32纳米制程
32纳米制程是半导体制造制程的一个水平。自2010年开始，英特尔和AMD开始制造32纳米的芯片产品。 32纳米的后继制程是22纳米。 具有32纳米制程的产品 * 英特尔Westmere、Sandy Bridge處理器。 参考文献
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22纳米制程
22纳米制程是半导体制造制程的一个等級。自2012年4月开始22纳米的消费级CPU产品推出。 相比先前的制程，自22纳米制程开始，沟道长度不再成为最为重要的因素。 台積電研發出了20nmFinFET製程後，將其更名為16nm製程；比較Apple A9晶片的表現，台積電16nm的省電性，確實明顯優於三星的14nm。 22纳米的后继制程是14纳米。 参考文献
90纳米制程
90纳米制程是半导体制造制程的一个水平，大约于2004年至2005年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔、AMD、英飞凌、德州仪器、IBM和台積電所完成。 许多厂商使用了193纳米的波长来进行关键层级的光刻。 此外，12英寸晶圓在这个制程上成为主流。 具有90纳米制程的产品 IBM PowerPC G5 970FX 2004年 英特尔奔腾4 Prescott 2004年2月 AMD Athlon 64 Winchester…
65纳米制程
65纳米制程是半导体制造制程的一个技術水平。至2007年，英特尔、AMD、IBM、聯華電子、特许半导体和台积电等公司已有能力进行65纳米制程的量產。 当制程进入65纳米之时，用于进行光刻的光的波长是193纳米和248纳米。具有低于光波波长的制造厂要求使用一些特殊技术，比如光学邻近校正和相位移掩膜板技术。此外，12英寸晶圓在此制程開始成为主流。 具有65纳米制程的产品 Intel 奔腾4/奔騰D 2006年1月 Intel 酷睿2(Con…
能量收集
能量收集（Energy harvesting）是從環境中採取能量為小型設備供電的方式。例如手臂的運動可為某些手錶充電或上發條，其他的有利用光伏、熱電、風力、壓電、海浪、噪音、天線收集無線電波的能量等方式為小型設備充電。 參考
梳狀致動
梳狀致動是驅動器的一種，通常利用兩導電梳齒的靜電力來進行驅動。 原理 對固定梳齒及移動梳齒施加電壓時，兩者之間會產生靜電力而相互吸引。致動器產生的力量大小，與梳齒間的電容變化成正比；驅動電壓的大小、梳齒數量與梳齒間的間隙亦會有所影響。梳齒被設計成不會相互接觸 (因為那樣就不會產生電壓差)。一般來說， 會設計成每個齒都能滑過另一個齒並卡入到相對應的凹槽中。 若將馬達的線性運轉轉換成旋轉或其他運動，則可以操縱彈簧、槓桿及曲軸。 靜電力可透過…