多晶硅

；右侧：多晶硅棒（上）和块体（下）]]
多晶硅（polycrystalline silicon或multicrystalline silicon），亦称polysilicon、poly-Si或mc-Si，是一种高纯度的多晶形式的硅，由细小的单晶硅构成，作为太阳能光伏和电子工业的原料使用。它不同于用于电子和太阳能电池的单晶硅，也不同于用于薄膜设备和太阳能电池的非晶硅。

多晶硅由冶金级硅通过一种称为西门子法（Siemens process）的化学提纯工艺生产。该工艺涉及挥发性硅化合物的蒸馏，以及在高温下将其分解生成硅。一个新兴的替代精炼工艺使用，成本更低。光伏行业亦生产“升级冶金级硅”（upgraded metallurgical-grade silicon，简称 UMG-Si），采用冶金而非化学的提纯工艺以降低成本，但牺牲了纯度。用于电子行业的多晶硅杂质含量通常低于十亿分之一（ppb），而多晶太阳能级硅（SoG-Si）通常纯度较低。在2010年代，产能呈向中国集中的趋势，中国企业占前十名中的七家，并约占全球总产能的90％，全球总产能约为1,400,000公吨（MT）。德国、美国和韩国企业占剩余市场份额。

多晶硅原料通常以西门子法制得的大直棒形式出现，工厂常将其按特定尺寸切碎并在洁净室包装后出货。，用于制造太阳能硅片；或者将原料送入再结晶工艺，以常用的直拉法（柴可拉斯基法）生长单晶硅锭（boule）。。排在前面的7家公司2010年产量超过全球多晶硅产量的79.2%。

参见
低温多晶硅

参考资料