單晶微波積體電路

单片微波集成电路（，简称MMIC）是与微电子学领域的一类特殊集成器件、电路或系统。所有无源和有源器件均在同一个半导体衬底上制成（厚度通常为100 μm）。这种微型化技术使电路的工作频率可达毫米波频段。

本文所述的MMIC需与MIC区分。后者指微波集成电路（），即非单片的。

概念
固态集成电路（）这一广义概念不仅包含微波器件与电路，还包括用于其他频段（如太赫輻射）的系统。

器件
电阻器采用薄膜技术或带有歐姆接觸的掺杂半导体材料制成。电容器由交叠的金属层构成，并以氮化矽作为介電質。电感器与变压器由螺旋状导线构成。

布线采用带状线形式，可依据传输线理论应用阻抗变换及耦合线结构。一条50 Ω传输线的典型线宽为70 μm，大致相当于人类发丝的厚度。

此外也可以使用通孔（via）以及用于导线交叉的空气桥（Air bridge）。

主要有源器件包括肖特基二极管、崩越二极管（）、變容二極體、金属半导体场效应管（）、高电子迁移率晶体管（）与异质结双极性晶体管（）。此外，许多器件或系统还通过射频微机电系统（）实现。

在材料选择方面， III-V族化合物半导体（如砷化鎵、氮化鎵）或因其特殊的能带结构，在射频应用中具备关键优势。

优缺点

在雷达或醫學物理等大功率应用中，目前仍频繁使用电子管。

混合MIC技术只能在衬底（通常为陶瓷衬底）上制造部分器件。其余器件需要额外贴装。由于存在连接导线，其射频特性相对较差。

应用
MMIC器件主要应用于航空航天、电信（如LTE、5G、WLAN、藍牙）以及军事领域。

文献
书籍
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参考