哈伯 - 韦斯反应
哈伯-韦斯反应（Haber–Weiss reaction），是在鐵離子的催化下，由H2O2（过氧化氢）和超氧化物（·O2−）反應生成·OH（羟自由基）。它由弗里茨·哈伯和他的學生於1932年首次提出。 参考文献
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共 7 篇文章
辐解
辐解（Radiolysis）又称射解，是分子在电离辐射下的离解。是指由于暴露于高能量通量中所导致的一个或几个化学键的断裂。辐射在本文中是指电离辐射；辐解因此区别于其他辐射导致的解离，例如光解的Cl2分子变成两个Cl-自由基（使用紫外线或可见光） 。 例如，水在阿尔法辐射下分解成一个氢自由基和羟基自由基，不同于水的离子化产生氢离子和氢氧根离子。电离辐射下浓缩溶液的化学性质非常复杂。辐解可局部改变氧化还原条件，因此可改变化合物的形态和溶解度…
维格纳效应
维格纳效应（，名自尤金·维格纳），也作击离效应（），指的是原子在经受中子辐射的时候会产生位移的现象。对于石墨晶体而言，以快中子为主导的维格纳效应会导致材料的晶体结构变形。1943年，美国化学家米尔顿·伯顿（）和T·J·纽伯特（）发现该效应。 参考资料
呕吐石
呕吐石（），曾被称为臭萤石 ，是一种放射性萤石，最早于1841年在巴伐利亚Wölsendorf发现，并在1862年命名。 它的特点是存在多种含氟的包裹體。当晶体被破碎时，氟会释放出来。据推测，铀包裹体产生的β粒子会不断将氟化钙分解成钙和氟原子。氟原子结合产生二氟阴离子，并在缺陷处失去多余电子后形成氟。氟随后与大气中的氧气和水蒸汽反应，产生臭氧（其特征气味，最初误认为是称为的假想物质，也是矿物名称的由來）和氟化氢。 参考資料 外部链接 *…
抗輻射強化
抗輻射強化是使電子元件和電路能夠抵抗高幅度游離輻射（粒子輻射和高能電磁輻射）造成的損壞或故障的過程， 特别適用於外太空（特别是在低地球軌道以外）、核反應堆和粒子加速器周圍，或在核事故或核戰期間的環境。 大多數半導體電子元件都易受輻射損傷，而抗輻射（ rad-hard ）元件是基於非抗輻射元件而製造的，並進行了一些設計和製造上的改進，以降低受輻射損傷的敏感性。由於生產耐輻射微電子晶片設計需要大量的開發和測試，抗輻射晶片的技術往往落後於最新…
中子活化
中子活化指將樣品用中子照射后，樣品中原子經中子俘獲而變得具有放射性的過程。俘獲中子後的原子核通常會立即衰變，釋放出中子、質子或阿爾法粒子同時生成新的活化產物。這些活化產物半衰期或長或短，從幾秒鐘到幾十年都有可能。核素鈷-60就是通過中子俘獲反應在核反應堆中製備 : + n → 鈷-60釋放出電子和伽馬射綫衰變成鎳-60，半衰期為5.27年。因爲其天然同位素鈷-59丰度為100%且容易獲得，因此鈷-60成爲一種易得、有效的放射源，廣泛用於…
激活产物
激活产物（）又稱為活化產物，是經中子活化后變得具有放射性的物質，比如核反應堆和原子彈中的結構材料，反應堆的冷卻劑，控制棒以及其他中子毒物。這些活化產物必須作為核廢料處理。反應堆主冷卻劑環路中活化產物的產生是核電站通常使用一系列並聯冷卻劑環路的主要原因。 聚變反應器中產生的聚變產物，比如氦-4，不具有放射性。但聚變反應會產生很高的中子通量，因此而生成的活化產物是一個主要問題。 活化產物中主要核素包括： 參考文獻 外部連結 [http://…