氮化鋁鎵

氮化鋁鎵（AlGaN）是由氮化鋁和氮化鎵混合所組成的半導體。

AlxGa1−xN的能隙可以從
4.3eV（xAl=0）到6.2eV（xAl=1）。

AlGaN是發光二極管的材料，可以在藍光到紫外线的範圍內運作，其波長最低可到遠紫外線的250 nm，有些記載的資料甚至可以低到222 nm，也用在藍光激光二極管內。

AlGaN也可以用於紫外线輻射的偵測器，以及用在AlGaN/GaN的高电子迁移率晶体管內。

AlGaN常和氮化鎵或氮化鋁一起使用，以形成异质结。

AlGaN層常會長晶在氮化鎵上，基質是蓝宝石或(111)的矽，幾乎都會有額外的氮化鎵層。

安全性和毒性
有關氮化鋁鎵的毒性目前尚未完全研究。其粉末會刺激皮膚、眼睛和肺部。有關氮化鋁鎵製備原料（像三甲基镓和氨）的議題以及標準有机金属化学气相沉积法來源的工業衛生監控，目前已有文獻对其综述。

參考資料
外部連結
*[http://www.semiconductor-today.com/features/PDF/SemiconductorToday_Mar2014-Gallium-nitride.pdf Gallium nitride quantum dots and deep UV light emission.] GaN in AlN