非揮發性記憶體

非揮發性記憶體（，缩写：NVM）或非依電性記憶體是指當電流關掉後，所儲存的資料不會消失的資料儲存裝置。非揮發性記憶體中，依記憶體內的資料是否能在使用系統時隨時改寫為標準，可分為三大類產品，即ROM、Flash memory和NVRAM。

類型
非揮發性記憶體主要有以下類型：
*ROM（Read-only memory，唯讀記憶體）
**PROM（Programmable read-only memory，可規化唯讀記憶體）
**EAROM（Electrically alterable read only memory，電可改寫唯讀記憶體）
**EPROM（Erasable programmable read only memory，可擦可規化唯讀記憶體）
**EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory，電可擦可規化唯讀記憶體）
*Flash memory（快閃記憶體）
*NVRAM（非揮發性隨機存取記憶體）
**FRAM（Ferroelectric RAM，铁电随机存取内存）
**MRAM（Magnetoresistive RAM，磁阻式随机存取内存）
**忆阻器存储器
*由电池（多为锂一次电池）供电的静态随机存取存储器，其缺点是会随着电量耗尽而失效

硬碟、光碟與磁帶雖然也是非揮發性貯存裝置，但被歸類為現行NVM一般特指非機械式之電子類記憶體元件。

規格
用途
Cruzer Titanium隨身碟的印刷電路板上的Samsung快閃記憶體（左）慧荣（Silicon Motion）主控（右）]]

非揮發性記憶體已大量用於電子產品，尤其可攜帶性產品之中（如移動電話、數位相機、MP3等等）。

参见
*電腦記憶體
*揮發性記憶體
*ROM
*PROM
*EAROM
*EPROM
*EEPROM
*Flash memory

注释
参考文献