偏移量
在计算机科学中，一个数组或数据结构对象内的偏移量是指數組或对象的起点与所要尋找的值之间的距离，該距離是一個整數值。例如在字符数组 "abcdef "中，字符 "d "與a之間的偏移量為3。
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平面記憶體模式
平面記憶體模式（flat memory model）或称线性内存模型（linear memory model），是指在计算机体系结构中一種組織記憶體定址空間的方式。在這種模式下，应用程序看到的内存是一个单独的连续地址空间。CPU可以直接（且线性）寻址所有可利用的内存位置，无需诉诸任何内存分段或分页机制。 平面記憶體模型的優點是，應用程式在存取他們的資料時候不需要切換不同的區段。大多数早期的处理器体系结构都是平面内存模型，如早期的8位处理…
缓冲器
緩衝區（），又稱緩衝器，是暫時置放輸出或輸入資料的記憶體區域。通常，自输入设备（例如麥克風）存取資料後，資料在輸出至另一裝置（例如揚聲器）前，會暫存在緩衝區中。但此外，電腦內部的不同行程間傳輸資料也會用到緩衝區。這與電信中的緩衝區相當。緩衝區可以在硬體中的固定記憶體位置中實現，也可以在軟體中使用指向實體記憶體中的某個位置的虛擬資料緩衝區來實現。但無論如何，緩衝區中的資料都儲存於某個實體的儲存媒介。多數緩衝區都是在软件層面實現的，它們一般…
隨機存取
（上）。]] 隨機存取（），亦稱直接存取（），代表同一時間存取一組序列中的一個隨意元件。反之則稱循序存取，即是需要更多時間去存取一個遠端元件。介分兩者的傳統圖解就似比較一軸古代畫卷（循序︰所有在元件之前的物料必須事先捲開）及一本圖書（隨機︰可以隨時翻至任何一頁）。而更近現代的例子就如比較卡式磁帶（循序︰必須跳過前面的歌曲才可聆聽後面的歌曲）及一張CD（隨機︰可隨意跳至任意處）。不過，RAM一詞卻被用以作為電腦中的半導體晶片記憶體電路。 …
循序存取
（下）。]] 循序存取（），意指一組序列（例如存於記憶數組、磁盤軟件或是磁帶中的資料）是以預先安排，有秩序的方式被人存取。循序存取有時只是唯一的存取數據方式，磁帶即屬一例。循序存取亦有可能成為有選擇性的方式，就如我們純粹有意順序處理一組資料元件。 於數據結構當中，如果某人只能開啟一組包含特一排列的數值，該組數據結構即屬循序存取，而正準的例子就如連結串列。另外，含有循序存取的索引需要大O符號(k值)的若干時間，而k值則為變址。結果，不少算…
缓冲区溢出
缓冲区溢出（buffer overflow），在電腦學上是指针对程序设计缺陷，向程序输入缓冲区写入使之溢出的内容（通常是超过缓冲区能保存的最大数据量的数据），从而破坏程序运行、趁著中斷之際并取得程序乃至系统的控制权。 缓冲区溢出原指当某个数据超过了处理程序回傳堆疊位址限制的范围时，程序出现的异常操作。造成此现象的原因有： 存在缺陷的程序设计 尤其是C语言，不像其他一些高级语言会自动进行数组或者指针的堆疊區塊边界检查，增加溢出风险。 C语…
伪共享
在计算机科学中，伪共享（）是一种会导致性能下降的使用模式，它可能出现在具有分布式缓存且维持缓存一致性的系统中。当系统参与者尝试定期访问未被另一方更改的数据，但欲访问的数据与正被更改的另一数据共享同一缓存块时，缓存协议可能会强制第一个参与者重新加载整个缓存块，尽管在逻辑上这么做是不必要的。 缓存系统不知道此块内的活动，所以强制第一个参与者承担资源的真共享访问（true shared access）所需的缓存系统开销。 多处理器CPU缓存 …
远程直接内存访问
在数据中心领域，远程直接内存访问（，RDMA）是一种绕过远程主机操作系统内核访问其内存中数据的技术，由于不经过操作系统，不仅节省了大量CPU资源，同样也提高了系统吞吐量、降低了系统的网络通信延迟，尤其适合在大规模并行计算机集群中有广泛应用。在基于NVMe over Fabric的数据中心中，RDMA可以配合高性能的NVMe SSD构建高性能、低延迟的存储网络。 概述 RDMA支持零复制网络传输，通过使网络适配器直接在应用程序内存间传输数…
多通道記憶體技術
多通道記憶體技術（）是一種可以提升記憶體資料傳送效能的技術。在數位電子產品以及電腦硬體領域，它的主要原理，是在DRAM和記憶體控制器之間，增加更多的並列通訊通道，以增加資料傳送的頻寬。理論上每增加一條通道，資料傳送效能相較于單通道而言會增加一倍。目前常見的多通道技術多為雙通道的設定，理論上它們都擁有兩倍於單通道的資料傳送頻寬。這種技術最早可以追溯至1960年代的IBM System/360 91型電子計算機以及資料控制公司的CDC 66…
FB-DIMM
Fully Buffered DIMM（或FB-DIMM）是一種記憶體解決方案，用來增加記憶體系統的穩定性、速度、及容量密度。就傳統而言，記憶體控制器上的資料線必須與每一個DRAM模組相連接，如此記憶體無論是拓寬存取介面的頻寬或加快存取介面的速度，都會使介面的信號轉差，如此不僅限制了速度的提升，也會限制記憶體系統的記憶空間提升，而FB-DIMM則是用不同的方式手法來解決這個問題。JEDEC組織已經正式敲定發佈FB-DIMM的規範標準。 …
存储器山
存储器山是一种综合研究存储器层次结构的工具。它反映了存储器层次结构中不同层次的带宽。也反映了具有不同的与的程序的性能。通过分析存储器山的数据，还可以看出存储器系统的部分硬件参数。 T. Stricker于1997年在其论文中介绍了存储器山的思想，利用它对存储器系统进行全面描述，并在后来的工作中提出了术语“存储器山”。卡耐基梅隆大学教授的著作[http://csapp.cs.cmu.edu/ 《深入理解计算机系统》]（Computer S…
内存排序
内存排序是指CPU访问主存时的顺序。可以是编译器在编译时产生，也可以是CPU在运行时产生。反映了内存操作重排序，乱序执行，从而充分利用不同内存的总线带宽。 现代处理器大都是乱序执行。因此需要内存屏障以确保多线程的同步。 编译时内存排序 编译时内存屏障 这些内存屏障阻止编译器在编译时乱序指令，但在运行时无效。 GNU内联汇编语句 asm volatile("" ::: "memory"); 或者 asm volatile ("" ::: …
字节序
端序（），又稱字节顺序，又稱尾序，在计算机科学领域中，指電腦記憶體中或在数字通信链路中，组成多字节的字的字节的排列顺序。 在几乎所有的机器上，多字节对象都被存储为连续的字节序列。例如在C语言中，一个类型为int的变量x地址为0x100，那么其对应地址表达式&x的值为0x100。且x的四个字节将被存储在電腦記憶體的0x100, 0x101, 0x102, 0x103位置。 端序分为大端序（Big Endian）和小端序（Little En…
非揮發性隨機存取記憶體
非易失性隨機存取記憶體（，簡稱NVRAM）是無需持續供電即可保留數據的隨機存取記憶體。這與動態隨機存取記憶體（DRAM）和靜態隨機存取記憶體（SRAM）形成對比，後兩者只有在供電期間才能保持數據，也與無法隨機訪問但可以在沒有電力的情況下無限期保留數據的形式（如磁帶）不同。 唯讀記憶體設備可用於在嵌入式系統中存儲系統固件，如汽車點火系統控制或家用電器。它們還用於存儲啟動計算機系統所需的初始處理器指令。諸如NVRAM之類的可讀寫記憶體可用於…
缓存
{{redirect|Cache|游戏絕對武力;}-的一张地图|死城之谜}} {{地区用词|as=译|tw=快取記憶體|hk=tw|cn=高速缓-{}-存|start=, }}，又稱{{地区用词|as=称|cn=高速缓-{}-衝存-{}-储器、缓-{}-存|hk=tw|tw=快取}}，原始意义是指存取速度比一般隨機存取記憶體（RAM）快的一种RAM，通常它不像系统主記憶體那样使用DRAM技术，而使用昂贵但較快速的SRAM技术。 原理 C…
帧缓冲器
TGX影格緩衝區]] 帧缓冲器是一个视频输出设备，它从一个包含了完整帧数据的内存缓冲区驱动视频显示器。 内存缓冲区中的信息通常包含屏幕上每个像素的色彩值，色彩值常以1位、4位、8位、16位及 24位真彩色格式存储。有时还有一个alpha通道来保存像素的透明度。驱动帧缓冲器所需的总内存量取决于输出信号的分辨率、色彩深度和调色板大小。 向量显示器比帧缓冲器出现得早，二者有很大的不同。使用向量显示器时，只存储了图元（graphics prim…
多层单元
多层单元（，缩写MLC）是一种存储多个位元信息的存储器元件。 MLC NAND闪存是一种在每个单元（cell）上使用多个层次的闪存技术，从而允许相同数量的晶体管存储更多位元。在单层单元（SLC）NAND闪存技术中，每个单元只能处于两种状态中的一种，即每个单元存储一个位元。很多MLC NAND闪存在每个单元中存储四个可能的状态，因此可以用每个单元存储两个位元。这减少了区分状态的余量，从而增加了发生错误的可能性。面向低错误率而设计的多层单元…
触发器
触发器（），中國大陆譯作「-{zh;zh-hant;zh-hans|触发器}-」、臺灣及香港譯作「-{zh;zh-hant;zh-hans|正反器}-」，是一种具有两种稳态的用于储存的元件，可記錄二进制数字信号「1」和「0」。触发器是一种雙穩態多諧振盪器（）。该电路可以通过一个或多个施加在控制输入端的信号来改变自身的状态，并会有1个或2个输出。触发器是构成时序逻辑电路以及各种复杂数字系统的基本逻辑单元。触发器和锁存器是在计算机、通讯和许…
2024年至今全球内存供应短缺
2024年至今全球記憶體供应短缺是指半导体存储器市场持续面临供应限制和价格快速上涨的时期，尤其影响到DRAM和NAND 闪存。与主要源于疫情相关供应链中断的2020-2023 年全球芯片短缺不同，此次短缺是由制造能力向人工智能基础设施等高利润产品的结构性重新配置所致，导致消费和企业 PC 市场供应短缺。 背景 在经历了2022-2023年的市场严重低迷之后，主要存储器制造商——三星电子、 SK海力士和美光科技——实施了战略性减产以稳定价…
3D XPoint
3D XPoint（此处“X”发音为“cross”）是由英特尔与镁光共同开发的一种已停产的非易失性存储器技术，英特尔旗下使用该项技术的产品品牌名为傲腾（，前译“闪腾”），而镁光产品的品牌名则是QuantX，这项技术的开发始于2012年，并发布于2015年7月，首批运用该技术的实际产品则是在2017年初上市。其是一种立体化结构的存储技术，由选择器和内存单元共同组成，支持按字节寻址，虽然英特尔和镁光都没有公布3D XPoint的具体技术细节…