介电泳
介电泳（)是电介质在非均匀电场中受力的现象。 这一力的存在不需要物体本身带电。所有粒子在电场环境里都存在介电泳现象，然而力的大小很大程度取决于物质和粒子的电学性质，粒子的形状和大小，以及场强变化率。 因此，特定频率的电场可以有选择性地控制特定粒子。它被应用于细胞的分离以及纳米粒子和纳米线的定向和控制。 參考文獻
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共 67 篇文章
智能微塵
智能微塵()是一個新的工程概念，目的是讓擁有智能的無線傳感器縮小成如同約沙粒或塵埃的大小，檢測如溫度，振動等。每個智能微塵可以是一個無線傳感器網路中的節點，以收集信息，處理信息，和與其他的節點連接。 參看 TinyOS 神經塵 感測器網路 無線感測網路 參考資料 Smart Dust: Sensor Network Applications, Architecture and Design by Mohammad Ilyas, Imad…
扫描电化学显微镜
扫描电化学显微镜（，缩写SECM）基于电化学原理工作，利用驱动非常小的电极（探针）在靠近样品处进行扫描，样品可以是导体、绝缘体或半导体，可测量微区内物质氧化或还原所给出的电化学电流，进而确定界面上的电化学行为。目前可达到的最高分辨率约为几十纳米。这一技术也可以被用于微观刻印和微结构的创造 历史 1980年左右，超微电极的出现对于发展高敏感度电分析技术是关键的。将超微电极用作探针，就可以研究局部快速进行的电化学反应。1986年Engstr…
巴克明斯特富勒烯
巴克明斯特富勒烯（），分子式為C60，是富勒烯家族的一種，球狀分子，是最容易制备的一種，1985年英國化學家哈羅德·沃特爾·克羅托博士和美國科學家理察·斯莫利在萊斯大學製備出了第一種富勒烯。，因为没有足量的富勒烯用于实验，直到1990年后，Kriischmer等人第一次报道了大量合成C60的方法，才使得C60的研究得以大量展开。因为这个分子与建筑学家巴克明斯特·富勒设计的1967年世界博览会美国馆很相似，为了表达对他的敬意，将其命名为「…
男孩和他的原子
《男孩和他的原子》（）是一個由IBM研究院拍攝，於2013年發布至YouTube上的定格動畫短片，當中描繪了一名男孩與原子做了各種形式的動作。這部短片長度僅一分鐘，以掃描隧道顯微鏡將一氧化碳分子放大1億倍拍攝。拍攝團隊藉由操縱一氧化碳分子以拍攝242張相片，後製組合成一部動畫。 這部電影被《金氏世界紀錄大全》認證為世界上最小的定格動畫電影。拍攝這部短片的IBM科學家先前已研究出將原子磁化以增強檔案儲存效率的方法，這部短片即使用原子磁化的…
纳米结构物理学中的光耦合国际会议
纳米结构物理学中的光耦合国际会议（International Conference on Physics of Light–Matter Coupling in Nanostructures, PLMCN）是在基础物理学、半导体科学、纳米科学与技术等领域一年一次的国际性学术会议。 主题 历届会议 PLMCN0: 法国Saint-Nectaire (2000) [https://web.archive.org/web/2011100807…
电子束诱导沉积
电子束诱导沉积（Electron beam-induced deposition，EBID）是一种使用电子束分解气相分子，从而在衬底上的特定位置实现沉积生长的技术。 电子束诱导沉积实验中的电子束常常由扫描电子显微镜提供。这是因为扫描电子显微镜的电子束具有极高的空间精准度（可达纳米级别）；这也使得电子束诱导沉积具有生长出独立三维结构的潜能。 实验流程 电子束诱导沉积中的电子束往往由扫描电子显微镜或扫描透射电子显微镜提供，而离子束诱导沉积（…
14纳米制程
14纳米制程是半导体制造制程的一个水準。最早的14纳米器件是由英特尔于2014年制造。在14纳米中，使用了多重图形曝光模式。 2014年9月，英特尔推出第一代14nm處理器，採用Broadwell微架構。 参考文献
10纳米制程
10纳米制程是半导体制造制程的一个水準。 歷史 三星電子與聯發科在2017年推出10纳米器件，三星電子的Exynos 9 Octa 8895與高通的Snapdragon 835是首批量產供貨的10nm晶片產品，於第一季問世。 蘋果公司於2017年尾發表的Apple A10X（第二代iPad Pro）和Apple A11（iPhone 8及iPhone X）均由台積電10nm FinFET製程生產。 英特尔於2018年推出了第一款10nm…
32纳米制程
32纳米制程是半导体制造制程的一个水平。自2010年开始，英特尔和AMD开始制造32纳米的芯片产品。 32纳米的后继制程是22纳米。 具有32纳米制程的产品 * 英特尔Westmere、Sandy Bridge處理器。 参考文献
22纳米制程
22纳米制程是半导体制造制程的一个等級。自2012年4月开始22纳米的消费级CPU产品推出。 相比先前的制程，自22纳米制程开始，沟道长度不再成为最为重要的因素。 台積電研發出了20nmFinFET製程後，將其更名為16nm製程；比較Apple A9晶片的表現，台積電16nm的省電性，確實明顯優於三星的14nm。 22纳米的后继制程是14纳米。 参考文献
90纳米制程
90纳米制程是半导体制造制程的一个水平，大约于2004年至2005年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔、AMD、英飞凌、德州仪器、IBM和台積電所完成。 许多厂商使用了193纳米的波长来进行关键层级的光刻。 此外，12英寸晶圓在这个制程上成为主流。 具有90纳米制程的产品 IBM PowerPC G5 970FX 2004年 英特尔奔腾4 Prescott 2004年2月 AMD Athlon 64 Winchester…
65纳米制程
65纳米制程是半导体制造制程的一个技術水平。至2007年，英特尔、AMD、IBM、聯華電子、特许半导体和台积电等公司已有能力进行65纳米制程的量產。 当制程进入65纳米之时，用于进行光刻的光的波长是193纳米和248纳米。具有低于光波波长的制造厂要求使用一些特殊技术，比如光学邻近校正和相位移掩膜板技术。此外，12英寸晶圓在此制程開始成为主流。 具有65纳米制程的产品 Intel 奔腾4/奔騰D 2006年1月 Intel 酷睿2(Con…
金属富勒烯
金属富勒烯是将金属原子嵌入富勒烯碳笼而形成的一类新型内嵌富勒烯，同一碳笼内可以嵌入各种形态的金属原子，如单金属原子、同核或异核双金属团簇等。由于金属富勒烯同时具有金属和富勒烯的特性，使得它们在电子、能源、生物医学等方面有着广阔的应用前景，如用到X射线计算机断层成像（CT）的造影剂中 已有的金属富勒烯 Sc4C2@C80 ScYErN@C80 *Sc2C2@C68 医疗应用 金属富勒烯还可以提供将治疗性放射性离子携带到癌组织的方法。 参考…
碳纳米泡沫
碳纳米泡沫，碳元素的同素异形体之一，1997年由澳大利亚国立大学的Andrei V. Rode及其合作者发现。 碳纳米泡沫呈蛛网状，具有分形结构，有铁磁性。泡沫由许多原子团簇构成，每个含有约4000个碳原子，直径约6到9纳米；其中很多原子团连在一起，形成了纤细的网。在碳纳米泡沫中，有许多七边形的结构。研究者认为，七边形的结构造是它有很多未成对的电子的原因；泡沫也因此而具有了磁性，这是其他任何一种碳的同素异形体所没有的特性。研究者还发现，…
微流控
微流控是一种精确控制和操控微尺度流体的技术，尤其特指亚微米结构的技术。 特别的，微意味着以下的特性： 微小的容量（纳升，皮升，飞升级别） 微小的体积 低能量消耗 装置本身占用体积小 高度集中化 高度自动化 微流控利用对于微尺度下流体的控制，是一个包括了工程学，物理学，化学，微加工和生物工程的多交叉学科。 微流控在20世纪80年代兴起，并在DNA芯片，芯片实验室，微进样技术，微热力学技术得到了发展。 微流控研究的空间特征尺度范围在1微米(…
Millipede
Millipede是一种数据存储于聚合体层上的纳米量级“坑”中的非易失性存储器。这种存储器的读写由基于微机电系统的探针完成。这种存储技术允许每平方英寸上高于1TB的数据存储密度（1GB每平方厘米），是目前可用的磁介质存储设备的4倍。Millipede存储技术被追求作为硬盘驱动器中磁记录的潜在替代品，以及将技术的物理尺寸缩小到闪存介质的一种手段。 IBM在CeBIT 2005上展示了原型Millipede存储设备，并试图在2007年底之前…
奈米機器人學
纳米机器人学（nanorobotics）是建造纳米（10-9米）级别机器或者机器人的新兴学科。更具体来说，纳米机器人学指的是设计和建造由纳米或者分子级别的成分构成的、大小在0.1-10微米的纳米机器人（nanorobots）的纳米技术工程科学。这是一个当前正处于研發状态的设备，其英文为nanorobots,nanoids,nanites,nanomachines或者nanomites。 纳米机器很大程度上是在研究和开发阶段，但是一些初代…
分子機器
上行走的驱动蛋白是一种分子的生物学机器，使用纳米级的蛋白质结构域动力学。]] 分子機器（molecular machine）也稱為奈米機器（nanomachine）是由少量的分子所組成，可以對特定的刺激（輸入）產生準機械運動（輸出）的物體。分子機器一詞也常用來表示模仿巨觀世界機器功能的分子。在奈米科技中常提到分子機器，曾提出許多有複雜結構的分子機器，目標是要建構。分子機器可以分為合成的及天然的兩種。 有些分子系統可以使化學或是力學過程偏…
压电电子学
压电电子效应 是利用压电电势作为“门”电压对电荷载流子的传输特性进行调整和控制，可以用于制备新型的电子器件。压电电子学的基本原理是由佐治亚理工学院的王中林教授在2007年提出来的。 基于这个效应，已经制备了一系列的电子器件，包括压电电场栅控的场效应晶体管, 压电电场控制的二极管, 应变传感器, 力/流量传感器, 混合 场效应晶体管, 压电 逻辑门电路, 机电 存储器, 等等. 压电电子器件被认为是一个新的半导体器件种类。 压电电子学在传…