K·p微扰论

K·p微扰论又名K·p微扰法，是固体物理中用来计算固体能带结构和光学性质的一种微扰方法，因微扰哈密顿算符中出现了正比于简约波矢（k）与动量算符（p）内积的项而得名。该方法可以近似估计半导体中的电子在导带底的有效质量。

推广
如果考虑自旋-轨道作用，仍然可以用类似方法处理。此时“哈密顿算符”应写为：
:H_{\mathbf{k}} = \frac{p^2}{2m} + \frac{\hbar}{m}\mathbf{k}\cdot\mathbf{p} + \frac{\hbar^2 k^2}{2m} + V + \frac{\hbar}{4 m^2 c^2} (\nabla V \times (\mathbf{p}+\hbar\mathbf{k}))\cdot \vec \sigma

如果u_{n,\mathbf{0}}有简并，需要使用简并微扰理论。可以处理这类问题。

参见
*布洛赫定理
参考文献