NVDIMM
非易失性双列直插式内存模块（，缩写NVDIMM）是一种用于计算机的随机存取存储器。非揮發性記憶體是即使断电也能保留其内容的内存，这包括意外断电、或正常关机。双列直插式表示该内存使用DIMM封装。NVDIMM在某些情况下可以改善应用程序的性能、数据安全性和系统崩溃恢复时间。这增强了固态硬盘（SSD）的耐用性和可靠性。 类型 JEDEC标准组织有三种型号的NVDIMM实现： NVDIMM-F：直接采用闪存作为内存的DIMM。系统用户需要将存…
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闪存
{{各地中文名 |name= |tw=快閃記憶體 |cn=闪存、快闪存储器、闪速存-{}-储器 }} Cruzer Titanium隨身碟的印刷電路板上的Samsung快閃記憶體（左）慧荣科技（Silicon Motion）主控芯片（右）]] 快閃記憶體（）是一种像-{zh-hans:电可擦写只读存储器;zh-hant:唯讀記憶體}-一样的存储器，允许對資料進行多次的刪除、加入或改写。這種記憶體廣泛用於記憶卡、隨身碟之中，因其可迅速改寫…
電腦記憶體
是计算机中能接收和存储数据，并能根据控制命令提供所存数据的基本硬件。主存储器与中央处理器（CPU）一起构成主机。目前大部分计算机系统的主存储器主体为动态随机存储器（DRAM），“主存储器”乃至“存储器”一词有时特指DRAM；另外，静态随机存储器（SRAM）与只读存储器（）等也可作主存储器的一部分。 除了可分为主存储器和辅助存储器外，存储器还可按存储介质分为半导体存储器、磁表面存储器、磁芯存储器和光盘存储器等，按存取方式分为随机存储器、只…
磁阻式隨機存取記憶體
磁阻式隨機存取記憶體（，縮寫為*'），是一種非揮發性隨機存取記憶體技術，從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為，這個技術不但在太空環境較高的可靠度，速度接近SRAM，具有快閃記憶體的非揮發性，容量密度及使用壽命不輸DRAM，平均能耗遠低於DRAM，成為真正的（Universal memory）。它目前由公司生产，其他公司，包括格羅方德和三星電子已经宣布产品计划。 描述 与传统的RAM芯片技术不同，MRAM中的数据不作为电荷或电流流…
建興電子
建興儲存科技（英文：），是台湾的一間電子公司，由光寶科技投資成立，其原本隸屬於源興科技中的一個部門，在1999年3月從源興科技獨立出來，並於2001年1月成為上櫃掛牌公司、2004年11月正式成為台灣證券交易所上市公司，專攻於固態硬盤（SSD）以及光儲存設備（ODD）的代工（OEM），為世界儲存設備大廠之一，客戶均為國際個人電腦、伺服器、資料中心、雲端服務知名品牌。在2014年與光寶科技合併後消滅，成為光寶科技儲存裝置事業群（Stora…
SONOS
SONOS，是硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅（）的英语首字母缩写，是一种和闪存联系较为紧密的非揮發性存储器。它与主流的闪存主要区别在于，它使用了氮化硅（Si3N4），而不是多晶硅，来充当存储材料。它的一个分支是SHINOS（硅-高电介质-氮化物-氧化物-硅）。SONOS允许比多晶硅闪存更低的编程电压和更高的编程-擦除循环次数，是一个较为活跃的研究、开发热点。提供基于SONOS产品的公司包括GlobalFoundries、Cypress …
雙通道記憶體技術
的雙通道插槽，一個通道可連接多條RAM]] 雙通道（）是一種能夠讓電腦效能增加的技術，此種技術將多个記憶體由串联方式改良为并联方式，以得到更大的頻寬。最早使用此技術的記憶体是Rambus。 運作方式 記憶體使用单通道技术时，主機板上記憶體線路是以串聯方式設計，也就是僅是以一條記憶體的頻寬運作，安裝多條記憶體只是容量會相加。當記憶體匯流排頻寬為64-bit，如DDR4，無論安裝幾條記憶體，匯流排頻寬都固定為64-bit。 雙通道便是利用並…
非揮發性記憶體
非揮發性記憶體（，缩写：NVM）或非依電性記憶體是指當電流關掉後，所儲存的資料不會消失的資料儲存裝置。非揮發性記憶體中，依記憶體內的資料是否能在使用系統時隨時改寫為標準，可分為三大類產品，即ROM、Flash memory和NVRAM。 類型 非揮發性記憶體主要有以下類型： ROM（Read-only memory，唯讀記憶體） PROM（Programmable read-only memory，可規化唯讀記憶體） EAROM（Ele…
主存储器
主存储器（）-{zh-cn:、简称主存，又称内存储器、内存; zh-tw:}-，是用来存放计算机运行时随时需要使用的程序和数据的存储器，供中央处理器（CPU）随机存取，“主存储器”乃至“存储器”一词有时特指DRAM；另外，静态随机存储器（SRAM）与只读存储器（）等也可作主存储器的一部分 非易失性存储器 非易失性存储器即使在没有通电的情况下也可以保留所存储的信息。只读存储器可以作为非易失性主存储器。正在开发的非易失性存储器技术包括鐵電隨…
揮發性記憶體
揮發性記憶體（）是指當電流中斷後，所儲存的資料便會消失的電腦記憶體。与之相对的是非揮發性記憶體 ，后者的電源供應中斷後，記憶體所儲存的資料也不會消失，只要重新供電後，就能夠讀取內存資料。 主体類型 揮發性記憶體主要有以下類型： RAM（Random Access Memory，隨機存取記憶體） DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體） SRAM（Static Random Access M…
轉譯後備緩衝區
轉譯後備緩衝區（, TLB），在中国大陆被翻译为页表缓存、转址旁路缓存，為CPU的一种缓存，由記憶體管理單元}-用於改進虛擬位址到實體位址的轉譯速度。目前所有的桌上型及伺服器型處理器（如 x86）皆使用TLB。TLB具有固定數目的空间槽，用于存放將虛擬地址映射至物理地址的分頁表条目。為典型的結合存儲（content-addressable memory, CAM）。其搜尋鍵碼為虛擬記憶體位址，其搜尋結果為實體位址。如果請求的虚拟位址在T…
群聯電子
群聯電子股份有限公司（），簡稱群聯電子，成立於2000年。總公司設在台灣苗栗縣竹南鎮，是一家台灣的IC設計公司，該公司主要產品為NAND快閃記憶體控制晶片、製造和銷售，應用於隨身碟、記憶卡、固態硬碟（SSD）。 成立背景 參考資料
電子抹除式可複寫唯讀記憶體
電子抹除式可複寫唯讀記憶體 （，简称：或），是一種只读存储器（），可以通過電子方式多次複寫。相比EPROM， EEPROM 不需要用紫外線照射，也不需取下，就可以用特定的電壓，來抹除芯片上的信息，以便寫入新的數據， EEPROM 屬於SPD（串行存在檢測）技術的一種延伸。 EEPROM分为四種工作模式：讀取模式、寫入模式、擦除模式、校驗模式。讀取時，芯片只需要Vcc低電壓（一般+5V）供電。而在編程寫入時，芯片会通過Vpp（一般+25V…
访问局部性
访问局部性（）指的是在计算机科学领域中应用程序在访问内存的时候，倾向于访问内存中较为靠近的值。 访问局部性分为两种基本形式，一种是时间局部性，另一种是空间局部性。时间局部性指的是，程序在运行时，最近刚刚被引用过的一个内存位置容易再次被引用，比如在调取一个函数的时候，前不久才调取过的本地参数容易再度被调取使用。空间局部性指的是，最近引用过的内存位置以及其周边的内存位置容易再次被使用。空间局部性比较常见于循环中，比如在一个数列中，如果第3个…
混合内存立方体
' 混合内存立方体（，HMC*）是一种高性能计算随机存储器（RAM）接口，适用于基于硅穿孔（TSV）的堆叠DRAM内存。HMC与不兼容的竞争对手接口高頻寬記憶體（HBM）竞争。 概述 混合内存立方体由三星電子和美光科技于2011年共同开发，并于2011年9月由美光宣布推出。它承诺相较于DDR3实现15倍的性能提升。混合内存立方体联盟（HMCC）由多家主要科技公司支持，包括三星、美光科技、、ARM、惠普（已退出）、微软（已退出）、Alte…
半导体存储器
半导体存储器（）是一种用于的数字电路半导体器件，例如電腦記憶體。数据會存储在硅集成电路存储芯片上的金属氧化物半导体（MOS）存储单元内。目前有许多不同的类型的半导体技术。两种常見的随机存取存储器（RAM）中其中一個是静态RAM（SRAM），它在每个存储单元使用多个MOS晶体管，另一個是动态RAM（DRAM），每个单元使用一个MOS晶体管和一个MOS电容。非易失性存储器（如EPROM、EEPROM和闪存）使用浮栅存储单元，每个单元由一个浮…
内存刷洗
内存刷洗（）也可称内存擦洗、内存清洗，是指从每个電腦記憶體位置读取数据、以一种错误纠错码（ECC）纠正可能存在的位元错误，再将校正后的数据写回原位置。 由于现代计算机内存芯片的高度集成，单个内存单元的结构已足够小到易于受到宇宙射线和/或阿尔法粒子的影响。由这些现象引发的错误被称为軟性錯誤，这对基于DRAM或SRAM的内存来说可能是个问题。在任何单个内存位元发生软错误的概率非常小。但是，配以现代计算机的庞大内存空间，加之长时间持续运行的如…
内存时序
記憶體時序（或RAM timings）是描述同步動態隨機存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，單位為時鐘週期。它們通常被寫為四個用破折號分隔開的數字，例如7-8-8-24。第四個參數（RAS）經常被省略，而有時還會加入第五個參數：Command rate（命令速率），通常為2T或1T，也寫做2N、1N。這些參數指定了影響隨機存取存储器速度的潛伏時間（延遲時間）。較低的數字通常意味着更快的性能。決定系统…
内存映射
在计算机科学中，記憶體映射（）是一种数据结构（通常驻留在内存本身中），它指示内存的布局方式。 术语“記憶體映射”在不同的上下文中可以具有不同的含义。 它是使用关联記憶體的最快，最灵活的缓存组织。 关联存储器存储该存储字的地址和内容。 在引导过程中，会从固件传递記憶體映射，以指示操作系统内核有关内存布局的信息。 它包含有关总内存大小，任何保留区域的信息，还可以提供特定于体系结构的其他详细信息。 在虚拟内存实现和内存管理单元中，内存映射是指…
串行存在检测
串行存在检测（，缩写SPD）是一种访问内存模块有关信息的标准化方式。 早期的72 pin SIMM包括五个引脚，提供5位元并行存在检测（PPD）数据，而168 pin DIMM标准更改为串行存在检测，以编码更多信息。 在普通的现代電腦开机时，它将进行一次加电自检（POST）。自从20世纪90年代中期以来，这个过程包括自动設定当前存在的硬件。SPD是一项内存硬件特性，可使電腦了解存在的内存以及访问内存要使用的时序。 部分電腦可以完全自动地…