砷化鎵
砷化鎵（化學式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用來製作微波積體電路、紅外線發光二極體、半导体激光器和太陽電池等元件。砷化镓為1類致癌物。 GaAs化合物半导体特别适合应用于无线通信中的高频传输领域，现在越来越多被应用于射频前端器件，这是因为GaAs化合物半导体电子迁移率比传统的硅快，且具有抗干扰、低噪声与耐高电压、耐高温与高频使用等特性，在4G与5G时代有高度需求。 性质 砷化镓…
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氮化鋁
{{Chembox | Name = 氮化铝 | NameEn = Aluminium nitride | ImageFile = Aluminium Nitride.jpg | ImageName = 氮化铝粉末 | OtherNames = 氮化铝 | ImageFile1 = Wurtzite polyhedra.png | Reference = | Section1 = | Section2 = {{Chembox Prope…
氮化鋁鎵
氮化鋁鎵（AlGaN）是由氮化鋁和氮化鎵混合所組成的半導體。 AlxGa1−xN的能隙可以從 4.3eV（xAl=0）到6.2eV（xAl=1）。 AlGaN是發光二極管的材料，可以在藍光到紫外线的範圍內運作，其波長最低可到遠紫外線的250 nm，有些記載的資料甚至可以低到222 nm，也用在藍光激光二極管內。 AlGaN也可以用於紫外线輻射的偵測器，以及用在AlGaN/GaN的高电子迁移率晶体管內。 AlGaN常和氮化鎵或氮化鋁一起使…
氮化銦鎵
]] 氮化銦鎵（InGaN, InxGa1−xN）是由氮化鎵和氮化銦混合的半导体，是三元的三五族直接带隙半導體。其能隙可以用調整銦的比例來調整。 InxGa1−xN的直接带隙範圍從InN的紅外線（0.69 eV）到GaN的紫外線（3.4 eV）之間。In/Ga的比例介於0.02/0.98到0.3/0.7之間。 應用 LED 氮化銦鎵是現代藍色或綠色LED的發光層，通常是長晶在GaN緩衝層上，在蓝宝石或碳化硅的透明基板。氮化銦鎵有高熱容量…
磷化銦鎵
磷化銦鎵（Indium gallium phosphide，簡稱InGaP）也被稱為磷化鎵銦（GaInP），是由磷、銦和鎵組成的半導體。因為其電子速率比常見的矽及砷化鎵要快，常用於高速或是高功率的電子元件中。 磷化銦鎵常用在高電子移動率電晶體（HEMT）及异质结双极性晶体管（HBT）結構中，但也用在太空應用的高速率太陽能電池，若加入鋁（合金）可以製作高亮度的橘紅色、橘色、黃色及綠色發光二極體。 磷化銦鎵是磷化銦及磷化鎵的合金。 Ga0.…
磷化鎵
磷化鎵（GaP）是鎵的磷化物，是無機化合物，也是半導體材料，其間接能隙為2.26eV（300K）。其多晶的材料為淡橙色。未摻入雜質的單晶晶片會是透明的橙色，但大量摻入雜質的晶片因為吸收自由電子，其顏色會變深。磷化鎵無味，不會溶於水。 若要變成N型半導體，需要掺杂硫或是碲，若要製作P型半導體，需要掺杂鋅。 磷化鎵常用在光學系統中，其折射率在波長262 nm (UV)時為4.30，波長550 nm (green)時為3.45，波長840 n…