替伊莫單抗
替伊莫單抗，全名為替伊莫單抗替尤西坦（INN：，發音：）是一種治療非何杰金氏淋巴瘤的單株抗體與藥物。 本藥由鼠源免疫球蛋白G1（IgG1）抗體替伊莫單抗與螯合劑替尤西坦（tiuxetan）組成，再結合放射性同位素（釔-90或）而成。替尤西坦是DTPA（二乙烯三胺五乙酸）的改良型，其碳骨架含有異硫氰酸苄基（isothiocyanatobenzyl）及甲基。 參考文獻 外部連結
标签：#铟化合物
共 37 篇文章
钇铟锰蓝
{{Infobox |abovestyle = background:#cfc; |title = 钇铟锰蓝 |image = |caption = 钇铟锰蓝的晶体结构（结构中各平面层有畸变，实际晶体并没有垂直于63螺旋轴的镜面） |headerstyle = background:#ccf; |header1 = 识别 |label2 = 化学式 |data2 = {{chem2|YIn_{1−x}Mn_{x}O3}} |label3…
硫酸铟
{{chembox | Watchedfields = changed | verifiedrevid = 441619171 | Name = 硫酸铟 |CustomizedImage= | OtherNames = 硫酸铟(III) |Section1= |Section2= |Section3= |Section4= |Section5= |Section7={{Chembox Hazards | ExternalSDS = [h…
硝酸铟
硝酸铟是一种无机化合物，化学式为In(NO3)3，存在无水物、一水物、三水物等。 制备 硝酸铟的水合物可以通过铟和浓硝酸的反应制备。 :In + 4 HNO3 → In(NO3)3 + NO + 2 H2O 无水硝酸铟通过氯化铟(III)和五氧化二氮反应得到。 反应 硝酸铟在硝酸根过量的环境下会形成[In(NO3)4]-离子。 参考资料
環戊二烯基銦(I)
Chemical compound 环戊二烯基铟(I)，化學式為C5H5In，通常缩写为CpIn（Cp−為環戊二烯基陰離子），是一种含有+1氧化态铟的有机铟化合物，具有半夹心结构的环戊二烯基络合物。它是第一个 (1957年 ) 被發現報告的低价有机铟化合物。 制备和化学性質 环戊二烯基铟(I)可以輕易地通过氯化铟(I)与環戊二烯基鋰反应制备： : InCl +CpLi->CpIn +LiCl 环戊二烯基铟(I)可与三氟化硼、三氯化硼、三…
草酸铟
草酸铟是一种化合物，化学式为In2(C2O4)3。它的水合物可由氯化铟和草酸在水溶液中反应制得。其六水合物在75 °C分解，得到五水合物，在197 °C得到无水物，272 °C生成氧化铟。 参考文献
锑化铟
锑化铟（InSb）是一种由铟（In）和锑（Sb）元素组成的金屬間化合物，可由铟和锑兩種單質高溫反應製得。锑化铟是一种半导体材料，廣泛應用於製備、紅外線導引导弹制导和红外天文学等領域。锑化铟於1951年首次被發現。 参考文献
氢化铟
{{Chembox | verifiedrevid = 443954142 | ImageFile= Indigane-3D-balls.png | SystematicName = Indigane (substitutive) Trihydridoindium氢化铟在基质隔离和实验中已观察到。 气态氢化铟的稳定性也被预测。 它的红外线光谱已由氢气气氛下，气态铟的获得。三氢化铟是一种硼族元素的氢化物，没有实际用途。 化学性质 固态 I…
磷酸铟
磷酸铟是一种无机化合物，化学式为InPO4。 制备 磷酸铟可以通过氯化铟与磷酸反应制得： :InCl3 + H3PO4 -> InPO4 + 3 HCl 其二水合物可由氢氧化铟和磷酸在氟化氢和奎宁环存在下反应制得。 可溶性铟盐与酸性或中性的磷酸盐在水中反应，均会生成磷酸铟沉淀。 性质 磷酸铟具有正交晶型，空间群为Cmcm。在压力高于12 GPa时，会转变为四方晶系结构。 参考文献
甲酸铟
甲酸铟是铟和甲酸根离子形成的盐之一，化学式为In(HCOO)3。它存在正盐以及In2(HCOO)5(OH)、In(HCOO)2(OH)等多种碱式盐。它也可由碳酸铟或硝酸铟和甲酸反应得到。 结构及性质 甲酸铟是六方晶系晶体，空间群P63。 甲酸铟和吡啶的加合物不稳定。 参考文献
氧化铟锡
和ITO玻璃的吸收光谱]] 氧化铟锡 (ITO，或者掺锡氧化铟)是一种铟（III族）氧化物 (In2O3) and 锡（IV族）氧化物 (SnO2)的混合物，通常质量比为90% In2O3，10% SnO2。它在薄膜狀時，為透明無色。在块状态时，它呈黄偏灰色。 氧化铟锡主要的特性是其电学传导和光学透明的组合。然而，薄膜沉积中需要作出妥协，因为高浓度电荷载流子将会增加材料的电导率，但会降低它的透明度。 氧化铟锡薄膜最通常是用电子束蒸鍍、物…
氮化鋁銦
氮化鋁銦（InAlN）是氮化銦和氮化鋁混合物組成的三五族半導體，用在电子学和光子学設備裡，和廣泛使用的氮化鎵性質類似。氮化鋁銦有大的直接带隙，在高達1000 °C的溫度下仍可以穩定工作，因此在需要良好穩定性及可靠度中的應用領域上，會特別關注此半導體，像是。InAlN的高电子迁移率晶体管（HEMT）因為其晶格可以和氮化鎵配合，可以避免像氮化鋁鎵HEMT的失效原因，因此在此產業中很受到注意。 InAlN的外延長晶是用有机金属化学气相沉积法或…
氮化銦鎵
]] 氮化銦鎵（InGaN, InxGa1−xN）是由氮化鎵和氮化銦混合的半导体，是三元的三五族直接带隙半導體。其能隙可以用調整銦的比例來調整。 InxGa1−xN的直接带隙範圍從InN的紅外線（0.69 eV）到GaN的紫外線（3.4 eV）之間。In/Ga的比例介於0.02/0.98到0.3/0.7之間。 應用 LED 氮化銦鎵是現代藍色或綠色LED的發光層，通常是長晶在GaN緩衝層上，在蓝宝石或碳化硅的透明基板。氮化銦鎵有高熱容量…
二(三甲基硅基)氨基铟(III)
二(三甲基硅基)氨基铟(III)是一种无机化合物，化学式为In[N(TMS)2]3，其中TMS表示三甲基硅基。它可由三氯化铟和二(三甲基硅基)氨基锂在乙醚中反应制得。它和羧酸在甲苯中反应，可以得到[H3O]x[NH4]yIn(ORc)z（Rc为羧酸根）。 参考文献
磷化銦
磷化銦（Indium phosphide，InP）是由磷和銦組成的二元半導體材料，磷化銦和砷化鎵及大部份的三五族半導體相同，都是面心立方（闪锌矿）晶體結構。 製備 磷化銦可由白磷及碘化銦在400 °C下反應來製備。 用途 磷化銦因為電子速率較常見的矽半導體及砷化鎵都要高，可用在高功率高頻的電子電路中。磷化銦因為有，適合作像雷射二極體等光電工程元件。磷化銦也用在為基礎的光電元件中的磊晶基板。 化學 在面心立方（闪锌矿）晶體結構的化合物中，…
磷化銦鎵
磷化銦鎵（Indium gallium phosphide，簡稱InGaP）也被稱為磷化鎵銦（GaInP），是由磷、銦和鎵組成的半導體。因為其電子速率比常見的矽及砷化鎵要快，常用於高速或是高功率的電子元件中。 磷化銦鎵常用在高電子移動率電晶體（HEMT）及异质结双极性晶体管（HBT）結構中，但也用在太空應用的高速率太陽能電池，若加入鋁（合金）可以製作高亮度的橘紅色、橘色、黃色及綠色發光二極體。 磷化銦鎵是磷化銦及磷化鎵的合金。 Ga0.…
氮化銦
氮化銦（InN）是一種小能隙的半導體材料，在太陽能電池及其他高速電子學上有潛在的應用。 依溫度的不同，氮化銦的能階可以到約~0.7 eV（以往認定的值是1.97 eV）。其有效電子質量已由高磁場的測量所確認 ,， m=0.055 m0。氮化銦和氮化鎵的合金為三元体系的氮化銦鎵，其直接能階從紅外線（0.69 eV）延伸到紫外線（3.4 eV）。 目前有關氮化銦的研究是發展氮化物基礎半導體的太陽能電池。利用合金氮化銦鎵，可以對應太陽光的頻譜…
氮化鋁銦鎵
氮化鋁銦鎵（AlGaInN）是以氮化鎵為基礎的化合物半導體，是氮化鎵、氮化鋁、氮化銦的混合物，常用磊晶成長的方式製成，像是有机金属化学气相沉积法（MOCVD）、分子束外延（MBE）、脉冲激光沉积（PLD）等方式。此材料用在特別的光電應用中，像是藍光雷射LED及藍光LED等。透過調整鋁、銦、鎵的比例，可以調整其能隙等參數。 安全性和毒性 有關氮化鋁銦鎵的毒性目前尚未完全研究。其粉末會刺激皮膚、眼睛和肺部。有關氮化鋁銦鎵製備原料（像三甲基铟…
九氯化五铟
九氯化五铟是一种无机化合物，化学式为In5Cl9，它是铟的氯化物之一，可由铟和三氯化铟反应制得，或由一氯化铟和三氯化铟反应得到。它在256 °C。 相关化合物 二氯化铟（InCl2，CAS号）在一篇1983年的文献中被认为并不存在，而是含In5Cl9的混合物。 参考文献
氢氧化铟
氢氧化铟是一种无机化合物，化学式为In(OH)3，它最主要的用途是制备氧化铟(III)。它在自然界中以稀有矿物羟铟石的形式存在。 结构 In(OH)3属立方晶系，空间群Im3，有扭曲的ReO3结构。 制备和反应 用含In3+的溶液，如In(NO3)3或InCl3，和氢氧化物反应，得到白色沉淀In(OH)3。 类似氢氧化镓（Ga(OH)3）和氢氧化铝（Al(OH)3），氢氧化铟呈两性，但酸性要比它们低，它在任何用途中都可看作是碱性氢氧化物…