薄膜生长模式（Modes of thin-film growth）指的是薄膜在材料表面的外延成长中不同的生长机制，由于1958年系统化地归纳为三大类型：岛状生长模式（即Volmer-Weber模式）、层状生长模式（即Frank–van der Merwe模式）和岛状/层状生长模式（即斯特兰斯基－克拉斯坦诺夫模式）。
基本生长模式
岛状生长模式
岛状生长模式又称Volmer-Weber模式、VM模式，得名于和A. 韦伯。在岛状生长中，薄膜原子相互之间的束缚力强于衬底对薄膜原子的束缚力，导致薄膜原子在衬底表面直接成核生长出三维的原子岛。
层状生长模式
层状生长模式又称Frank–van der Merwe模式、FM模式，得名于和。在层状生长中，衬底对薄膜原子的束缚力强于薄膜原子之间的作用力，导致薄膜遵循严格的二维生长——即直到完全生长完一层，下一层才开始生长。岛状/层状生长模式介于岛状生长模式与层状生长模式之间：在衬底上以二维方式生长一定厚度的薄膜之后，会开始以三维形式生长原子岛。，可通过考虑距离表面最近的几层原子的化学势来确定生长机制。1995年，伊万·马尔可夫提出原子层内单原子的化学势模型：
:\mu(n) = \mu_\infty +[\varphi_a - \varphi_a'(n) + \varepsilon_d(n) + \varepsilon_e(n)]
其中 \mu_\infty 表示吸附材料的体化学势（bulk chemical potential），\varphi_a 表示浸润层吸附原子的脱附能（desorption energy），\varphi_a'(n) 表示衬底吸附原子的脱附能，\varepsilon_d(n) 表示每个原子的位错错配能（misfit dislocation energy），\varepsilon_e(n) 表示每个原子的同质应变能（homogeneous strain energy）。在一般情况下，\varphi_a、\varphi_a'(n)、\varepsilon_d(n) 和 \varepsilon_e(n) 的值与薄膜的厚度，以及衬底和薄膜之间的位错有着极为复杂的关系。在应变很小的情况下（即 \varepsilon_{d,e}(n) \ll \mu_\infty），薄膜的生长模式取决于 \frac{d\mu}{dn} 的值：
- 岛状生长模式：\frac{d\mu}{dn} （表层原子的凝聚力强于衬底表面的黏附力）
- 层状生长模式：\frac{d\mu}{dn} > 0 （衬底表面的黏附力强于表层原子的凝聚力）
- 岛状/层状生长模式：原始衬底上的生长模式为层状生长模式（即 \frac{d\mu}{dn} > 0）；当后来生长的薄膜达到某个临界厚度时，在薄膜上继续生长薄膜将出现 \frac{d\mu}{dn} 的情况，即生长模式转变为岛状生长模式。
实验测量
在实际的科学实验中，可以运用多种手段判断薄膜生长的模式，包括透射电子显微镜或扫描隧道显微镜（直接测量表面形貌），低能电子衍射或（通过测量衍射强度的振荡），以及俄歇电子能谱。
注释
参考文献
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