电子迁移率

电子迁移率（）是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子，在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中，另一个类似的物理量称为空穴迁移率（）。人们常用载流子迁移率（）来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。

外部链接
*[http://meroli.web.cern.ch/meroli/Lecture_lifetime.html The minority Carrier Lifetime in silicon wafer]
*[http://semiconductorglossary.com/default.asp?searchterm=electron+mobility semiconductor glossary entry for electron mobility]
*[https://web.archive.org/web/20080723211649/http://ee.byu.edu/cleanroom/ResistivityCal.phtml Resistivity and Mobility Calculator from the BYU Cleanroom]
*Online lecture- [http://nanohub.org/resources/6151 Mobility] from an atomistic point of view

Mobilità (elettronica)