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DDR4 SDRAM

第四代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體(,簡稱為),是一種高頻寬的電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品,是自1970年DRAM開始使用以來取代舊有的記憶體規格。 DDR4-SDRAM提供比DDR3/DDR2-SDRAM更低的供電電壓以及更高的頻寬,但由於電壓標準、物理接口等諸多設計與DDR3-SDRAM等的不一致,因此DDR4-SDRAM與前代DDR3/DDR2/DDR等一樣,不會向下相容。現時,超微和英特爾兩大x86處理器…

移动DDR

-{zh-cn:移动DDR; zh-hk:流動DDR; zh-tw:LPDDR;}-(英語:-{zh-cn:Mobile DDR; zh-hk:Mobile DDR; zh-tw:Low Power DDR;}-,也称MDDR、-{zh-cn:Low Power DDR或LPDDR; zh-hk:Low Power DDR或LPDDR; zh-tw:行動DDR或Mobile DDR;}-)是DDR SDRAM的一種,專門用於行動式電子產…

高頻寬記憶體

高頻寬記憶體(,縮寫),是韩国三星電子和SK海力士研發的3D堆疊技術的高效能DRAM,韩国两大晶片龍头联手拥有全世界95%以上的 HBM 产能,掌握AI时代最关键的供应命脉。第一款HBM内存芯片由SK海力士于2013年生产,首款使用高頻寬記憶體的裝置是AMD Radeon Fury系列顯示核心。 2013年10月,高頻寬記憶體正式被JEDEC采纳为业界标准。第二代高頻寬記憶體(HBM2)于2016年1月被JEDEC采纳。HBM適用於高記…

GDDR6

第六版圖形用雙倍資料傳輸率(Graphics Double Data Rate, version 6,簡稱GDDR6)是一種高頻寬的顯示記憶體標準,用於顯示卡、遊戲終端以及高效能運算上。 概略 預定GDDR6相比GDDR5X在相同或更少的資料用連接腳位的情況下有更高的頻寬,比GDDR5X更低的耗電。 SK Hynix在2017年4月宣布採用21奈米製程生產GDDR6記憶體晶片,而且其工作電壓比GDDR5的低10%(1.5/1.35V→1…

DDR SDRAM

双倍数据率同步動態隨機存取記憶體(,簡稱或),為具有雙倍數據速率的SDRAM,其資料傳輸速度為系統時脈的兩倍,由於速度增加,其傳輸效能優於傳統的SDRAM。 DDR SDRAM 在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输。 JEDEC固態技術協會为DDR存储器设立速度规範,并分为以下两个部分:按内存芯片分类和按内存模块分类。 規格 SDRAM在一個時鐘周期内只传输一次資料,它是在时钟上升期進行資料传输;而DDR则是一個时钟周期内可传输…

DDR5 SDRAM

第五代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體(,縮寫DDR5 SDRAM)是一種高頻寬電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品。 据英特爾公司Geof Findley稱,JEDEC計畫在2016年發佈DDR5 SDRAM規範,該種記憶體將在2020年向終端使用者提供。截至2017年2月,JEDEC部分規範信息已經公开。而2017年4月的新聞顯示,JEDEC宣布將在當年6月公布更多信息,DDR5設計規範將於次年出爐。 2018年11月,…

GDDR5

第五版圖形用雙倍資料傳輸率記憶體(Graphics Double Data Rate, version 5,簡稱GDDR5),是一種高性能顯示卡使用的同步動態隨機存取記憶體,专为高带宽需求电脑应用所设计。由AMD、SK Hynix、三星電子、NVIDIA、JEDEC等聯合制定,取代GDDR3以及GDDR4顯示記憶體。 技術細節 GDDR5和GDDR4一樣基於DDR3 SDRAM改造而來,基本記憶體架構和DDR3相若,記憶體預取也是相同的…

SDRAM

同步動態隨機存取記憶體(),簡稱SDRAM,是一種利用同步計時器對記憶體的輸出入信號加以控制的動態隨機存取記憶體(DRAM)。SDRAM是在DRAM的架構基礎上增加同步和雙區域(Dual Bank)的功能,使得微處理器能與SDRAM的時脈同步,所以SDRAM執行命令和傳輸資料時相較於DRAM可以節省更多時間。 SDRAM在计算机中被广泛使用,从起初的SDRAM到之后一代的DDR(或称DDR1),然后是DDR2和DDR3进入大众市场,20…

DDR2 SDRAM

第二代双倍数据率同步動態隨機存取記憶體(,一般稱為),是一種電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品,提供相較於DDR SDRAM更高的運行效能與更低的電壓,是DDR SDRAM(双倍数据率同步動態隨機存取記憶體)的後繼者。 JEDEC设立DDR存储器的速度規範,分为两个部分:按内存芯片分类和按内存模块分类。 概述 像所有的SDRAM实现方法一样,DDR2 SDRAM有一个同步接口,在响应控制输入前会等待一个时钟信号,这样就能和…

GDDR3

GDDR3 (Graphics Double Data Rate 3)是一款顯示卡專用記憶體,由ATi及JEDEC合作設計。GDDR3與DDR3並無任何關係。 GDDR3的不少技術都是基於DDR2,但耗電及發熱較少,同時效能較高。GDDR3介面會於每個週期內傳送兩組32位元數據。 優勢 相比DDR2 (Double Data Rate 2) GDDR3電壓較低,耗電及發熱較少 GDDR3頻率較高,吞吐量大,但延遲值較高 (這對GPU影響…

GDDR4

GDDR4 (Graphics Double Data Rate 4)是一款顯示卡專用記憶體,由JEDEC制定。GDDR4基於DDR3,用來取代基於DDR2的GDDR3。 GDDR4推出一年便被GDDR5取代了。只有ATi曾經推出採用GDDR4的顯示卡,其他廠商均由GDDR3直接跳到GDDR5。 技術 使用数据总线转位技术 (Data Bus Inversion) 预取由4位元增加到8位元 (跟DDR3相同) 參考文獻

GDDR7

GDDR7是JEDEC制定的一种GDDR以及SDRAM標準,具有高带宽、双倍数据速率接口,主要用於显示卡、電子遊戲機領域。它是GDDR6的下一代標準。 历史 2022年,三星集团宣布未來GDDR7将取代GDDR6X ,GDDR7可提供高达 36GT/s 的傳輸速度。 2023年7月18日,三星宣布推出第一代GDDR7產品,其带宽比GDDR6(1.1TB/s)高40%(1.5TB/s),能效提高20%。 2024年3月5日,JEDEC发布…

DDR3 SDRAM

第三代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體(,一般稱為),是一種電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品,提供相較於DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(四倍資料率同步動態隨機存取記憶體)的後繼者(增加至八倍)。 DDR3 SDRAM技術概論 DDR3 SDRAM為了更省電、傳輸效率更快,使用SSTL 15的I/O介面,運作I/O電壓是1.5V,採用CSP、FBGA封裝方式包裝,除了延續DDR2 S…

快速周期DRAM

FCRAM(快速循环随机存储器)是一种由富士通和东芝共同开发的内存技术。它是一种同步动态随机存取存储器(SDRAM),旨在提供比传统SDRAM更快的数据访问速度。 技术细节 与传统的SDRAM相比,FCRAM的数据访问延迟更短,这是通过将每个存储行分成多个子行来实现的。在行激活操作期间,只有一个子行被激活,这样可以减少有效阵列的大小,从而提高访问速度。这种设计使得FCRAM在图形处理和高速网络等需要快速数据访问的应用中非常有用。 兼容性…

XDR DRAM

eXtreme Data Rate Dynamic Random Access Memory,又称XDR DRAM,是一种由 Rambus 公司开发的高带宽内存。它被设计用于需要高内存带宽的高性能计算和图形应用。 技术规格 XDR DRAM 以高达 7.2 GHz 的时钟速度运行,峰值带宽高达 28.8 GB/s。 它基于 DDR SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取存储器)标准的修改版本,具有几个关键差异。 其中一个主要区别是 X…