RCA洗净（）是一组标准的晶片洗净步骤，用于在进行高温工艺（如氧化、扩散、化学气相沉积）前，对晶圓进行处理，在半导体制造中具有关键作用。

该工艺由Werner Kern于1965年在美國無線電公司（RCA）工作期间所开发。它包括依次进行以下化学处理过程：

有机污染物的去除（有机洗净 + 微粒洗净）

薄氧化层的去除（氧化层剥离，可选步骤）

离子污染物的去除（离子洗净）

标准流程
晶片在处理前需先浸泡于去离子水中。如果污染严重（如可见残留物），可能需要先使用食人魚洗液进行预洗净。每个步骤之间需用去离子水充分冲洗干净。

理想情况下，以下步骤应在熔融石英或熔融硅器皿中进行（不可使用硼硅酸盐玻璃器皿，因为其杂质会析出并导致污染）。同时建议使用电子级（或“CMOS级”）化学品，以避免因杂质重新污染晶片。此处理会在硅表面形成约10埃（Å）厚的二氧化硅薄层，同时也可能引入少量金属污染（特别是铁），将在下一步被清除。

第二步（可选）：氧化层剥离
此步骤为可选步骤（适用于裸硅晶片），是将晶片短时间浸入1:100或1:50的氢氟酸水溶液中，在25°C下约15秒，以去除薄氧化层及部分离子污染物。若此步骤未在超高纯材料与超洁净容器中执行，可能会因硅表面高度活泼而导致再污染。无论是否进行此步骤，下一步（SC-2）都会溶解并再生一层氧化层。

相关

• 化学机械平坦化
• 食人魚洗液
• 等离子蚀刻
• SOI
• 晶圆

参考