外延晶体管
“BCP53”PNP外延晶体管，采用SOT-223封装。]] 外延晶体管（）泛指包含一层或多层外延沉积层的晶体管。但该术语通常特指采用台面工艺或平面工艺的离散双极性晶体管（即外延台面晶体管与）。此类器件于1960年首次问世，凭借优异的电气特性，在1960年代初迅速成为最重要且应用最广泛的晶体管之一。 历史与背景 自1949年首个双极性晶体管投入实用以来，1950年代涌现了大量性能更佳的改进型号。在集成电路发明之前，业界仅生产离散晶体管或…
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台面晶体管
台面晶体管（mesa transistor）是一类双极性晶体管。在制造此类晶体管的基区与发射区后，会对其周围区域进行化学刻蚀深至集电极，使其呈现出台面（mesa，平頂山）的特征形状。与当时的常见晶体管类型相比，台面晶体管具备更优异的电气特性。 描述 其基区与发射区主要采用两种扩散工艺制造：扩散合金工艺（diffused-alloy process）与双扩散工艺（double-diffused process）。因此，台面晶体管属于。早期…
平面晶体管
平面晶体管（planartransistor）是一种依其制造工艺命名的晶体管类型。1959年，快捷半导体（Fairchild）的员工首次针对双极性晶体管提出了这种结构。同年，他申请了该晶体管及其制造工艺（即平面工艺）的专利。 在平面晶体管中，所有电学活性区（集电极C、基极B和发射极E）均位于平坦半导体晶体内部靠近表面处（其原型已采用硅材料）。在通过扩散工艺制造不同掺杂区的过程中，表面氧化层（二氧化硅）就已经开始保护这些对电学敏感的区域（…
晶体管
晶体管（），早期音译为穿细丝体，是一种类似于阀门的固体半导体器件，可以用于放大、开关、稳压、信号调制和许多其他功能。在1947年，由約翰·巴丁、沃爾特·布拉頓和威廉·肖克利所發明。當時巴丁、布拉頓主要發明半導體三極體；肖克利則是發明PN二極體，他們因為半導體及電晶體效應的研究獲得1956年諾貝爾物理獎。 電晶體由半導體材料組成，至少有三個對外端點稱之為極。以雙極性接面電晶體為例，有基極(B)、集極(C)、射極(E)，其中基極(B)是控制…
非绝缘栅场效应晶体管
非绝缘栅场效应晶体管（，简称NIGFET）是一类场效应晶体管。其原理是通过外加控制电压产生的垂直场效应来调制电流。当施加電壓时，半导体内部会形成空间电荷区，从而降低晶体管的电导率并控制电流。 NIGFET的常见类型包括： 结型场效应晶体管（，简称JFET） 金属半导体场效应晶体管（，简称MESFET） 文献 参见 绝缘栅场效应晶体管
绝缘栅场效应晶体管
，带有二氧化硅绝缘层（黄色）]] 绝缘栅场效应晶体管（insulated-gate field-effect transistor，IGFET），是场效应晶体管两大类之一的名称。与另一类具有非绝缘控制电极的场效应晶体管（，NIGFET）不同，IGFET的电流通过载流子静电感应进行控制，其栅极与导电沟道在电学上通过绝缘材料隔离。 IGFET也可以根据其典型的层状结构（金属-绝缘体-半导体，，MIS）被称为MISFET。通常，这类器件中最著…
单原子晶体管
单原子晶体管（）是一种通过控制并可逆地重新定位单个原子来开闭电路的器件。该单原子晶体管由Fangqing Xie博士于2002年在托马斯·席梅尔（Thomas Schimmel）教授的卡尔斯鲁厄理工学院课题组中发明并首次演示。通过对一个控制电极（即所谓的闸极）施加小电压，单个银原子可可逆地在微小结点内移入或移出，从而闭合或断开电接触。 因此，单原子晶体管作为原子级開關或原子继电器工作。可切换的原子在称为源极和漏极的两微小电极之间开合间隙…
高介电常数材料
在半导体产业中，高介电常数材料也称为高κ介电材料（high-κ dielectric）指与二氧化硅相比具有高介电常数的材料。高介电常数材料用于半导体器件制造过程中，通常用来替代二氧化硅栅介质或器件的其他介电层。高κ栅介质的应用是实现微电子元件进一步微型化的若干策略之一，俗称“延续摩尔定律”。 有时这些材料也称为“高k”（发音“kay”），而非“高κ”（kappa）。 高κ材料需求 二氧化硅（）作为栅氧化层材料已使用数十年。随着MOSFE…