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平面工艺是半导体产业中用于构建单个晶体管的各个组件，并将这些晶体管连接在一起的制造工艺。它是制造硅集成电路芯片的主要工艺，也是制造半导体器件时生成结的最常用方法。该工艺利用表面钝化和热氧化方法。
平面工艺由快捷半导体于1959年开发，该工艺被证明是半导体技术中最重要的进展之一。1957年，Frosch和Derick制造了首批二氧化硅场效应晶体管，这是第一种源极和漏极在表面相邻的晶体管，证明了二氧化硅表面钝化可以保护并绝缘硅晶圆。
的技术重要性在贝尔实验室迅速得到认可。他们的成果以BTL备忘录的形式在实验室内部流传，并于1957年正式发表。在肖克利半導體實驗室，威廉·肖克利于1956年12月向其高级员工（包括）分发了该论文的预印本。后来，赫爾尼在一次会议上听取了关于基于贝尔实验室成果的钝化论文。贝尔实验室的K. E. Daburlos和H. J. Patterson同时进行了类似研究，也在同一时期发展出与赫爾尼相似的工艺。
早期平面工艺版本使用来自汞蒸气灯的近紫外光进行光刻曝光。至2011年，小尺寸特征通常采用193 nm“深紫外”光刻技术。至2022年，艾司摩爾的NXE平台在极紫外光刻（13.5 nm）中使用锡基等离子体光源。
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参考
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