标签:#半导体分析

共 5 篇文章

原子力显微镜

样品产生的成像假像]] 原子力显微镜(,简称AFM),也称扫描力显微镜(,SFM)是一种纳米级高分辨的扫描探针显微镜,优于光学衍射极限1000倍。原子力显微镜的前身是扫描隧道显微镜,是由IBM苏黎士研究实验室的 ,格尔德·宾宁和格贝尔在1986年在扫描隧道显微镜(STM, Scanning Tunnelling Microscope )的基础上设计而来。 格爾德·賓寧、魁特(Calvin Quate)和格贝尔(Gerber)于1986年…

表面光电压

表面光电压(surface photovoltage,SPV)测量是测定半导体少数载流子扩散长度的常用方法。由于少数载流子的输运机制决定了半导体器件中pn结的行为(此类结构在半导体中无处不在),因此表面光电压数据对于分析器件性能极具价值。SPV作为一种非接触式测量技术,无需制备复杂的歐姆接觸或特殊器件结构,故常用于表征机制尚不明确的化合物半导体。 理论 所示。]] 顾名思义,SPV测量的原理是利用光源产生电子-空穴对,并同步监测半导体表…

高温工作寿命

高温工作寿命(,缩写为HTOL)是一种可靠性测试,应用于集成电路(IC),以确定其可靠性。此测试通过在升高的温度、高电压和动态操作下,对IC施加预定时间的应力来进行。在应力过程中通常对IC进行监测,并在中间间隔进行测试。此可靠性应力测试有时被称为“寿命测试”、“器件寿命测试”或“扩展燒機测试”,用于触发潜在失效模式并评估IC的。 存在几种类型的HTOL: AEC 文档。 JEDEC 标准。 军用标准。 设计考虑要素 HTOL的主要目标是…

过渡金属二硫属化物单层

过渡金属二硫属化物(TMD或TMDC)单层材料是MX2类型的原子层半导体材料薄膜,其中M是过渡金属原子,包括钼(Mo)、钨(W)等,X是硫族原子,包括硫(S)、硒(Se)、碲(Te)。一层M原子夹在两层X原子之间,即构成该二维材料。与第一行过渡金属二硫化物相比,这些材料的关键特征是二维结构中大原子间的相互,WTe2表现出反常的巨磁阻和超导性。 而WSe2作为一种二维材料,广泛应用于电子器件、光电器件、能源存储与转换以及传感器等领域,具有…

故障分析

故障分析,又称为故障诊断,是指为了确定故障原因以及如何防止其再次发生而收集和分析数据的过程。故障分析乃是制造行业众多分支之中的一门重要学科。例如,在电子行业,新产品开发和已有产品改进时的重要手段就是故障分析。在故障分析过程中,需要采用各种各样的方法和手段,收集故障部分的数据和信息,以便用于故障原因(一种或多种)的后续分析。 参见 因果关系 因果链 根本原因 根本原因分析 失效模式与影响分析 (FMEA) 五个为什么 故障率 工程技术鉴定…