质量作用定律 (电子学)
质量作用定律在电子学和半导体物理学中，是将熱平衡下自由电子与空穴的浓度联系起来的定律。它指出，在热平衡条件下，自由电子浓度n与自由空穴浓度p的乘积等于本征载流子浓度n_\text{i}的平方常数，本征载流子浓度是温度的函数。 半导体的质量作用定律方程为：np = n_ \text{i}^{2} 载流子浓度 在半导体中，自由电子和空穴是提供导电性的载流子。对于载流子数远小于能带态数的情况，可用麦克斯韦-玻尔兹曼统计近似载流子浓度，得到下述…
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輸入失調電壓
輸入失調電壓（），或者簡稱失調電壓(, V_{OS})，是在差動放大器，特別是在差動輸入的運算放大器中，使得輸出電壓恆定為零的兩個輸入端的直流電壓之差。而當我們短接該差動放大器的兩個輸入端並連接到地，將會在輸出端存在一個直流電壓，稱為輸出失調電壓（），其電壓大小相當於輸入失調電壓的大小與電壓增益的積。 理想差動運算放大器中，若輸入電壓為零（即把兩個輸入端短路並接地），輸出電壓必為零。然而，由於製造工藝或製造過程中不可避免的偏差，實際的差…
高通快充
高通快充（，簡稱：QC 或 QC快充）是高通驍龍单片系统中的快速充電技術，使裝置的充電速率能高於標準USB。自QC3.0開始該驅動技術被命名為INOV，有許可充電電壓量化等級後的獨立版本編號。QC4隨2016年的驍龍835推出，增加額外的安全措施防止過充和過熱，並依循USB電源規格。 版本 注釋 参考文献 相關條目 USB Power Delivery VOOC 外部連結 [https://www.qualcomm.com/quickc…