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金属有机物化学气相沉积

金属有机物化学气相沉积（MOCVD，Metal-organic Chemical Vapor Deposition），是在基板上生长半導體薄膜的一種方法。 其他類似的名稱如：金属-有机化合物/金属有机化合物气相外延生长法（；；）等，其中字母 或 指的是半導體薄膜生长過程中所採用的反應源為有機金屬化合物。而後面三個字母 或是 用于区分形成的膜的晶体特性。一般 所指的是非晶体薄膜的沉积；而所指晶体膜的外延生长。 MOCVD是一种用于制备单晶…