硅
的一名光學儀器專家手持着國際阿伏伽德羅協作組織的一千克單晶體矽製球體]]，是一種化學元素，化學符號为'，原子序數为14。 硅是外观帶著灰藍色金屬光澤且堅硬易碎的晶體，亦是一種四價的類金屬半導體。矽為週期表第十四族元素之一：碳在其排序之上，其下依序為鍺、錫、鉛和鈇。硅相对不活泼。硅是植物体内若干生理和新陈代谢活动的必需元素。硅作为一种半导体材料在多种电子设备中广泛使用，例如晶体管，太阳能电池和集成电路。硅由于其低成本、优异的电气性质和灵活…
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共 9 篇文章
应变硅
应变硅是指内部硅原子间距被拉伸并超出正常值的硅层。将硅层置于矽鍺（）衬底上即可实现此结构。由于底部硅锗层的原子排列比体硅晶体更稀疏，硅层原子在与其对齐时，硅原子间的化学键会发生拉伸，进而形成应变硅。硅原子间距增大减弱了干扰电子穿过晶体管的原子间作用力，提升了迁移率。这不仅改善了芯片性能，也降低了能耗。此类电子的移动速度最高可提升70%，使应变硅晶体管的开关速度提升35%。 近期的技术进展包括采用金属有机气相外延（MOVPE）沉积应变硅。…
矽光子學
矽光子學是針對以矽為光學介質的光子学系統的研究和應用。一般會在矽晶片裡以次納米精度進行佈局，形成元件。矽光子學使用的矽一般會在晶圓的最上層，類似微电子学的SOI（Silicon On Insulator），因此也稱為SOI。 光在矽元件中的傳播和許多非线性光学現象有關，包括克爾效应、拉曼效应、雙光子吸收以及光子和自由载流子之間交互作用。非線性特性的存在非常重要，這讓光可以被動傳輸以外，還可以讓光和光之間有交互影響，因此可以有波長轉換、全…
热氧化
热氧化是硅的一种改变表面特性的工艺，在这一过程中于硅衬底（例如硅晶圓）或由硅构成的局部结构表面生成一层薄的非晶二氧化硅。该工艺在半导体技术中用于制造微电子电路等。该过程基于氧气向硅中扩散并在约1100 °C以上与硅发生化学反应。该工艺时间非常短，也称为“”（Rapid Thermal Oxidation，RTO），用于制备非常薄的二氧化硅层（2-O2燃烧法。所有变体的氧化过程可归纳为三步：(i) 气态反应物（例如氧气或水）向衬底表面的传…
硅基生物
硅基生物（）是指以硅元素为有机物质基础的假想生物。其主要化學骨架可能以矽取代碳，形成類似有機分子功能的結構，所以称作硅基生物。虽然硅基生物至今只是假说而被主流学界认为尚未发现实例，但它却一直是学术界和科幻小说中的热门话题。 硅基生物的概念最初由波茨坦大学的天体物理学家儒略·申纳尔在1891年于他的一篇探讨以硅为基础的生命存在的可能性的文章中提出。英国化学家詹姆士·爱默生·雷诺兹接受了他的观点后，于1893年在英国科学促进协会的一次演讲中…
有机发光晶体管
有机发光晶体管（，简称OLET；也称有机发光敏晶体管）*是一种新型的发光晶体管。该种晶体管已被声称具有显示器和片上光互連的潜力。OLET是一种新的发光概念，可以采用标准的微电子学技术轻松地集成在如硅、玻璃、纸张等基板上。 OLET与有機發光二極體（OLED）的不同之处在于，有源矩阵可以完全由OLET制成，而OLED必须与诸如TFT的开关元件组合。 参见 發光二極管（LED） 有機發光二極體（OLED） 有机场效应晶体管（OFET） 参考…
直接法
直接法，又称直接合成法、罗肖法、穆勒-罗肖法，是工廠生產有机硅化合物最常用的技术。该方法最早出現於于20世纪40年代。 该工艺基于铜催化烷基卤化物与单质硅的反应。尽管理论上該工藝适用于所有烷基卤化物，但氯甲烷（CH₃Cl）在产率方面表现最佳，反应条件为300°C温度与2-5巴压力，此条件下硅的转化率可达90-98%，氯甲烷转化率为30-90%。全球每年通过此法生产的二甲基二氯硅烷（Me₂SiCl₂）约达140万吨。 參考文獻
矽的同位素
矽（原子量：28.0855(3)）共有23個已知同位素，質量數介於22-44之間，其中有3個是穩定的，其他都具有放射性。天然存在的矽同位素有5個，分別是穩定的28Si、29Si、30Si和具放射性的31Si及32Si，31Si及32Si在自然界中僅痕量存在，為宇宙射線散裂所產生。其餘同位素都不出現在自然界中，只有在實驗室製造出來過，且半衰期都極短，非常不穩定。 圖表 |- | rowspan=2|22Si | rowspan=2 sty…
各國矽產量列表
本列表列出各國矽年產量(2016年)，根據美國地質調查局統計資料。 參考文獻