应变硅
应变硅是指内部硅原子间距被拉伸并超出正常值的硅层。将硅层置于矽鍺（）衬底上即可实现此结构。由于底部硅锗层的原子排列比体硅晶体更稀疏，硅层原子在与其对齐时，硅原子间的化学键会发生拉伸，进而形成应变硅。硅原子间距增大减弱了干扰电子穿过晶体管的原子间作用力，提升了迁移率。这不仅改善了芯片性能，也降低了能耗。此类电子的移动速度最高可提升70%，使应变硅晶体管的开关速度提升35%。 近期的技术进展包括采用金属有机气相外延（MOVPE）沉积应变硅。…
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共 8 篇文章
宽带隙半导体
宽带隙半导体（也称为WBG半导体或WBGS ）是比传统半导体具有更大带隙的半导体材料。硅等传统半导体的带隙在 0.6 – 1.5 电子伏特 (eV) 范围内，而宽带隙材料的带隙范围在 2 eV 以上。 一般来说，宽带隙半导体的电子特性介于传统半导体和绝缘体之间。 宽带隙半导体器件可以在比硅和砷化镓等传统半导体材料高得多的电压、频率和温度下运行。它们是用于制造短波LED或激光器的关键组件，也用于某些射频应用，特别是军用雷达。它们的内在品质…
有機半導體
的超分子鏈在石墨上自行組裝的掃描隧道顯微鏡影像。]] 有機半導體是具有半導體性質的有機材料。單分子短鏈（低聚物和有機聚合物）可以是半導體。半導體小分子（芳香族烴類）包括的多環芳族化合物，並五苯，蒽，以及紅螢烯。聚合物有機半導體包括聚（3 -己基噻吩），，以及聚乙炔及其衍生物。 有兩個主要的重疊類有機半導體。這些有機電荷轉移複合物和線性骨幹的導電聚合物都來自聚乙炔。線性主鏈的有機半導體包括聚乙炔本身和它的衍生物聚吡咯和聚苯胺。至少在那裡，…
窄带隙半导体
窄带隙半导体是指带隙小于0.5 eV，或红外吸收截止波长超过2.5微米的半导体材料。更广义的定义包括带隙小于硅（1.1 eV）的所有半导体。 现代太赫兹、红外 和热成像 技术均基于此类半导体。 窄带隙材料应用于红外探测器和红外领域，以实现卫星遥感、远程通讯的光子集成电路 和无人驾驶车辆的Li-Fi系统 。这种半导体材料也是太赫技术的材料基础，其应用包括探测隐藏武器的安全监视系统 、太赫兹断层扫描的安全医疗和工业成像系统 ，以及介电尾场加…
简并半导体
。是杂质半导体的一种，它具有较高的掺杂浓度，因而它表现得更接近金属。 比較 退化態半導體(Degenerate semiconductors): 高摻雜 高的電子或電洞濃度 依循包立不相容原理(Pauli's exclusion principle) 非退化態半導體(Non degenerate semiconductors): 輕摻雜 較少的的電子或電洞濃度 *違反包立不相容原理(Pauli's exclusion principle…
杂质半导体
杂质半导体（）又称外质半导体、非本征半导体，是掺杂了杂质的半导体，即在本征半导体中加入掺杂物，使得其电学性质较无杂质半导体发生了改变，其电荷载流子浓度取决于杂质或其他缺陷。 杂质半导体一般分为含n型或p型的杂质，在一定条件下（例如加热），可迫使其标准状态产生新的电子带或电子间隙，分别称为n型半导体与p型半导体。 n型半导体 n型半导体（n-type semiconductor）又称电子型半导体，因掺有“施-{}-主杂质”使其原子的电子密…
磁性半导体
磁性半导体（）是一种同时体现铁磁性和半导体特性的半导体材料。如果在设备里使用磁性半导体，它们将提供一种新型的导电方式。尽管传统的电子技术基于载流子（N型或者P型），实用的磁性半导体允许对量子自旋的控制。理论上，这将提供接近完全的自旋极化（在铁等材料中仅能提供至多50%的极化），这是自旋电子学的一个重要应用，例如自旋晶体管（）。 相關連結 大野英男 外部链接 * Halbleiter#Semimagnetische Halbleiter
本征半导体
本徵半導體（）又稱本質半導體、無雜質半導體、純半導體、I型半導體，是指没有外掺杂（未摻入雜質）且晶格完整的纯净晶体半导体，其参与导电的自由电子（带负电荷的载流子）和空穴（-{zh-cn:电洞;zh-tw:空穴}-，带正电荷的载流子）的浓度相等且处于平衡状态。此处“本征”表明能显示此半导体物质本身的特征。 相對於本質半導體，摻入雜質（doping）而含有雜質的半導體叫做雜質半導體（Extrinsic semiconductor）。 参考來…