次级发射

中产生的次级电子维持]]
中应用的次级发射。当光线照射到光电阴极时，初始发射的电子被加速撞击到倍增极（dynode）电极上，撞击出更多的电子，随后这些电子又撞击第二个倍增极。每个入射电子都会产生多个次级电子，从而使级联的倍增极链放大初始电子数量。]]
在粒子物理学中，次级发射（secondary emission）是一种物理现象，指具有足够能量的初级入射粒子在撞击表面或穿过某种物质时，诱导产生次级粒子的发射。该术语通常指带电粒子（如电子或离子）在真空管中撞击金属表面时，金属表面发射出电子的现象；这些电子被称为二次電子。在这种情况下，每个入射粒子所发射的次级电子数量被称为“次级发射产额”（secondary emission yield）。如果次级粒子是离子，则该效应被称为“次级离子发射”。次级电子发射被应用于光电倍增管和中，以放大由光电发射产生的少量光电子，从而提高器件的灵敏度。它也是电子真空管中一种不受欢迎的副作用，即当来自阴极的电子撞击阳极时，可能会引起寄生振荡。

应用
次级发射材料
常用的次级发射材料包括：

锑化碱金属
氧化铍（BeO）
氧化镁（MgO）
磷化鎵（GaP）
砷化磷镓（GaAsP）
氧化铅（PbO）

光电倍增管及类似器件
在光电倍增管中，一个或多个电子从发射出来，并被加速射向一个抛光的金属电极（称为倍增极，dynode）。这些电子以足够的能量撞击电极表面，通过次级发射释放出数量更多的电子。这些新产生的电子随后被加速射向另一个倍增极，该过程重复多次，最终实现通常在一百万倍量级的总增益（“电子倍增”），从而在最后一个倍增极上产生可检测的电子电流脉冲。

类似的電子倍增管可用于探测电子或离子等快粒子。

历史应用
特殊放大管
20世纪30年代，人们开发出特殊的放大管，通过让电子束撞击倍增极并将其反射到阳极，刻意地“折叠”了电子束路径。这在管体尺寸不变的情况下，增加了板极-栅极距离，从而提高了电子管的跨导并降低噪声系数。此类典型的“轨道束六极管”（orbital beam hexode）如1939年推出的RCA 1630。由于此类管内强烈的电子流会迅速损坏倍增极表面，与传统电子管相比，其寿命通常非常短。

早期计算机存储管
第一种随机存取计算机存储器使用了一种称为威廉姆斯管（Williams tube）的阴极射线管，它利用次级发射在管面上存储比特。另一种基于次级发射的随机存取计算机存储管是选数管（Selectron tube）。这两种技术均因磁芯存储器的发明而被淘汰。

不良效应——四极管
次级发射在四极管热电子阀（电子管）中可能产生负面影响。在这种情况下，带正电的帘栅极（screen grid）可能会将电子流加速到足以在阳极（板极）处引起次级发射。这会导致过大的帘栅极电流。它也是导致这类电子管（特别是早期阳极未经过减少次级发射处理的类型）表现出“負阻”特性的部分原因，这可能导致电子管变得不稳定。这种副作用可以被利用，例如将某些旧式电子管（如77型五极管）用作（dynatron oscillator）。后来，通过在四极管中增加第三个栅极（称为抑制栅极，suppressor grid）来排斥电子使其回到板极，从而解决了这一效应。这种电子管被称为五极管。

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