单电子晶体管（single-electron transistor）在1987年由贝尔实验室的Fulton等人首次制成。
典型的单电子晶体管如图示。量子点和外界被两个电容器和两个隧道结隔开。
库仑菱形是这种电路具备的独特性质。而单电子充电效应是库仑菱形的起因。
参考文献
单电子晶体管（single-electron transistor）在1987年由贝尔实验室的Fulton等人首次制成。
典型的单电子晶体管如图示。量子点和外界被两个电容器和两个隧道结隔开。
库仑菱形是这种电路具备的独特性质。而单电子充电效应是库仑菱形的起因。
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