磷化銦

磷化銦（Indium phosphide，InP）是由磷和銦組成的二元半導體材料，磷化銦和砷化鎵及大部份的三五族半導體相同，都是面心立方（闪锌矿）晶體結構。

製備
磷化銦可由白磷及碘化銦在400 °C下反應來製備。

用途
磷化銦因為電子速率較常見的矽半導體及砷化鎵都要高，可用在高功率高頻的電子電路中。磷化銦因為有，適合作像雷射二極體等光電工程元件。磷化銦也用在為基礎的光電元件中的磊晶基板。

化學
在面心立方（闪锌矿）晶體結構的化合物中，磷化銦有最長壽命的光學声子。

參考資料
外部連結
*[http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InP/index.html Extensive site on the physical properties of indium phosphide] (Ioffe institute)
*[http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentCon.jsp?punumber=3525 InP conference series] at IEEE
*[http://www.azom.com/news.aspx?newsID=2888 Indium Phosphide and Indium Gallium Arsenide Help Break 600 Gigahertz Speed Barrier] (2005 news)