WiBro
WiBro（全稱為Wireless Broadband，韓語原文為：와이브로）是由韩国电子通信研究院發展的一個無線寬頻網際網路的技術，在2002年2月。韓國政府在2.3GHz的頻帶中保留了100MHz的頻寬。在2004年的稍後，韓國的TTA（Telecommunications Technology Association）將WiBro第一階段予以標準化。 WiBro基地台（Base Station，也稱：基站）提供了30Mbps—50…
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网吧
西區一家世界最早的网咖]] 網絡咖啡廳（或；簡稱-{zh-hans:网吧或网咖;zh-tw:網咖或網吧}-），是一种提供互联网连接服务的公共场所，絕大部分又有提供餐飲服務。世界上第一家网吧于 1994 年9月1日由 Eva Pascoe 在英國倫敦Whitfield Street创立。 . 在一些国家，网吧为那些没有电脑和上网条件的人们提供了一个经济、便捷的触网机会。在经济条件较好的国家，网吧更多是作为一种休闲娱乐场所，方便人们聚在一起…
人形機器人
人型機器人（），又稱人形機器人、仿生人，音譯安卓，是一種旨在模仿人類外觀和行為的機器人（robot），尤其特指具有和人類相似肌體的種類。 仿生人擬真的程度有很多，有些可以從外觀上識別，也沒有真人的思想和感情。反過來說亦有開發外觀不似人，但能夠有似真人行為的機器人，如2001年美國麻省理工學院研發了號稱世界上第一個有类似人類感情的機器人。 語源 Android一詞，源自希臘語詞根andro-（人、男性）和後綴-oid（形似的）兩者組合而來…
3納米制程
3奈米製程是半导体制造制程的一個水準，此技術必須使用極紫外光微影製程進行生產。甚至是高數值孔徑EUV。 3奈米的繼承者為2奈米。 歷史 國際裝置與系統發展路線圖（IRDS）在2017年曾預計3奈米製程將在2024年量產。 2017年9月29日，台積電宣布未來3奈米製程晶圓廠，落腳台灣台南市的南部科學工業園區，預計最快2022年量產。該公司於2020年第一季宣布3奈米製程將在2021年試產，並在2022下半年正式量產，其3奈米製程繼續採用…
娃娃菜
娃娃菜是对一类小型种黃心大白菜的统称，在中国、日本、韩国、台湾都有种植。娃娃菜菜质鲜嫩、清甜可口，大小为一般大白菜的1/4到1/5。由于娃娃菜在引入中国早期于云南通海县的海拔1500米高山地区种植，所以也叫高山娃娃菜。 品种 中国的娃娃菜最早是从韩国引进，。2006年，河南省农业科学院使用韩国的品种与日本的快熟品种杂交，产生出了中国产品种“夏秋美味”。2018年，云南使用两种韩国品种选育出了“CM15018”品种。 日本トキタ種苗和小林…
高頻寬記憶體
高頻寬記憶體（，縮寫），是韩国三星電子和SK海力士研發的3D堆疊技術的高效能DRAM，韩国两大晶片龍头联手拥有全世界95%以上的 HBM 产能，掌握AI时代最关键的供应命脉。第一款HBM内存芯片由SK海力士于2013年生产，首款使用高頻寬記憶體的裝置是AMD Radeon Fury系列顯示核心。 2013年10月，高頻寬記憶體正式被JEDEC采纳为业界标准。第二代高頻寬記憶體（HBM2）于2016年1月被JEDEC采纳。HBM適用於高記…
GDDR6
第六版圖形用雙倍資料傳輸率（Graphics Double Data Rate, version 6，簡稱GDDR6）是一種高頻寬的顯示記憶體標準，用於顯示卡、遊戲終端以及高效能運算上。 概略 預定GDDR6相比GDDR5X在相同或更少的資料用連接腳位的情況下有更高的頻寬，比GDDR5X更低的耗電。 SK Hynix在2017年4月宣布採用21奈米製程生產GDDR6記憶體晶片，而且其工作電壓比GDDR5的低10%（1.5/1.35V→1…
场效应管
场效应管（，缩写：FET）為電晶體的一種，是一种通过电场效应控制电流的电子元件。场效应晶体管分为两种类型：结型场效应晶体管（JFET）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。FET具有三个端子：源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。通过在栅极施加电压，可以改变源极与漏极之间的电导率，从而控制电流。 FET依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。由于仅使用单一载流子类型…
DDR SDRAM
双倍数据率同步動態隨機存取記憶體（，簡稱或），為具有雙倍數據速率的SDRAM，其資料傳輸速度為系統時脈的兩倍，由於速度增加，其傳輸效能優於傳統的SDRAM。 DDR SDRAM 在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输。 JEDEC固態技術協會为DDR存储器设立速度规範，并分为以下两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。 規格 SDRAM在一個時鐘周期内只传输一次資料，它是在时钟上升期進行資料传输；而DDR则是一個时钟周期内可传输…
GDDR5
第五版圖形用雙倍資料傳輸率記憶體（Graphics Double Data Rate, version 5，簡稱GDDR5），是一種高性能顯示卡使用的同步動態隨機存取記憶體，专为高带宽需求电脑应用所设计。由AMD、SK Hynix、三星電子、NVIDIA、JEDEC等聯合制定，取代GDDR3以及GDDR4顯示記憶體。 技術細節 GDDR5和GDDR4一樣基於DDR3 SDRAM改造而來，基本記憶體架構和DDR3相若，記憶體預取也是相同的…
加油棒
加油棒（）是一种窄长的塑料气球，充入空气用作互相敲击，可以制造“嘭——嘭——”的噪音，经常用于体育赛事的加油道具。 起源 加油棒的原型来自韩国的“气球棒”，是于1994年由BalloonStix Korea发明的产品，首先在LG雙子的棒球比赛中采用。 2002年世界大赛期间被洛杉磯天使的赞助商引进美国，并开始在北美广受欢迎，许多运动队的球迷都使用加油棒来表示他们的支持。 加油棒也在台湾职棒、菲律宾职篮、欧洲职业足球等世界各地的比赛中，被…
4DX
4DX是由韓國CJ 4DPLEX 有限公司在 2009 年開發的電影院體感技術，當中使用了一套動態技術，透過電影中不同的劇情，來觸發不同的模擬實感。 類似的系統還有由美國 Media Mation 公司所研發的MX4D。 普及性 截至2014年4月，全球24個國家僅有100家設有4DX配置的電影院。 2018年4月，全球設有此配置的突破500廳。 內容 座椅 設有震動功能 接受程式指令 配有上下升降、前後傾斜的效果 環境特效 4DX會受…
GDDR
GDDR是Graphics Double Data Rate的缩写，为显存的一种，GDDR是为了设计高端显卡而特别设计的高性能DDR存储器规格，其有專屬的工作頻率、時脈、電壓，因此與市面上標準的DDR記憶體有所差異，与普通DDR内存不同且不能共用。一般它比主内存中使用的普通DDR存储器时钟频率更高，发热量更小，所以更适合搭配高端显示芯片，一般来说，GDDR的带宽相比DDR会更大，但是读写延迟会高于DDR。 發展历史 当应用程序越来越多要…
橫向電場效應顯示技術
橫向電場效應顯示技術（，簡稱：，縮寫：IPS）是一种用于液晶显示器(LCD)的萤幕技术，被廣泛的使用在液晶電視及平板電腦的製造上，IPS是當今液晶技術的主流，能有效改善當視角差時，在TN螢幕上出現的色差及其他問題。 原理和特點 IPS型與TN型都是使用TN液晶，兩者不同的特徵是施加於液晶分子的電場不同： 跟TN液晶及VA液晶上下平行配置兩塊導電板的方式不同，IPS液晶的電極和液晶處於一個平面（即電場平行於液晶平面）。開路狀態光線無法…
栅氧化层
栅氧化层（），是用来把CMOS栅极与下方源极、漏极以及源漏极间导电沟道隔离开来的氧化介质层（如右图）。通过将沟道上方的硅氧化为二氧化硅，栅氧化层得以形成，其厚度大约为5到200纳米，这层物质为绝缘体。栅氧化层上方为导电的栅极材料。栅氧化层充当了介质层，使得栅极能够维持1到5毫伏每立方米的纵向电场，这个电场可以用来控制下方沟道的导通和关断。 参考文献 *
场效应管放大器
场效应管放大器（）是一种使用场效应管（）的放大器。在放大器应用中，场效应管的主要优点是它能提供非常高的输入阻抗以及低输出阻抗。
SDRAM
同步動態隨機存取記憶體（），簡稱SDRAM，是一種利用同步計時器對記憶體的輸出入信號加以控制的動態隨機存取記憶體（DRAM）。SDRAM是在DRAM的架構基礎上增加同步和雙區域（Dual Bank）的功能，使得微處理器能與SDRAM的時脈同步，所以SDRAM執行命令和傳輸資料時相較於DRAM可以節省更多時間。 SDRAM在计算机中被广泛使用，从起初的SDRAM到之后一代的DDR（或称DDR1），然后是DDR2和DDR3进入大众市场，20…
DDR2 SDRAM
第二代双倍数据率同步動態隨機存取記憶體（，一般稱為），是一種電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品，提供相較於DDR SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，是DDR SDRAM（双倍数据率同步動態隨機存取記憶體）的後繼者。 JEDEC设立DDR存储器的速度規範，分为两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。 概述 像所有的SDRAM实现方法一样，DDR2 SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和…
GDDR4
GDDR4 (Graphics Double Data Rate 4)是一款顯示卡專用記憶體，由JEDEC制定。GDDR4基於DDR3，用來取代基於DDR2的GDDR3。 GDDR4推出一年便被GDDR5取代了。只有ATi曾經推出採用GDDR4的顯示卡，其他廠商均由GDDR3直接跳到GDDR5。 技術 使用数据总线转位技术 (Data Bus Inversion) 预取由4位元增加到8位元 (跟DDR3相同) 參考文獻
14纳米制程
14纳米制程是半导体制造制程的一个水準。最早的14纳米器件是由英特尔于2014年制造。在14纳米中，使用了多重图形曝光模式。 2014年9月，英特尔推出第一代14nm處理器，採用Broadwell微架構。 参考文献