3納米制程
3奈米製程是半导体制造制程的一個水準，此技術必須使用極紫外光微影製程進行生產。甚至是高數值孔徑EUV。 3奈米的繼承者為2奈米。 歷史 國際裝置與系統發展路線圖（IRDS）在2017年曾預計3奈米製程將在2024年量產。 2017年9月29日，台積電宣布未來3奈米製程晶圓廠，落腳台灣台南市的南部科學工業園區，預計最快2022年量產。該公司於2020年第一季宣布3奈米製程將在2021年試產，並在2022下半年正式量產，其3奈米製程繼續採用…
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2纳米制程
在半导体产业中，2納米制程是在3纳米制程技術水準之后的下一个半导体制造制程。 歷史 台积电和三星皆規劃於2025年量產，英特尔最早宣布2027年量產，在更改節點命名後20A製程預計2024年量產。 國際裝置與系統發展路線圖（IRDS）於2017年發布的版本中，預測2.1奈米製程將於2027年前後進入量產階段。 2018年底，台積電董事長劉德音指出，半導體製程節點將持續推進至3奈米與2奈米水準，並規劃於製程微縮過程中，將電晶體結構由Fin…
酚醛树脂
酚醛樹脂（Phenol formaldehyde resins，PF），也稱為酚醛塑料（phenolic resins）或酚塑料（phenoplasts），是一種合成聚合物，由苯酚或其衍生物與甲醛反應製得。作為電木的基礎，酚醛樹脂是最早實現商業化的合成樹脂。它們曾被廣泛用於製造模塑產品，包括撞球、實驗室檯面，以及作為塗料和黏合劑。它們曾一度是生產電路板的主要材料，但現已大多被環氧樹脂和玻璃纖維布（如防火的FR-4電路板材料）所取代。 主…
蒸鍍
蒸鍍（）是指將金屬和氧化物等蒸發，使其於素材的表面附著形成薄膜的方法。屬於鍍膜中的一種，可大略分為物理蒸鍍（PVD）與化學蒸鍍（CVD）兩種。 接下來以PVD的真空蒸鍍來說明。 真空蒸鍍的原理 在達真空的容器中、將欲蒸鍍的材料加熱直至汽化昇華、並使此氣體附著於放置在附近的基板表面上、形成一層薄膜。依蒸鍍材料、基板的種類可分為:抵抗加熱、電子束、高周波誘導、雷射等加熱方式。蒸鍍材料有鋁、亞鉛、金、銀、白金、鎳等金屬材料與可產生光學特性薄膜…
7纳米制程
7纳米制程是半导体制造制程的一个水準。 歷史 在2015年7月，IBM宣佈以矽鍺製程做出第一個可運作的7纳米電晶體。台积电在2017年年中推出试验产品，並於2018年第2季首先量產第一代7纳米晶片。 第一個問世量產的7nm晶片是台積電製造的Apple A12 Bionic，用於2018年末推出的iPhone XS和iPhone XR智慧型手機。2019年末發表的Apple A13 Bionic使用台積電第二代7nm制程生產，用於iPho…
5纳米制程
5纳米制程是半导体制造制程的一个水準。在半导体器件制造中，《國際器件和系統路線圖》將5納米工藝定義為繼7納米之後MOSFET的又一技術節點。商用5納米製程基於具有FinFET（鰭式場效應晶體管）的多閘極電晶體（MuGFET）技術，還有已得到證明的5納米GAAFET（環繞柵場效應晶體管）技術，但尚未商業化。2020年9月15日，由台積電製造的Apple A14 Bionic成為首個公開發表的5纳米制程晶片。 歷史 英特尔最早在2009年的…
半導體設備
半导体设备指在半导体製造廠生产制造过程中的设备。主要包括集成电路设备、光伏设备、LED设备和分立器件设备。 集成电路设备 集成电路晶圆生产设备关键部件进口额占设备销售额的30%～40%。例如，干泵、分子泵、机械手 （洁净、真空）、高温加热装置 （温控器）、射频电源、真空阀门等。 光伏设备 PRCE晶硅太阳能电池片生产线设备 全自动、智能化、大产能单晶硅生长和切片设备 中国大陆市场 在 2019年，中国半导体设备继续保持快速增长，根据中国…
光罩盒
光罩盒（），意為儲存光罩的盒子，主要用于避免光罩遭受外部微塵粒子及化學污染。 分类 光罩運輸盒：由光罩製作廠運輸至晶圓廠間運輸用； 光罩廠區內部運輸盒； 光罩機台傳送盒：將光罩送入機台的盒子，針對特定的設備使用不同的傳送盒。其中包括非SMIF系統和SMIF系統。 參照 光罩 参考文献
光罩護膜
光罩護膜（Pellicle），即表示是光罩上的膜或薄膜的意思，結構為一薄膜展開在框架上，以免於光罩受到微塵或揮發性氣體的汙染。自1970年代後期即開始發展，早期的保護膜大都使用硝化纖維素，其波長在350～450nm，折射率約為1.5，厚度則2.85 mm。因為硝化纖維素在小於350nm的波長有明顯的吸收能力，所以KrF (248nm)、ArF (193nm) 的保護膜則使用非結晶之氟聚合物材質（如鐵氟龍、Cytop），但是上述的兩個材料…
等离子体浸没离子注入
等离子体浸没离子注入（PIII）或脉冲等离子掺杂（脉冲PIII）是通过应用高电压脉冲直流或纯直流电源，将等离子体中的加速离子作为掺杂物注入合适的基体或置有电极的半导体晶片的靶的一种表面改性技术。电极对于正电性等离子体是阴极，对于负电性等离子体是阳极。等离子体可在设计好的真空室中以不同的等离子体源产生，如可产生最高离子密度和最低污染水平的电子回旋共振等离子体源，及氦等离子体源，电容耦合等离子体源，电感耦合等离子体源，直流辉光放电和金属蒸汽…