乙镓烷
乙镓烷 (系统名digallane(6)或di-μ-hydrido-bis(dihydridogallium)) 是一种无机化合物，化学式 (也可以写成{{Chem|[{GaH|2|(μ-H)}|2|]}}或)。它是氢化镓的二聚体。这种化合物在1989年被报道。虽然在1941年就有人报告合成了乙镓烷，但之后未能重现这一结果。 乙镓烷不稳定，在室温分解为镓和氢气。 :Ga2H6 → 2 Ga+3 H2 参考资料 参见 硼族元素的氢化物 氢…
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共 44 篇文章
砷化鎵
砷化鎵（化學式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用來製作微波積體電路、紅外線發光二極體、半导体激光器和太陽電池等元件。砷化镓為1類致癌物。 GaAs化合物半导体特别适合应用于无线通信中的高频传输领域，现在越来越多被应用于射频前端器件，这是因为GaAs化合物半导体电子迁移率比传统的硅快，且具有抗干扰、低噪声与耐高电压、耐高温与高频使用等特性，在4G与5G时代有高度需求。 性质 砷化镓…
砷化磷镓
砷化磷镓（GaAs1−xPx）是一种合金及III-V族半导体，由砷化镓（GaAs）和磷化鎵（GaP）两种半导体组成。 砷化磷镓在光电子学领域常用作制造红色、橙色至黄色发光二极管（LED）的材料。具体的发光颜色取决于两种基质材料的混合比例，该比例在分子式中以变量x表示。通过调节该比例，可以改变半导体材料的能隙，进而影响其光学性质。为提升基于该材料的LED的质量，通常采用掺杂氮（N）的结构，该材料被称为GaAsP:N。 当混合比例x = 0…
銻化鎵
銻化鎵為半導體材料之一，其中分子裡包含了銻和鎵，屬於III-V族，其能隙為 0.726ev，晶格常數是0.61 nm。銻化鎵通常可以用來做紅外檢測器、紅外發光二極體、電晶體、雷射二極體等用具。 參見 銻化鋁 碘化锑 参考文献 [http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/GaSb/ NSM] [https://web.archive.org/web/20071206070335/http://ww…
氮化鎵
氮化鎵（GaN、），為氮與鎵的化合物，是一種III族與V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。此化合物為一種非常堅硬的材料，具有纖鋅礦晶體結構。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電工程中，例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體，可以在不使用非線性半导体泵浦固体激光（Diode-pumped solid-state laser）光學頻率倍增的條件下，產生紫光（405 …
二碲代镓酸银
二碲代镓酸银是一种无机化合物，化学式为AgGaTe2，它是银、镓、碲形成的三元化合物之一，可由相应的元素单质在800 °C反应得到。它在900 °C、20 Kbar下于氯化铵熔体中分解，可以得到三碲化银（AgTe3）。 参考文献
三氟化镓
三氟化镓（GaF3）是一种无机化合物。这种白色固体的熔点超过1000°C，但是在950°C左右就会升华。它具有FeF3型结构，镓原子为6配位。三氟化镓可由F2或HF与Ga2O3反应制得，而(NH4)3GaF6的热分解也可以制得它。三氟化镓几乎不溶于水。蒸发GaF3和HF的混合溶液可以获得三水合物GaF3·3H2O，后者受热时水解形成碱式盐GaF2(OH)。三氟化镓与无机酸反应生成剧毒的氢氟酸。 参考资料 扩展阅读 *
甲酸镓
甲酸镓是一种化合物，化学式为Ga(HCOO)3，它可溶于水，可以分解为氧化镓。它可以氢化镓或氨基镓为原料反应得到。氢氧化镓和甲酸的反应只能得到碱式盐Ga(O2CH)(OH)2。碳酸镓和甲酸反应，得到的是甲酸镓二氧化碳包合物Ga(HCOO)3·0.75CO2·0.25H2O·0.25HCOOH。 参考文献
氮化鋁鎵
氮化鋁鎵（AlGaN）是由氮化鋁和氮化鎵混合所組成的半導體。 AlxGa1−xN的能隙可以從 4.3eV（xAl=0）到6.2eV（xAl=1）。 AlGaN是發光二極管的材料，可以在藍光到紫外线的範圍內運作，其波長最低可到遠紫外線的250 nm，有些記載的資料甚至可以低到222 nm，也用在藍光激光二極管內。 AlGaN也可以用於紫外线輻射的偵測器，以及用在AlGaN/GaN的高电子迁移率晶体管內。 AlGaN常和氮化鎵或氮化鋁一起使…
氮化銦鎵
]] 氮化銦鎵（InGaN, InxGa1−xN）是由氮化鎵和氮化銦混合的半导体，是三元的三五族直接带隙半導體。其能隙可以用調整銦的比例來調整。 InxGa1−xN的直接带隙範圍從InN的紅外線（0.69 eV）到GaN的紫外線（3.4 eV）之間。In/Ga的比例介於0.02/0.98到0.3/0.7之間。 應用 LED 氮化銦鎵是現代藍色或綠色LED的發光層，通常是長晶在GaN緩衝層上，在蓝宝石或碳化硅的透明基板。氮化銦鎵有高熱容量…
二镓化五镁
二镓化五镁是一种金属间化合物，化学式为Mg5Ga2，是镁的镓化物之一。它可由镓和镁在保护气存在下反应制得。 它是一些化合物的晶体结构原型，属于Mg5Ga2结构的化合物有Tl2Mg5、Mn2Ge5、Cu5As2等。Na2Mg3Sn2和Na2Mg3Pb2属于Mg5Ga2修改结构。 参考文献
氰化镓
氰化镓是一种镓化合物，化学式为Ga(CN)3。它是空气敏感的白色固体，在450 °C下分解。 参考文献
磷化銦鎵
磷化銦鎵（Indium gallium phosphide，簡稱InGaP）也被稱為磷化鎵銦（GaInP），是由磷、銦和鎵組成的半導體。因為其電子速率比常見的矽及砷化鎵要快，常用於高速或是高功率的電子元件中。 磷化銦鎵常用在高電子移動率電晶體（HEMT）及异质结双极性晶体管（HBT）結構中，但也用在太空應用的高速率太陽能電池，若加入鋁（合金）可以製作高亮度的橘紅色、橘色、黃色及綠色發光二極體。 磷化銦鎵是磷化銦及磷化鎵的合金。 Ga0.…
氧化镓
氧化镓是镓最稳定的氧化物，化学式为Ga2O3，是一种无机化合物，白色的晶体粉末，具有两性。它是作为制造宽带隙半导体的一部分。 制备 氧化镓可以通过在空气中加热金属镓或在200~250℃热分解硝酸镓得到。氧化镓有五种形态——α, β, γ, δ和ε，其中β-Ga2O3是最稳定的形态。 β-Ga2O3可以通过在1000℃加热硝酸镓、乙酸镓、草酸镓或其它有机衍生物得到。通过化学气相沉积在980℃也能制得β-Ga2O3。 :: 2 C + Ga…
氮化鋁銦鎵
氮化鋁銦鎵（AlGaInN）是以氮化鎵為基礎的化合物半導體，是氮化鎵、氮化鋁、氮化銦的混合物，常用磊晶成長的方式製成，像是有机金属化学气相沉积法（MOCVD）、分子束外延（MBE）、脉冲激光沉积（PLD）等方式。此材料用在特別的光電應用中，像是藍光雷射LED及藍光LED等。透過調整鋁、銦、鎵的比例，可以調整其能隙等參數。 安全性和毒性 有關氮化鋁銦鎵的毒性目前尚未完全研究。其粉末會刺激皮膚、眼睛和肺部。有關氮化鋁銦鎵製備原料（像三甲基铟…
四(五甲基环戊二烯基镓)合铂
{{Chembox | Name = | NameEn = | ImageFile = | ImageSize = | ImageAlt = | IUPACName = | IUPACNameZh = | OtherNames = | Section1 = | Section2 = {{Chembox Properties | C=40 | H=60 | Ga=4 | Pt=1 | Appearance = 橙色晶体 它可以和[Ga2C…
碘化镓
碘化镓是一种无机化合物，化学式为GaI3，它是镓最常见的碘化物。在砷化镓晶体生长所用的化学气相传递法中，用碘作为传递剂。碘化镓也可以双聚分子的形式存在， Ga2I6。 碘化镓可以被镓还原为绿色固体“碘化镓(I)”，该物种的性质尚不清楚，但对镓(I)和镓(II)的化合物的制备是有用的，并且可以用于有机合成。 参考文献 参见 *
硫化镓
{{Chembox | ImageFile = Ga2S3-1.png | ImageSize = | ImageAlt = | IUPACName = | OtherNames = 三硫化二镓硫化镓(III) | NameEn = gallium trisulfidedigallium trisulfidegallium sesquisulfide |Section1= |Section2={{Chembox Properties |…
溴化镓
溴化镓 (GaBr3)是一种化合物，也是四种之一。 溴化镓是一种白色固体，会与水反应。固体溴化镓在室温下稳定，主要以二聚体形式存在。 制备 制备GaBr3的一种方法是在真空下存在液体溴的情况下加热元素镓。在高度放热的反应之后，将混合物静置，然后进行各种纯化步骤。从20世纪初开始，这种方法仍然是制备GaBr3的有用方法。从历史上看，镓是通过在KOH溶液中电解氢氧化物而获得的，但是如今，它是作为铝和锌生产的副产品而获得的。 GaBr3 也可…
镓宾
镓宾是一类电中性及一价镓的化合物，它们是稳定卡宾或末端的类似物。常见的配体有β-二亚胺、Pincer配体及过渡金属配体。 β-二亚胺镓宾的合成与反应如下： : 镓宾可以与异氰酸酯发生[1+2]环加成反应，裂解C=O和C=N键。 : 参考文献