被稱為N型金氧半場效電晶體（nMOSFET或NMOS）與P型金氧半場效電晶體（pMOSFET或PMOS）。 以金氧半場效電晶體（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字「metal（金…
化学敏感场效应晶体管
化学敏感场效应晶体管（Chemical field-effect transistor，chemically-sensitive field-effect transistor，ChemFET）是一种在溶液中作为传感器测量化学浓度的场效应晶体管。当目标浓度发生变化时，流经晶体管的电流会随之改变。在此类器件中，分析物溶液将源极与栅极隔开。由于FET表面覆盖有含受体部分的半透膜，这些受体能够优先结合目标分析物，从而在溶液与栅极之间产生浓度梯…
场效应管
场效应管（，缩写：FET）為電晶體的一種，是一种通过电场效应控制电流的电子元件。场效应晶体管分为两种类型：结型场效应晶体管（JFET）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。FET具有三个端子：源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。通过在栅极施加电压，可以改变源极与漏极之间的电导率，从而控制电流。 FET依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。由于仅使用单一载流子类型…
真空通道晶體管
真空通道晶體管（）是一种使用真空管原理的晶体管。在传统的固态晶体管中，半导体沟道存在于源极和漏极之间，并且电流流过半导体。然而，在真空沟道晶体管中，在源极和漏极之间不存在任何材料，因此，电流流过真空。 概要 在集成电路中使用的常规场效应晶体管中，由于随着小型化的进行栅绝缘膜的变薄，漏電流相对增加。 此外，由于硅的电子迁移率的限制，加速也受到限制。 当在外太空中使用时，还存在抗辐射的问题。 为了解决这些问题已经进行了各种研究和开发，其中之…
单电子晶体管
单电子晶体管（single-electron transistor）在1987年由贝尔实验室的Fulton等人首次制成。 典型的单电子晶体管如图示。量子点和外界被两个电容器和两个隧道结隔开。 库仑菱形是这种电路具备的独特性质。而单电子充电效应是库仑菱形的起因。 参考文献
浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管
浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管（Floating-gate MOSFET，简称浮栅MOSFET或FGMOS）是一种场效应晶体管，其结构类似传统的金属氧化物场效应晶体管（MOSFET） 。FGMOS的栅极是电绝缘的，从而在直流电中产生浮动节点。在浮栅（floating gate）上方以沉积方式构造多个次级栅极或输入电极，与浮栅绝缘。这些输入与浮栅仅有电容耦合连接。由于浮栅完全被高电阻材料包围，因此其中包含的电荷量会长时间保持不变。通常使…
薄膜電晶體
薄膜電晶體（，缩写：TFT）是場效電晶體的種類之一，大略的製作方式是在基板上沉積各種不同的薄膜，如半導體主動層、介電質和金屬電極層。 TFT是在基板（如是應用在液晶顯示器，則基板大多使用玻璃）上沉積一層薄膜當做通道區。 大部份的TFT是使用氫化非晶矽（a-Si:H）當主要材料，因為它的能階小於單晶矽（Eg = 1.12eV），也因為使用a-Si:H當主要材料，所以TFT大多不是透明的。另外，TFT常在介電、電極及內部接線使用銦錫氧化物（…
多閘極電晶體
多閘極電晶體（）是指集合了多個閘極於一體的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）。它可以用一個電極來同時控制多个閘極，亦可用多個電極單獨控制各閘極。後者有時又被叫做Multiple Independent Gate Field Effect Transistor（MIGFET）。多閘極電晶體被提出為的是克服半導體工業裡摩爾定律（Moore's law）發展至今體積的縮小已經到達物理極限的難題。 相當多的公司和機構已經在積極發展多閘極…
异质结双极性晶体管
异质结双极性晶体管（，縮寫：HBT）是双极性晶体管的一种，它的发射区和基区使用了不同的半导体材料，这样，发射结（即发射区和基区之间的PN结）就形成了一个异质结。异质结双极性晶体管比一般的双极性晶体管具有更好的高频信号特性和基区发射效率，可以在高达数百GHz的信号下工作。它在现代的高速电路、射频系统和移动电话中应用广泛。对异质结双极型晶体管的研究始于1951年。 相关条目 异质结 双极性晶体管 参考文献 外部链接 [http://www.…