氮化钇
氮化钇是一种无机化合物，化学式为YN，它在标准状况下是蓝紫色或接近黑色的晶体，和氮化钛及一氮化锆有着相似的机械性质。 制备 它可以直接由元素化合得到： : \mathsf{ 2Y + N_2 \ \xrightarrow{760^oC}\ 2YN }, 但这种方法会因为原料中含有的微量氧化物而降低产物纯度。因此，它通常用氢化钇和氨反应来制备： : \mathrm{YH_3 + NH_3 \longrightarrow YN + 3 \ …
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二氰乙炔
二氰乙炔(Dicyanoacetylene)，又称为低氮化碳或2-丁炔二腈（IUPAC命名法），是一种氮元素与碳元素形成的化合物，化学式为C4N2。这种分子的空间构型为直线形：N≡C−C≡C−C≡N（通常可以简写成NC4N），叁键与单键交替连接形成共轭体系。它可以看做乙炔中的两个氢原子被两个氰基所取代的产物。 在室温下，二氰乙炔是一种澄清的液体。由于它的标准摩尔生成焓正值很大，是一种吸热化合物，它可以爆炸并生成碳粉和氮气。二氰乙炔在常壓…
氮化钽
氮化钽（TaN）是一种化合物，是钽的氮化物。该类化合物存在多种物相，化学计量比范围从Ta2N到Ta3N5，其中包括TaN。 作为薄膜，氮化钽在计算机芯片的后道工序中用作铜互连之间的扩散阻障层和绝缘层。氮化钽也用于制造薄膜电阻。 相图 钽-氮体系包含多种状态，包括氮在钽中的固溶体以及数种氮化物相，由于存在晶格空位，其化学计量比可能偏离预期值。对富氮的“TaN”进行退火处理，可使其转化为TaN和Ta5N6的两相混合物。 θ-TaN的热导率为…
四氮化四硒
四氮化四硒是一种无机化合物，化学式为Se4N4，受热或受力易爆。二氧化硒和Me3SiN=PMe3（Me为甲基）在4 °C时于乙腈中反应，可以结晶出β-Se4N4。 性质 四氮化四硒不稳定，遇到震动极易爆炸： : Se4N4 → 4 Se + 2 N2↑ 四氮化四硒和干燥的溴化氢反应，得到Se4N3Br。和六氯化钨在沸腾的二氯甲烷中反应，得到[WCl4(NSeCl)]2。 它和一些金属盐反应，也能产生含Se2N2单元的化合物，如(AlBr…
五氮化三磷
五氮化三磷是一种无机化合物，化学式 P3N5。它是磷的一种氮化物。虽然已经对其各种应用进行了研究，但这并没有导致五氮化三磷有任何重要的工业用途。它是一种白色固体，尽管样品经常因杂质而呈现其它颜色。 制备 五氮化三磷可以由含有磷(V)的化合物和含有氮阴离子的化合物（例如氨和叠氮化钠）：类似的方法可以用来制备氮化硼 (BN) 和氮化硅 (Si3N4)，不过产物通常是不纯和无定形的。 五氮化三磷晶体可以由氯化铵和或五氯化磷反应而成： :3 P…
一氮化磷
一氮化磷是一种无机化合物，化学式为PN，是一种二元氮化物。它是第一种被确定的含磷星际分子。它在木星和土星大气中存在。 单分子PN只在高温存在，在室温时为无色长链聚合物。它可以由五氮化三磷在800 °C时的热分解得到。 参考文献
氮化鍶
氮化锶是由金属锶在空气（反应后得到的是氮化锶和氧化锶的混合物）或氮气中燃烧生成的。和其他金属氮化物一样，它与水反应后得到氢氧化锶和氨。 制备 氮化锶可由金属锶和氮气直接反应制备，反应在380℃开始进行，460℃反应速率达到最大： :\mathrm{3\ Sr + N_2 \rightarrow Sr_3N_2} 反应 氮化锶和水反应放出氨气： :\mathrm{Sr_3N_2 + 6\ H_2O \rightarrow 3\ Sr(OH…
氮化鎵
氮化鎵（GaN、），為氮與鎵的化合物，是一種III族與V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。此化合物為一種非常堅硬的材料，具有纖鋅礦晶體結構。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電工程中，例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體，可以在不使用非線性半导体泵浦固体激光（Diode-pumped solid-state laser）光學頻率倍增的條件下，產生紫光（405 …
氮化硼
氮化硼是一種由相同數量的氮原子（N）和硼原子（B）組成的二元化合物，其實驗式是BN。氮化硼和碳是等電子的，並和碳一樣，氮化硼有多种同质异形体，其中六方氮化硼（α-BN）结构則類似於石墨，是一種十分實用的潤滑劑，立方氮化硼（β-BN）结构類似於鑽石，硬度仅低于金刚石，但耐高温性优于金刚石。 六方氮化硼 六方氮化硼（英语：hexagonal boron nitride）又称h-BN、α-BN或g-BN（graphitic BN），结构类似於…
氮化铬
{{chembox | verifiedrevid = 442260841 | ImageFile =Chromium-nitride-xtal-3D-SF.png | ImageSize = | ImageName =Chromium nitride | IUPACName = Chromium nitride | OtherNames = 氮化铬(III) |Section1= |Section2= |Section4={{Chem…
氮化鈉
{{Chembox | Watchedfields = changed | verifiedrevid = 451382465 | Name = 氮化鈉 | ImageFile = Rhenium-trioxide-unit-cell-3D-balls-A.png | IUPACName = Sodium nitride | Section1 = | Section2 = {{Chembox Properties | Formula =…
氮化鋰
氮化鋰是由氮和鋰組成的化合物，化學式為Li3N。氮化鋰是鹼金屬氮化物中熱穩定性最高的化合物，也是當中唯一一個可以在室溫下製備的化合物。氮化物熔點很高，常溫下為紫色或紅色的晶状固體。 结构 氮化鋰的晶體構造相當特殊，可分為二層：其中一層為 Li2N−，其中的氮原子为六配位；而另一層只有鋰離子。氮化鋰是一種且其電導率比其他無機的鋰鹽都高。目前已有許多研究是針對氮化鋰作為電池固體電極及陰極材枓的應用。 制备 氮化鋰的製備可直接將元素氮和鋰直接…
一氮化锆
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氮化鋁
{{Chembox | Name = 氮化铝 | NameEn = Aluminium nitride | ImageFile = Aluminium Nitride.jpg | ImageName = 氮化铝粉末 | OtherNames = 氮化铝 | ImageFile1 = Wurtzite polyhedra.png | Reference = | Section1 = | Section2 = {{Chembox Prope…
氮氧化硅
氧氮化硅是一种化学式为SiOxNy的陶瓷材料。在无定形形态下，其组成可在SiO2（二氧化硅）与Si3N4（氮化矽）之间连续变化，但唯一已知的中间晶相为Si2N2O。 它以稀有矿物的形式存在于某些陨石中，也可在实验室中合成。 特性 （PDCs）。利用陶瓷先驱体聚合物，可采用常用于聚合物的成型技术制备复杂形状的致密或多孔氧氮化硅陶瓷。 应用 可采用多种等离子体沉积技术在硅片上生长氧氮化硅薄膜，作为微电子领域中替代二氧化硅和氮化矽的介电层，具…
氮化鋁鎵
氮化鋁鎵（AlGaN）是由氮化鋁和氮化鎵混合所組成的半導體。 AlxGa1−xN的能隙可以從 4.3eV（xAl=0）到6.2eV（xAl=1）。 AlGaN是發光二極管的材料，可以在藍光到紫外线的範圍內運作，其波長最低可到遠紫外線的250 nm，有些記載的資料甚至可以低到222 nm，也用在藍光激光二極管內。 AlGaN也可以用於紫外线輻射的偵測器，以及用在AlGaN/GaN的高电子迁移率晶体管內。 AlGaN常和氮化鎵或氮化鋁一起使…
氮化鋁銦
氮化鋁銦（InAlN）是氮化銦和氮化鋁混合物組成的三五族半導體，用在电子学和光子学設備裡，和廣泛使用的氮化鎵性質類似。氮化鋁銦有大的直接带隙，在高達1000 °C的溫度下仍可以穩定工作，因此在需要良好穩定性及可靠度中的應用領域上，會特別關注此半導體，像是。InAlN的高电子迁移率晶体管（HEMT）因為其晶格可以和氮化鎵配合，可以避免像氮化鋁鎵HEMT的失效原因，因此在此產業中很受到注意。 InAlN的外延長晶是用有机金属化学气相沉积法或…
氮化銦鎵
]] 氮化銦鎵（InGaN, InxGa1−xN）是由氮化鎵和氮化銦混合的半导体，是三元的三五族直接带隙半導體。其能隙可以用調整銦的比例來調整。 InxGa1−xN的直接带隙範圍從InN的紅外線（0.69 eV）到GaN的紫外線（3.4 eV）之間。In/Ga的比例介於0.02/0.98到0.3/0.7之間。 應用 LED 氮化銦鎵是現代藍色或綠色LED的發光層，通常是長晶在GaN緩衝層上，在蓝宝石或碳化硅的透明基板。氮化銦鎵有高熱容量…
氮化钒
氮化釩，化學式為VN的化合物。 在氮化鋼鐵以增大耐磨性時會形成氮化釩。 另一相中，也被認為是氮化釩的V2N，可以在氮化過程中與VN伴生。 氮化釩為立方晶系，岩鹽結構，低溫下可形成含V4聚集的形式。 氮化釩材料是種強結合的超導體。 納米級氮化釩晶體據稱有潛力製作成雙電層電容器。 參考來源
五氮化三钽
五氮化三钽是一种无机化合物，化学式为Ta3N5。它可用作光电催化剂。 制备及反应 五氮化三钽可由和氨气在1000 °C反应制得。 : Ta3N5 + 3 MNH2 → 3 MTaN2 + 2 NH3 它和硫化钠、硫在高温反应，可以得到Na3TaS4。 参考文献