巨磁阻效应

巨磁阻效应(,缩写:),是一种量子力学和凝聚体物理学现象,磁阻效应的一种,可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层(几个纳米厚)结构中观察到。2007年诺贝尔物理学奖被授予发现GMR的德國物理學家彼得·格林贝格()和法國物理學家艾尔伯·费尔()。

这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关,两层磁性材料磁化方向相反情况下的电阻值,明显大于磁化方向相同时的电阻值,电阻在很弱的外加磁场下具有很大的变化量。巨磁阻效应被成功地运用在硬碟生产上,具有重要的商业应用价值。

巨磁阻的主要应用是磁场传感器,可读取硬盘、生物传感器、微机电系统等设备中的数据;其多层结构也被用于作为存储一位元信息的单元的磁阻随机存取存储器(MRAM)。

现象
物质在一定磁场下电阻改变的现象,称为“磁阻效应”,磁性金属和合金材料一般都有这种磁电阻现象,通常情况下,物质的电阻率在磁场中仅产生轻微的减小;在某种条件下,电阻率减小的幅度相当大,比通常磁性金属与合金材料的磁电阻值约高10余倍,称为“巨磁阻效应”(GMR);而在很强的磁场中某些绝缘体会突然变为导体,称为“超巨磁阻效应”(CMR)。

如右图所示,左面和右面的材料结构相同,两侧是磁性材料薄膜层(蓝色),中间是非磁性材料薄膜层(橘色)。

左面的结构中,两层磁性材料的磁化方向相同。
*当一束自旋方向与磁性材料磁化方向都相同的电子通过时,电子较容易通过两层磁性材料,都呈现小电阻。
*当一束自旋方向与磁性材料磁化方向都相反的电子通过时,电子较难通过两层磁性材料,都呈现大电阻。这是因为电子的自旋方向与材料的磁化方向相反,产生散射,通过的电子数减少,从而使得电流减小。

右面的结构中,两层磁性材料的磁化方向相反。
*当一束自旋方向与第一层磁性材料磁化方向相同的电子通过时,电子较容易通过,呈现小电阻;但较难通过第二层磁化方向与电子自旋方向相反的磁性材料,呈现大电阻。
*当一束自旋方向与第一层磁性材料磁化方向相反的电子通过时,电子较难通过,呈现大电阻;但较容易通过第二层磁化方向与电子自旋方向相同的磁性材料,呈现小电阻。

发现
巨磁阻效应在1988年由德国于利希研究中心的彼得·格林贝格和巴黎第十一大学的艾尔伯·费尔分别独立发现的

}}

参考文献

评论 (0)

  • 还没有评论,来抢沙发吧。