绝缘栅场效应晶体管

，带有二氧化硅绝缘层（黄色）]]
绝缘栅场效应晶体管（insulated-gate field-effect transistor，IGFET），是场效应晶体管两大类之一的名称。与另一类具有非绝缘控制电极的场效应晶体管（，NIGFET）不同，IGFET的电流通过载流子静电感应进行控制，其栅极与导电沟道在电学上通过绝缘材料隔离。

IGFET也可以根据其典型的层状结构（金属-绝缘体-半导体，，MIS）被称为MISFET。通常，这类器件中最著名的代表MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的缩写被用作IGFET或MISFET的同义词。替代材料还包括氮化矽、聚合物（在基于有机半导体的较新电路中）或不同材料的组合（例如氮化物和氧化物，如金属-氮化物-氧化物-半导体场效应晶体管，MNOSFET）。

主要分为以下几种场效应晶体管类型（具有绝缘栅，IGFET）：

• 金属-绝缘体-半导体场效应晶体管（MISFET）

** 金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）
** 有机场效应晶体管（OFET）

• 化学敏感场效应晶体管（，ChemFET）

** 离子敏感场效应晶体管（ISFET）
** （ENFET）
** 电解质-氧化物-半导体场效应晶体管（electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor，EOSFET）

• （CNTFET）

文献
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