台積電亞利桑那州廠

台積電亞利桑那州廠（，台積電編制順序為晶圓二十一廠），是台積電位於美國亞利桑那州鳳凰城的半導體製造園區，2025年開始投產。其晶圓製造廠是該公司首次在美國興建的廠房之一，且總投資承諾達1650億美元，是美國製造業中規模最大的外國直接投資之一。

2025年，台積電董事長魏哲家宣布，待全部完工後，亞利桑那州廠將形成一個「超大型晶圓廠（gigafab）」聚落，包含六座晶圓廠、兩座先進封裝設施，以及一座研發中心。

歷史
2020年，台積電宣布計畫在美國亞利桑那州鳳凰城興建一座晶圓廠（Fab 21），預計於2024年開始投產，月產能為20,000片晶圓。當時，台積電表示將把其最新的5奈米製程導入亞利桑那廠區，這與其過去僅在美國設置較成熟製程的做法有顯著不同。該亞利桑那工廠預計要到2024年才會完全投入運作，而屆時5奈米製程預計將被台積電3奈米製程取代，成為最新技術。該廠在啟用時預期將成為美國最先進的晶圓廠。台積電計畫自2021年起，在八年內對該專案投資120億美元，並表示該園區將創造約1,900個全職工作機會。

2022年12月，台積電宣布將其在亞利桑那州的投資擴大為原先的三倍，以因應美中關係日益緊張以及供應鏈中斷所導致的晶片短缺。同月，台積電指出其在美國面臨嚴重的成本問題，因為在美國建設廠房與設施的成本約為台灣同類工廠的4至5倍（主因包括較高的勞動成本、繁瑣的行政程序以及訓練成本），此外也面臨合格人才不足的困難（公司已聘用美國員工並將其送往台灣進行12至18個月的訓練）。這些額外的生產成本將使台積電在美國製造的晶片成本至少比在台灣製造的高出50%。

2024年4月，美國商務部同意依據《晶片與科學法》提供台積電66億美元的直接補助，以及最高50億美元的貸款，用於在亞利桑那州建設半導體製造設施。

2024年10月，外界披露台積電廠區周邊的開發計畫將命名為「Halo Vista」，預計開發約3,500英畝土地，內容涵蓋餐廳、飯店、住宅及其他混合用途設施。此外，還將設立「Sonoran Oasis研究與科技園區」，以協助建立供應鏈並促進創新發展，其角色類似於台灣的新竹科學園區對台積電的支援。同月，拜登簽署了兩黨共同提出的《美國晶片建設法案》（Building Chips in America Act），該法案旨在簡化晶片製造項目相關的聯邦許可流程和豁免部份環境評估的審查，從而加快《晶片與科學法》簽署後政府補貼的審批速度和加強半導體產業的開發 。

截至2025年3月，計畫投資額已由650億美元增加1000億美元至1650億美元。

2025年7月，台積電董事長魏哲家表示，在追加1000億美元投資後，公司將加快多座製造設施的建設進度。他指出，該由六座設施組成的「gigafab」聚落完工後，將承擔台積電在亞利桑那州約30%的2奈米及更先進製程的半導體產能。

廠房設置
參考資料
外部連結
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