多层单元
多层单元（，缩写MLC）是一种存储多个位元信息的存储器元件。 MLC NAND闪存是一种在每个单元（cell）上使用多个层次的闪存技术，从而允许相同数量的晶体管存储更多位元。在单层单元（SLC）NAND闪存技术中，每个单元只能处于两种状态中的一种，即每个单元存储一个位元。很多MLC NAND闪存在每个单元中存储四个可能的状态，因此可以用每个单元存储两个位元。这减少了区分状态的余量，从而增加了发生错误的可能性。面向低错误率而设计的多层单元…
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3D XPoint
3D XPoint（此处“X”发音为“cross”）是由英特尔与镁光共同开发的一种已停产的非易失性存储器技术，英特尔旗下使用该项技术的产品品牌名为傲腾（，前译“闪腾”），而镁光产品的品牌名则是QuantX，这项技术的开发始于2012年，并发布于2015年7月，首批运用该技术的实际产品则是在2017年初上市。其是一种立体化结构的存储技术，由选择器和内存单元共同组成，支持按字节寻址，虽然英特尔和镁光都没有公布3D XPoint的具体技术细节…
NVDIMM
非易失性双列直插式内存模块（，缩写NVDIMM）是一种用于计算机的随机存取存储器。非揮發性記憶體是即使断电也能保留其内容的内存，这包括意外断电、或正常关机。双列直插式表示该内存使用DIMM封装。NVDIMM在某些情况下可以改善应用程序的性能、数据安全性和系统崩溃恢复时间。这增强了固态硬盘（SSD）的耐用性和可靠性。 类型 JEDEC标准组织有三种型号的NVDIMM实现： NVDIMM-F：直接采用闪存作为内存的DIMM。系统用户需要将存…
闪存
{{各地中文名 |name= |tw=快閃記憶體 |cn=闪存、快闪存储器、闪速存-{}-储器 }} Cruzer Titanium隨身碟的印刷電路板上的Samsung快閃記憶體（左）慧荣科技（Silicon Motion）主控芯片（右）]] 快閃記憶體（）是一种像-{zh-hans:电可擦写只读存储器;zh-hant:唯讀記憶體}-一样的存储器，允许對資料進行多次的刪除、加入或改写。這種記憶體廣泛用於記憶卡、隨身碟之中，因其可迅速改寫…
SONOS
SONOS，是硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅（）的英语首字母缩写，是一种和闪存联系较为紧密的非揮發性存储器。它与主流的闪存主要区别在于，它使用了氮化硅（Si3N4），而不是多晶硅，来充当存储材料。它的一个分支是SHINOS（硅-高电介质-氮化物-氧化物-硅）。SONOS允许比多晶硅闪存更低的编程电压和更高的编程-擦除循环次数，是一个较为活跃的研究、开发热点。提供基于SONOS产品的公司包括GlobalFoundries、Cypress …
燒錄器
)]] 燒錄器（IC Programmer），又名晶片燒錄器（Chip Programmer）、設備燒錄器（Device Burner or Device Programmer）或燒錄設備，是可以將软件燒錄檔案載入非揮發性記憶體的集成电路（稱為可程式化設備）的電子設備。 可程式化晶片類型包括可規劃式唯讀記憶體（PROM）、可擦除可規劃式唯讀記憶體（EPROM）、電子抹除式可複寫唯讀記憶體（EEPROM）、快閃記憶體、多媒體記憶卡、磁阻式…
开放通道SSD
开放通道固态驱动器（）是一种特殊的固态硬盘，它不在驱动器的固件中实现闪存翻译层（FTL），而是将物理固态存储的管理任务转交到计算机的操作系统。Linux内核4.4版本通过名为LightNVM的抽象层提供对遵循NVM Express规范的开放通道SSD的支持。 参考资料
铁电场效应晶体管
铁电场效应晶体管（Fe FET）是一种场效应晶体管，其栅极电极与源漏导电区（沟道）之间夹有铁电材料。铁电材料中的永久电场极化使此类器件在无任何电偏压的情况下仍能保持晶体管的工作状态（导通或关断）。 Fe FET器件常用于Fe FET 存储器——一种单晶体管非揮發性記憶體。 描述 在1955年，为一种铁电场效应晶体管（FeFET）或金属–铁电–半导体场效应晶体管（MFSFET）申请了专利。其结构与现代的反型通道MOSFET相似，只是用铁电…
非揮發性SRAM
非揮發性SRAM（，nvSRAM）是一種非揮發性隨機存取記憶體，它的操作方法和普通的靜態隨機存取記憶體(Static Random-Access Memory，SRAM)大同小異，但卻不需要供電來維持記憶體內部的值。雖然非揮發性SRAM在結構上跟一般的SRAM是相同的，但是一般的SRAM只能做讀和寫，而非揮發性SRAM則可以做出讀(read)、寫(write)、儲存(store)、召回(restore)等動作。 而要做出非揮發性SRAM…
磁泡存储器
磁泡存储器（）是一种非易失性存储器。它使用了一种较薄的磁性材料制成的胶片来维持小型的磁化区域，这些区域被称作是“磁泡”（）或者“磁域”（），每一个这种区域存储一个位元的数据。磁泡存储器在1970年代出现，但是在1980年代硬盘价格急剧下降的情况下未能获得商业上的成功。 外部链接 [https://web.archive.org/web/20071012175019/http://jbayko.sasktelwebsite.net/cpu…
5D光数据存储
5D光数据存储（），也称超人记忆晶片（）是一种纳米结构玻璃，使用飞秒级激光写入过程，可用来永久存储数据。该记忆晶片将多达的数据存储数十亿年。晶片设计概念已在2013年经过实验验证。日立和微软均已研发出5D光数据存储相关技术。 参考资料
Millipede
Millipede是一种数据存储于聚合体层上的纳米量级“坑”中的非易失性存储器。这种存储器的读写由基于微机电系统的探针完成。这种存储技术允许每平方英寸上高于1TB的数据存储密度（1GB每平方厘米），是目前可用的磁介质存储设备的4倍。Millipede存储技术被追求作为硬盘驱动器中磁记录的潜在替代品，以及将技术的物理尺寸缩小到闪存介质的一种手段。 IBM在CeBIT 2005上展示了原型Millipede存储设备，并试图在2007年底之前…
非易失性BIOS存儲器
非易失性BIOS存储器是指个人电脑主板上用于存储BIOS设置的小型存储器。传统上它又被称为CMOS RAM。CMOS RAM已被集成到南桥芯片组中，因而它已不是主板上的独立芯片，同時南桥也被集成到平台路徑控制器中。CMOS RAM的电池一般为CR2032锂钮扣电池。 参考 外部链接 [http://pcsupport.about.com/od/termsc/g/cmos.htm Definition of CMOS & CMOS Bat…
二極體矩陣
二極體矩陣是一个二维的电线网格：每一个 "交叉点"，即一行与另一行交叉的地方，要么有一个二极管连接它们，要么这些电线是相互隔离的。 它是实现只读存储器的最流行的技术之一。二极管矩阵在许多早期计算机中被用作控制存储或微程序。在许多现代微处理器中，逻辑上等同的"'晶体管矩阵'"仍被用作控制存储或微程序或 "解码ROM"。 在任何一个瞬间，二极管矩阵（或晶体管矩阵）的单行被激活。 电荷流过连接到该行的每个二极管。这激活了与每一行对应的列。在该…