磷化铝
磷化鋁（英文：aluminum phosphide）是一種化學式為AlP的高毒性無機化合物，可以作為寬能隙的半導體和熏蒸劑。此無色固體在市面上通常會是灰綠色或是灰黃色粉末則是因為水解和氧化產生了雜質。 性質 磷化鋁晶體的顏色通常為暗灰色或暗黃色，具有閃鋅礦晶體結構，在300K的晶格常數為5.4510Å，在1000 °C（1830°F）以下非常穩定。 磷化鋁與水或酸反應產生磷化氫。 :AlP + 3 H2O → Al(OH)3 + PH3…
标签：#III-V半導體材料
共 19 篇文章
砷化鎵
砷化鎵（化學式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用來製作微波積體電路、紅外線發光二極體、半导体激光器和太陽電池等元件。砷化镓為1類致癌物。 GaAs化合物半导体特别适合应用于无线通信中的高频传输领域，现在越来越多被应用于射频前端器件，这是因为GaAs化合物半导体电子迁移率比传统的硅快，且具有抗干扰、低噪声与耐高电压、耐高温与高频使用等特性，在4G与5G时代有高度需求。 性质 砷化镓…
砷化硼
砷化硼是一个由砷和硼构成的化合物。砷化硼是一个立方硫化锌型半导体，晶格常数为0.4777纳米，间接能带隙为1.5eV。能与砷化镓形成合金。 砷化硼也能以二十面体存在，B12As2，一般生成于基底上，如碳化硅。 应用 砷化硼可以用来制作太阳能电池。 參考
銻化鎵
銻化鎵為半導體材料之一，其中分子裡包含了銻和鎵，屬於III-V族，其能隙為 0.726ev，晶格常數是0.61 nm。銻化鎵通常可以用來做紅外檢測器、紅外發光二極體、電晶體、雷射二極體等用具。 參見 銻化鋁 碘化锑 参考文献 [http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/GaSb/ NSM] [https://web.archive.org/web/20071206070335/http://ww…
氮化鎵
氮化鎵（GaN、），為氮與鎵的化合物，是一種III族與V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。此化合物為一種非常堅硬的材料，具有纖鋅礦晶體結構。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電工程中，例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體，可以在不使用非線性半导体泵浦固体激光（Diode-pumped solid-state laser）光學頻率倍增的條件下，產生紫光（405 …
磷化硼
磷化硼（BP）是由硼元素与磷元素组成的无机化合物，属于一种半导体材料。 制备 早在1891年，法国化学家亨利·莫瓦桑就合成了磷化硼晶体。 以下几种方法可制备磷化硼： 单质硼和红磷的混合物加热到900°C-1000°C 热分解PCl3·BCl3 硼与磷化锌或磷化氢反应 氢气还原三氯化硼和红磷的混合物 三氯化硼与磷化物进行复分解反应。 外观 纯净的磷化硼几乎是透明的，n-型晶体是橙红色的，然而p-型的却是暗红色的。 化学性质 磷化硼与沸腾的…
氮化硼
氮化硼是一種由相同數量的氮原子（N）和硼原子（B）組成的二元化合物，其實驗式是BN。氮化硼和碳是等電子的，並和碳一樣，氮化硼有多种同质异形体，其中六方氮化硼（α-BN）结构則類似於石墨，是一種十分實用的潤滑劑，立方氮化硼（β-BN）结构類似於鑽石，硬度仅低于金刚石，但耐高温性优于金刚石。 六方氮化硼 六方氮化硼（英语：hexagonal boron nitride）又称h-BN、α-BN或g-BN（graphitic BN），结构类似於…
锑化铟
锑化铟（InSb）是一种由铟（In）和锑（Sb）元素组成的金屬間化合物，可由铟和锑兩種單質高溫反應製得。锑化铟是一种半导体材料，廣泛應用於製備、紅外線導引导弹制导和红外天文学等領域。锑化铟於1951年首次被發現。 参考文献
氮化鋁
{{Chembox | Name = 氮化铝 | NameEn = Aluminium nitride | ImageFile = Aluminium Nitride.jpg | ImageName = 氮化铝粉末 | OtherNames = 氮化铝 | ImageFile1 = Wurtzite polyhedra.png | Reference = | Section1 = | Section2 = {{Chembox Prope…
氮化鋁鎵
氮化鋁鎵（AlGaN）是由氮化鋁和氮化鎵混合所組成的半導體。 AlxGa1−xN的能隙可以從 4.3eV（xAl=0）到6.2eV（xAl=1）。 AlGaN是發光二極管的材料，可以在藍光到紫外线的範圍內運作，其波長最低可到遠紫外線的250 nm，有些記載的資料甚至可以低到222 nm，也用在藍光激光二極管內。 AlGaN也可以用於紫外线輻射的偵測器，以及用在AlGaN/GaN的高电子迁移率晶体管內。 AlGaN常和氮化鎵或氮化鋁一起使…
氮化鋁銦
氮化鋁銦（InAlN）是氮化銦和氮化鋁混合物組成的三五族半導體，用在电子学和光子学設備裡，和廣泛使用的氮化鎵性質類似。氮化鋁銦有大的直接带隙，在高達1000 °C的溫度下仍可以穩定工作，因此在需要良好穩定性及可靠度中的應用領域上，會特別關注此半導體，像是。InAlN的高电子迁移率晶体管（HEMT）因為其晶格可以和氮化鎵配合，可以避免像氮化鋁鎵HEMT的失效原因，因此在此產業中很受到注意。 InAlN的外延長晶是用有机金属化学气相沉积法或…
氮化銦鎵
]] 氮化銦鎵（InGaN, InxGa1−xN）是由氮化鎵和氮化銦混合的半导体，是三元的三五族直接带隙半導體。其能隙可以用調整銦的比例來調整。 InxGa1−xN的直接带隙範圍從InN的紅外線（0.69 eV）到GaN的紫外線（3.4 eV）之間。In/Ga的比例介於0.02/0.98到0.3/0.7之間。 應用 LED 氮化銦鎵是現代藍色或綠色LED的發光層，通常是長晶在GaN緩衝層上，在蓝宝石或碳化硅的透明基板。氮化銦鎵有高熱容量…
磷化銦
磷化銦（Indium phosphide，InP）是由磷和銦組成的二元半導體材料，磷化銦和砷化鎵及大部份的三五族半導體相同，都是面心立方（闪锌矿）晶體結構。 製備 磷化銦可由白磷及碘化銦在400 °C下反應來製備。 用途 磷化銦因為電子速率較常見的矽半導體及砷化鎵都要高，可用在高功率高頻的電子電路中。磷化銦因為有，適合作像雷射二極體等光電工程元件。磷化銦也用在為基礎的光電元件中的磊晶基板。 化學 在面心立方（闪锌矿）晶體結構的化合物中，…
磷化銦鎵
磷化銦鎵（Indium gallium phosphide，簡稱InGaP）也被稱為磷化鎵銦（GaInP），是由磷、銦和鎵組成的半導體。因為其電子速率比常見的矽及砷化鎵要快，常用於高速或是高功率的電子元件中。 磷化銦鎵常用在高電子移動率電晶體（HEMT）及异质结双极性晶体管（HBT）結構中，但也用在太空應用的高速率太陽能電池，若加入鋁（合金）可以製作高亮度的橘紅色、橘色、黃色及綠色發光二極體。 磷化銦鎵是磷化銦及磷化鎵的合金。 Ga0.…
氮化銦
氮化銦（InN）是一種小能隙的半導體材料，在太陽能電池及其他高速電子學上有潛在的應用。 依溫度的不同，氮化銦的能階可以到約~0.7 eV（以往認定的值是1.97 eV）。其有效電子質量已由高磁場的測量所確認 ,， m=0.055 m0。氮化銦和氮化鎵的合金為三元体系的氮化銦鎵，其直接能階從紅外線（0.69 eV）延伸到紫外線（3.4 eV）。 目前有關氮化銦的研究是發展氮化物基礎半導體的太陽能電池。利用合金氮化銦鎵，可以對應太陽光的頻譜…
锑化铝
銻化鋁（Aluminium antimonide）是一種半導體材料，為III-V 族，其中分子裡包含了銻和鋁，而它的晶格常數為0.61 nm，能隙在300K時是1.6 eV，至於它的直接能隙有2.22eV。 其他化合物 銻化鎵 銻化铟 *砷化鋁 参考资料
砷化铝
砷化鋁是一种半導體材料，它的晶格常數跟砷化鎵類似。砷化鋁的晶系為等軸晶系，熔點是1740 °C，密度是3.76 g/cm³，而且它很容易潮解。 参考文献
磷化鎵
磷化鎵（GaP）是鎵的磷化物，是無機化合物，也是半導體材料，其間接能隙為2.26eV（300K）。其多晶的材料為淡橙色。未摻入雜質的單晶晶片會是透明的橙色，但大量摻入雜質的晶片因為吸收自由電子，其顏色會變深。磷化鎵無味，不會溶於水。 若要變成N型半導體，需要掺杂硫或是碲，若要製作P型半導體，需要掺杂鋅。 磷化鎵常用在光學系統中，其折射率在波長262 nm (UV)時為4.30，波長550 nm (green)時為3.45，波長840 n…
砷化铟
砷化铟是一种无机化合物，化学式InAs，是一种半导体材料。它是灰色的立方晶体，熔点942 °C。 结构 砷化铟是立方ZnS结构，没有对称中心，所以[111]和[\overline{1 1 1}]晶面是不等价的。 参考资料