NMOS逻辑
（1974年），由NMOS逻辑电路搭建。 }} 参考资料 外部链接 *
标签：#半導體
共 18 篇文章
四甲基氢氧化铵
四甲基氢氧化铵（TMAH或TMAOH）是一种分子式为 N(CH3)4+ OH− 的季铵碱，也是这类化合物中最简单的一种。这种物质只在五水合物时是一种相对稳定的固体形态。商业上，TMAH通常以水溶液、甲醇溶液或五水合物的形式销售。其固体和溶液均为无色，不纯时为黄色。纯净的TMAH几乎没有气味，但样品常有强烈的鱼腥味，因其含有三甲胺的不纯物。TMAH有大量、广泛的工业和科研用途，例如在半導體器件製造中的黃光製程中當顯影液（去光阻液）。 结构…
洛克定律
洛克定律（），又稱摩爾第二定律（），是半導體產業的一條經驗法則，指一座半導體製造廠（即晶圓廠）的興建成本大約每四年增加一倍。該定律以美國創業投資家為名，描述與摩爾定律相對的經濟面向：當積體電路上的電晶體數量持續密集化、單位運算成本不斷下降的同時，維持此一進展所需的資本投資卻反向地指數上升 }}
金属辅助化学蚀刻
金属辅助化学刻蚀（Metal Assisted Chemical Etching，简称MACE）是一种利用金属催化剂对半导体（主要为硅）进行湿法化学蚀刻的工艺。通常，将金属以薄膜或纳米粒子的形式沉积在半导体表面，随后将该金属覆盖的半导体浸入含有氧化剂和氢氟酸的刻蚀溶液中。在这一过程中，金属催化剂促进氧化剂的还原反应，从而加速硅的溶解。在大多数研究中，这种溶解速率的提升具有空间限制性，即仅在金属粒子附近的区域刻蚀速率显著增加。这一效应最终…
平带电势
在半导体物理学中，平带电势（flat band potential）定义了半导体与电解质或p-n结界面处不存在耗尽层的电势。这是由于电解质的氧化还原费米能级必须等于半导体的费米能级此外，它还用于中以确定半导体-电解质结的电容，并对光電化學電池的光电流起作用。 半导体物理背景 在半导体中，价电子位于能带中。根据能带理论，电子要么位于价带（低能量），要么位于导带（高能量），两者之间由能隙隔开。通常，电子将遵循费米-狄拉克分布占据不同的能级；…
拓扑绝缘体
拓扑绝缘体是一种内部绝缘，界面允许电荷移动的材料。 在拓扑绝缘体的内部，电子能带结构和常规的绝缘体相似，其费米能级位于导带和价带之间。在拓扑绝缘体的边界或是表面存在一些特殊的量子态，这些量子态位于块体能带结构的带隙之中，从而允许导电。拓扑绝缘体的块体可以用类似拓扑学中的亏格的整数表征，是拓扑序的一个特例。利用体边对应，可以预言材料在开边界条件下拓扑边缘态的性质。 预言和发现 受拓扑保护的边缘态（一维）在碲化汞/碲化镉量子阱中被预言于20…
質子刀
質子刀（），為粒子加速器的一種商業應用；其主要的應用領域在醫學上為癌症腫瘤的放射性治療，而在半導體或太陽能科學上則是切割晶圓(wafer)或太陽能基板(solar substrate)。 原理 質子刀之原理為利用帶正電荷的質子在電場中持續加速，達到一定速度和能量之後，射入標的物之內，利用布拉格尖峰(Bragg peak)現象，對特定標的物內在某一深度位置釋放大量能量，以達到對物體特定深度區域進行破壞之目的。質子刀屬於質子加速器的一種商業…
空穴
原子核後，会留下一个空穴，这会导致氦原子帶正电。]] 空穴又称-{zh-hans:电洞;zh-hant:空穴;}-、電子孔（Electron hole）、正孔，在固体物理学中指共價鍵上流失一个电子，最後在共價鍵上留下空位的現象。 一個呈電中性的原子，其正電的質子和負電的電子的數量是相等的。現在由於少了一個負電的電子，所以那裡就會呈現出一個正電性的空位——電洞。當有外面一個電子進來掉進了電洞，就會發出電磁波——光子。 電洞不是正電子，電子…
半导体
的價電帶與導電帶之間沒有距離，因此電子（紅色實心圓圈）可以自由移動。絕緣體的能隙寬度最大，電子難以從價電帶躍遷至導電帶。半導體的能隙在兩者之間，電子較容易躍遷至導電帶中。]] 半導體（, , ），是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质或材料。在一定温度范围内，半导体的电荷载流子浓度会随着温度升高而增加，在宏观上表现为电导率上升、电阻率下降；而在绝对零度时，则成为绝缘体。依有无加入掺杂剂，半导体可分为：本征半导体、杂质半导体（n型半导体、p…
高温工作寿命
高温工作寿命（，缩写为HTOL）是一种可靠性测试，应用于集成电路（IC），以确定其可靠性。此测试通过在升高的温度、高电压和动态操作下，对IC施加预定时间的应力来进行。在应力过程中通常对IC进行监测，并在中间间隔进行测试。此可靠性应力测试有时被称为“寿命测试”、“器件寿命测试”或“扩展燒機测试”，用于触发潜在失效模式并评估IC的。 存在几种类型的HTOL： AEC 文档。 JEDEC 标准。 军用标准。 设计考虑要素 HTOL的主要目标是…
反常光生伏特效应
反常光生伏特效应（）指从热力学观点，半导体器件所能产生的最大光生伏特电压应等于它的能带隙的宽度电压。但有些半导体和绝缘体，如ZnS,当用紫外光照射时，能产生开路电压比它的能带隙宽高的光生伏特电压.这种现象称为反常光生伏特效应。 这种效应所产生的都是指开路电压较高，有些情况下，能产生高达上千伏；但在闭路有电流时，则能产生很小的功率。因此，能产生反常光生伏特效应的材料，目前还都不能实用。 什麽材料才能发生反常光生伏特效应？根据大量数据总结，…
區域熔煉
正緩緩由上而下往金屬棒的另一端移動，把管中的一小段金屬熔成炙熱的熔融液。比起上圖普凡的水平式裝置，垂直式的區域熔煉裝置節省了一些實驗室空間。攝於1961年]] 区域熔炼（簡稱区熔；，或譯帶域熔化）——又稱區精煉（）或浮動區、浮區法、浮帶製程、FZ法（）——是一類纯化晶體（如金属和半导体）的方法。晶體上一個狹窄的區域熔融，此熔化區是沿晶體移動（在實踐中，晶體被拉動穿過加熱器）。熔化區將不純固體在固體前邊緣熔化并將更純的物質凝固在後邊留下。…
受体 (物理学)
原子在二維矽晶格中作為受體。]] 受體（）又稱受子、-{zh-cn:受体;zh-tw:受主}-、受主雜質，是P型半導體中所摻雜入的三價原子，如：硼、鋁、鎵、銦。換句話說，本質半導體摻雜入受體元素後就會變成P型半導體。
180纳米制程
180纳米制程，又稱0.18微米製程，是半导体制造制程的一个水平，大约于1999年至2000年左右达成。 这一制程是由当时领先的半导体公司如英特尔、德州仪器、IBM和台積電所完成的。 一些CPU最初是由这个制程所制造。其中包括英特尔奔腾III处理器。这是第一个沟道长度小于用于光刻的光的波长的制程。 具有180纳米制程的产品 英特尔 Coppermine 1999年10月 AMD Athlon Thunderbird 2000年6月 英特…
130纳米制程
130纳米制程，又稱0.13微米製程，是半导体制造制程的一个水平，大约于2000年至2001年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔、德州仪器、IBM和台積電所完成。 一些CPU最初是由这个制程所制造。其中包括英特尔奔腾III Tualatin处理器。这是第一个沟道长度小于用于光刻的光的波长的制程。 使用130纳米制程技术的处理器 摩托罗拉PowerPC 7447和7457 - 2002年 IBM （任天堂GameCube）…
扩散电流
扩散电流在半导体中因载流子（空穴或自由电子）扩散作用引起的电流。 半导体中的扩散电流可以与由于电场形成的漂移电流同向或者反向。在一个平衡状态的PN结中，耗尽层的正向扩散电流和反向扩散电流平衡，因而净电流为零。可以用漂移–扩散方程来统一描述扩散电流和漂移电流。 掺杂材料的扩散常数可以通过确定。 介绍 扩散电流与漂移电流 下面是这两种电流的对比： : 载流子运动 扩散电流存在无需在半导体上外加电场。这是因为扩散作用是由载流子浓度的变化，而不…
本征激发
当有能量大于禁带宽度的光子照射到半导体表面时，满带中的电子吸收这个能量，跃迁到导带产生一个自由电子和自由空穴，这一过程称为本征激发。 参考资料 王秀山与宋登元, 温差致冷红外探测器 . 传感器世界, 1998年 01期. 相关条目 半导体 * 能带理论
C-V特性曲线
C-V特性曲线（电容电压特性曲线）是用来测量半导体材料和器件的一种方法。当所加电压改变时，电容被测出。方法是使用金属-半导体结（肖特基势垒）或者PN结或者场效应管来得到耗尽层（其中载流子被全部抽走，但仍然有离子化的施主或晶体缺陷）。当电压改变时，耗尽层深浅也发生变化。 应用 该测量方法可以得到关于半导体掺杂，晶体缺陷之类的特性。 厚度下的C-V特性曲线。]] 金属-氧化物-半导体结构的C-V特性 金属-氧化物-半导体结构是MOSFET的…