场效应管
场效应管(,缩写:FET)為電晶體的一種,是一种通过电场效应控制电流的电子元件。场效应晶体管分为两种类型:结型场效应晶体管(JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。FET具有三个端子:源极(source)、栅极(gate)和漏极(drain)。通过在栅极施加电压,可以改变源极与漏极之间的电导率,从而控制电流。 FET依靠电场去控制导电沟道形状,因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。由于仅使用单一载流子类型…
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场效应管(,缩写:FET)為電晶體的一種,是一种通过电场效应控制电流的电子元件。场效应晶体管分为两种类型:结型场效应晶体管(JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。FET具有三个端子:源极(source)、栅极(gate)和漏极(drain)。通过在栅极施加电压,可以改变源极与漏极之间的电导率,从而控制电流。 FET依靠电场去控制导电沟道形状,因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。由于仅使用单一载流子类型…
场效应管放大器()是一种使用场效应管()的放大器。在放大器应用中,场效应管的主要优点是它能提供非常高的输入阻抗以及低输出阻抗。