{{Chembox
|CustomizedImage=
| PIN = Hafnium(IV) silicate
| SystematicName = Hafnium(4+) silicate
| Section1 =
| Section2 = {{Chembox Properties
| Hf = 1
| O = 4
| Si = 1
| Appearance = 四方晶体
| Density = 7.0 g/cm3
| MeltingPtC = 2758
| Melting_notes = 。二氧化铪中的硅增大了能隙,同时降低相对电容率。此外,它还提高了非晶膜的结晶化温度,并进一步增强了材料在高温下与硅的热稳定性。有时会向硅酸铪中加入氮以提高热稳定性和设备的电性能。
参考資料
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