石墨烯纳米带
石墨烯纳米带是指大概宽度小于50 nm的石墨烯条带。其理论模型最初于1996年提出。 模型做出的計算，顯示出鋸齒形具有金屬鍵性質。]] 模型做出的計算，顯示出扶手椅形具有金屬鍵性質或半導體性質，依寬度而定。]] 电子结构 為了要賦予單層石墨烯某種電性，會按照特定樣式切割石墨烯，形成石墨烯纳米带（）。切開的邊緣形狀可以分為鋸齒形和扶手椅形。採用緊束縛近似模型做出的計算，預測鋸齒形具有金屬鍵性質，又預測扶手椅形具有金屬鍵性質或半導體性質；到…
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半导体材料
半导体材料是一类固体材料，其導電性介于导体和绝缘体之间，屬於半導體。 发展 1833年，英國的法拉第發現硫化銀是半導體材料，因為它的電阻隨著溫度上升而降低。 1874年，德國的布勞恩注意到硫化物的電導率與所加電壓的方向有關，這就是半導體的整流作用。 1947年12月23日，巴丁与布拉坦進一步使用點接觸電晶體製作出一個語音放大器，電晶體正式發明。 1958年9月12日，美國的基尔比，細心地切了一塊鍺作為電阻，再用一塊pn接面做為電容，製造…
二硅化钼
二硅化钼（， MoSi2 ）是一种钼的硅化合物，由于两种原子的半径相差不大，电负性比较接近，所以其具有近似于金属与陶瓷的性质。熔点高达2030℃，具有导电性，在高温下表面能形成二氧化硅钝化层以阻止进一步氧化，其外观为灰色金属色泽，源于其四方α-型晶体结构，也存在六角形但不稳定的β-改性晶体结构 。不溶于大部分酸，但可溶于硝酸和氢氟酸。 虽然二硅化钼在大于1000℃的高温下具有极高的抗氧化性和杨氏模量，但低温时易脆；另外在超过1200℃的…
石墨烯
晶格結構。]] 石墨烯（）又称單層石墨、碳单层，是由石墨剥层制造出几近透明的纯碳材料。石墨烯的碳原子以sp2杂化轨道組成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜，其厚度仅相当于1个碳原子的直径。石墨烯是導熱及導電性极佳的奈米材料，其電阻率（約10-6 Ω·cm）比銅或銀低，可用來發展出更薄、導電更快的新一代電子元件。 石墨烯以前被認為是假設性的結構，無法單獨穩定存在。 石墨烯目前是世上最薄卻也是最堅硬的纳米材料，它幾乎是完全透明的，只吸收2.3%的光…
氧化鋅
氧化鋅是锌的氧化物，难溶於水，可溶于酸和强鹼。它是白色固体，故又稱鋅白。它能通过燃燒鋅或焙烧闪锌矿（硫化锌）取得。在自然中，氧化鋅是礦物紅鋅礦的主要成分。人造氧化鋅有兩種製造方法：由純鋅氧化或烘燒鋅礦石而成。氧化锌作为添加剂在多种材料和产品有应用，包括塑料、陶瓷、玻璃、水泥、润滑剂、油漆、软膏、粘合剂、填隙材料、颜料、食品（ 补锌剂）、电池、铁氧体材料、阻燃材料和医用急救绷带等。 氧化锌是一种宽带隙半导体材料，室温下带隙约3.3eV，激…
二氧化鈾
{{chembox | verifiedrevid = 409010929 | Name = 二氧化铀 | NameEn = Uranium dioxide | ImageFile = Uranium_dioxide.svg | ImageFile1 = Uranium-dioxide-3D-vdW.png | ImageFile2 = UO2lattice.jpg | IUPACName = Uranium dioxide Urani…
硫化镉
硫化鎘是硫和镉的无机化合物，化学式为CdS。它是一种N型光电导半导体材料。属Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体。分子量144.476,属六方晶格结构，晶格常数5.86×10-10m,熔点1750℃，禁带宽度2.41电子伏,电子和空穴的迁移率分别为2×10-2和2×10-3米2/伏·秒，相对介电常数11.6。硫化鎘是一種黃色固體，幾乎不溶於水，普遍在閃鋅礦和纖鋅礦雜質中發現，這亦是鎘的主要來源。作為一種化合物，易於分離純化。 反應 硫化鎘與鹽酸反應，生…
辉钼矿
辉钼矿（）是钼的硫化物矿物，化学式为MoS2。輝鉬礦具有与石墨相似的外观和晶体结构，因此有润滑效果。其晶体結構由夹在两层硫原子之间的钼原子层組成。其Mo-S鍵很强，但在三層层间中，頂部和底部的硫原子之間的相互作用力较弱。因此辉钼矿易產生解理面。辉钼矿常見以六方晶系结晶为2H多型，或以三方晶系结晶为3R多型。 描述 產生 輝鉬礦產生於高溫熱液礦床中，它的伴生礦物包括黃鐵礦、黃銅礦、石英、無水石膏、螢石和白鎢礦。其重要礦床包括在新墨西哥州Q…
多晶硅
；右侧：多晶硅棒（上）和块体（下）]] 多晶硅（polycrystalline silicon或multicrystalline silicon），亦称polysilicon、poly-Si或mc-Si，是一种高纯度的多晶形式的硅，由细小的单晶硅构成，作为太阳能光伏和电子工业的原料使用。它不同于用于电子和太阳能电池的单晶硅，也不同于用于薄膜设备和太阳能电池的非晶硅。 多晶硅由冶金级硅通过一种称为西门子法（Siemens process）…
化合物半导体
化合物半导体或複合半導體（）是一类由化合物构成的半导体材料。化合物半导体中的化合物通常由两种或更多元素的原子构成。常见的化合物半导体由13至15族元素（三五半导体）构成。可能形成的化合物组合较多，这是因为可以有二元化合物（例如砷化镓）和三元化合物（例如）甚至四元化合物（例如AlInGaP合金）。 例子 氮化镓 砷化镓 砷化铟 硒化锌 硫化锌 碳化硅 * 硒化铟 参考文献
非晶硅
影像]] 非晶硅（Amorphous silicon, a-Si），又名无定形硅，是硅的一种同素异形体。晶体硅通常呈正四面体排列，每一个硅原子位于正四面体的顶点，并与另外四个硅原子以共价键紧密结合。这种结构可以延展得非常庞大，从而形成稳定的晶格结构。而无定性硅不存在这种延展开的晶格结构，原子间的晶格网络呈无序排列。换言之，并非所有的原子都与其它原子严格地按照正四面体排列。由于这种不稳定性，无定形硅中的部分原子含有。这些悬空键对硅作为导体…
氧化铜
{{Chembox | ImageFile = copperIIoxide.jpg | ImageSize = | IUPACName = Copper(II) oxide | OtherNames = 氧化铜（II） | Formula = CuO | Section1 = | Section2 = {{Chembox Properties | MolarMass = 79.545 | Density = 6.31 g/cm3 : C…
纳米晶硅
纳米晶硅(nc-Si)同非晶硅(a-Si)一样是硅的一种同素异形体。和非晶硅的区别在于，纳米晶硅具有小的无定形态的硅晶粒。相比之下，多晶硅完全由晶界相隔的硅晶体颗粒构成。纳米晶硅有时也被称为微晶硅(µc-Si)。差别只在于晶粒的颗粒大小。大部分颗粒大小在微米量级的材料实际上是精细颗粒多晶硅，所以纳米晶硅是一个更好的词。 由于纳米晶硅能够更好地吸收红波和红外波，它可以用制作硅太陽能電池。
一磷化铁
一磷化铁是一种无机化合物，化学式为FeP，是铁的磷化物之一，可以形成灰色的针状晶体。它可通过电解偏磷酸和氧化铁或氯化亚铁的混合物制得。其它制备一磷化铁的反应还有五羰基铁和三乙基膦的声化学反应、无水氯化铁和磷化钠在苯中的溶剂热反应等。它和锂可以发生电化学反应： : FeP + 3 Li → Li3P + Fe 参考文献
氯化铜
氯化铜是铜(II)的氯化物，化学式为。它是黄棕色固体，在空气中缓慢吸收水分生成蓝绿色的二水合物。自然界中氯化铜存在于很稀有的水氯铜矿中。 结构 无水CuCl2为变形碘化镉结构。由于姜-泰勒效应的缘故，涉及一对配体时，一个d电子定域在强反键的分子轨道中，因此大多数铜(II)化合物都与理想的八面体型结构有偏差。在CuCl2(H2O)2中，铜为高度变形的八面体构型，被两个水分子和四个氯离子配体所包围，配体还与其他Cu原子不对称桥联。 性质 氯…
二硒化铂
二硒化铂是一种无机化合物，化学式为PtSe2。它是层状物质，可以分成薄层至三原子厚的单层。厚度不同，PtSe2可以展现出半金属或半导体特性。 二硒化铂在自然界中以硒铂矿（Sudovikovite）的形式存在，该矿以俄罗斯石油学家N.G. Sudovikov（1903 - 1966）命名。矿石的硬度在2到2.5之间。硒铂矿发现于俄罗斯卡累利阿共和国的Zaonezhie半岛的Velikaya Guba铀钒矿床的Srednyaya Padma…