二氧化鈦
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在半导体产业中,高介电常数材料也称为高κ介电材料(high-κ dielectric)指与二氧化硅相比具有高介电常数的材料。高介电常数材料用于半导体器件制造过程中,通常用来替代二氧化硅栅介质或器件的其他介电层。高κ栅介质的应用是实现微电子元件进一步微型化的若干策略之一,俗称“延续摩尔定律”。 有时这些材料也称为“高k”(发音“kay”),而非“高κ”(kappa)。 高κ材料需求 二氧化硅()作为栅氧化层材料已使用数十年。随着MOSFE…
二氧化锆(化学式:ZrO2)是锆的主要氧化物,通常状况下为白色无臭无味晶体,难溶于水、盐酸和稀硫酸。一般常含有少量的二氧化铪。化学性质不活泼,但高熔点、高电阻率、高折射率和低热膨胀系数的性质,使它成为重要的耐火材料、陶瓷绝缘材料和陶瓷遮光剂亦是人工鑽的主要原料。能带间隙大约为5-7eV。 结构 自然界中以少见的斜锆石存在,为单斜晶系结构。高熔点的立方氧化锆也是二氧化锆晶型之一,自然界以等轴钙锆钛矿((Zr,Ti,Ca)O2)少量存在,但…
{{Chembox |CustomizedImage= | PIN = Hafnium(IV) silicate | SystematicName = Hafnium(4+) silicate | Section1 = | Section2 = {{Chembox Properties | Hf = 1 | O = 4 | Si = 1 | Appearance = 四方晶体 | Density = 7.0 g/cm3 | Meltin…
五氧化二钽(化学式:Ta2O5)是钽最常见的氧化物,也是钽在空气中燃烧生成的最终产物。 性质 白色无色结晶粉末。在1000~1200℃时仍保持白色,进一步升高温度则变为灰色。已知有两种变体:\rm \ \alpha \!-\!Ta_2O_5(高温型)和 \rm \ \beta \!-\!Ta_2O_5(低温型),从 \rm \ \beta-型转化为 \rm \ \alpha-型的温度为1360±5℃。\rm \ \alpha-型的熔点为…
硅酸锆(化学式:ZrSiO4)是一种无机化合物,为锆的硅酸盐。它在自然界中以锆石的形式存在。硅酸锆通常是无色的,但一些杂质会使其着色。它难溶于水、酸、碱或王水。其莫氏硬度为7.5。 参考文献
二氧化铪(化学式:HfO2)是最常见的铪化合物之一。 性质 白色或灰色粉末。不溶于水、盐酸和硝酸和其他一般无机酸,在氢氟酸中缓慢溶解生成氟铪酸盐。与热浓硫酸或硫酸氢盐作用生成硫酸铪。与碳在氯气存在下混合加热得到四氯化铪。与氟硅酸钾作用生成氟铪酸钾。与碳在1500℃以上反应得碳化铪(HfC)。是一种具有宽带隙(~6eV)和高介电常数的陶瓷材料。 有四方、单斜和三方三种晶形。单斜晶系的二氧化铪在1475~1600℃的足量氧气氛中转化为四方晶…