舛岡富士雄（，），日本電子工程學家，日本東北大學名譽教授，快閃記憶體的發明者。紫綬褒章、瑞寶重光章表彰。文化功勞者。
生平
舛岡富士雄於1943年在日本群馬縣高崎市誕生。群馬縣立高崎高等学校畢業，日本東北大學工學部畢業後進入「半導體先生」西澤潤一的研究室。1971年取得工學博士（東北大學）並加入東芝公司，開發SAMOS記憶體。他對非揮發性記憶體的點子有高度興趣，這是一種在電源關閉後，還能保存資料的記憶體。他在1980年發明NOR型快閃記憶體，1986年發明NAND型快閃記憶體，推動東芝成為世界半導體產業的巨頭，徹底改寫人類資訊時代的面貌。
舛岡在1994年返回擔母校東北大学任教，1996年成為東北大学電気通信研究所教授。2004年起擔任Unisantis公司電子首席技術官。繼續研究三維構造半導體技術。
專利訴訟
在很長一段時間中，東芝公司不承認NOR型快閃記憶體是舛岡富士雄的發明，直到電機電子工程師學會（IEEE）在1997年授予舛岡IEEE Morris N. Liebmann紀念獎後才改口。2006年舛岡起訴東芝，索賠10億日元，最後達成和解得到8700萬日元（合758,000美元）。
榮譽
*1997年 -
*2007年 - 紫綬褒章
*2013年 - 文化功勞者
*2016年 - 瑞寶重光章
*2018年 -
主要論文
- K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka. "High performance CMOS surrounding gate transistor (SGT) for ultra high density LSIs." Electron Devices Meeting, 1988. IEDM'88. Technical Digest., International. IEEE, 1988.
- A Nitayama, F Horiguchi, F Masuoka. "A surrounding gate transistor (SGT) cell for 64/256 Mbit DRAMs." Electron Devices Meeting, 1989. IEDM'89. Technical Digest., International. IEEE, 1989.
- K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka. "Impact of surrounding gate transistor (SGT) for ultra-high-density LSI's." IEEE Transactions on Electron Devices 38.3 (1991): 573-578.
- K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka . "Multi-pillar surrounding gate transistor (M-SGT) for compact and high-speed circuits." IEEE Transactions on Electron Devices 38.3 (1991): 579-583.
- F Horiguchi, K Ohuchi, F Masuoka. "A novel circuit technology with surrounding gate transistors (SGT's) for ultra high density DRAM's." IEEE Journal of Solid-State Circuits 30.9 (1995): 960-971.
相關條目
*西澤潤一
*快閃記憶體
*
參考
外部連結
*[http://www.forbes.com/global/2002/0624/030.html Unsung hero] (Forbes profile article)
*[https://web.archive.org/web/20130501075144/http://www.unisantis-el.jp/jp/index.htm UNISANTIS Electronics (Japan) Ltd.]
*[http://rikunabi-next.yahoo.co.jp/tech/docs/ct_s03600.jsp?p=000500 インタビュー記事 舛岡富士夫教授「日本発の三次元半導体で歴史を創る」]
日本工程師
评论 (0)